公开(公告)号：WO2011129256A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/JP2011/058786

申请日：2011-04-07

Applicant: タツタ電線株式会社 ,  長谷川 剛

Inventor： 長谷川　剛

IPC: H01L21/60 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/8583 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: 　被覆層（２）に亀裂が生じても芯材（１）の耐酸化性の劣化を極力抑制する。集積回路素子の電極（ａ）と回路配線基板の導体配線（ｃ）をボールボンディング法によって接続するための線径（Ｌ）１２μｍ以上５０.８μｍ以下のボンディングワイヤ（Ｗ）である。９９．９９質量％以上の銅からなる芯材（１）にＡｕ又は白金族の少なくとも１種以上を耐酸化性を向上するために添加し、Ｐを電気抵抗向上のために添加し、その芯材（１）の外周全面に耐酸化性のＰｔ又はＰｄの厚み（ｔ）０．０２～０．０９μｍの被覆層（２）を形成したものとする。このボンディングワイヤは、Ｐの添加によって電気抵抗値が高くなり、スパークが低電流・短時間で、安定したＦＡＢが形成できる。このとき、芯材（１）にＡｕ又は白金族が添加されているため、Ｐと化合物を生成せず、耐酸化性の向上効果を担保する。このため、その被覆層に亀裂が生じても、その亀裂による芯材の耐酸化性の劣化を極力抑制する。

Abstract translation: 即使在涂层（2）中形成裂纹，芯材（1）的抗氧化性降低也是最大的。 接合线（W）的线径（L）为12μm〜50.8μm，用于通过球接方式连接集成电路元件的电极（a）和电路布线基板的导线（c）。 从包含至少99.99质量％的铜的芯材（1）中加入选自Au或铂族金属中的至少一种以上，以提高抗氧化性，P添加到芯材（1）中以提高 在芯材（1）的整个外周面上形成具有0.02〜0.09μm的耐氧化Pt或Pd厚度（t）的涂层（2）。 接合线由于添加P而具有高电阻率，并且可以使用具有低电流和短持续时间的火花来用于稳定的FAB形成。 由于在此时将Au或铂族金属添加到芯材（1）中，所以化合物不与P形成，并且确保了耐氧化性的提高。 结果，即使在涂层中形成裂纹，也能够最大限度地控制由这种开裂引起的芯材的耐氧化性的劣化。

公开(公告)号：WO2012130730A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/055119

申请日：2012-03-22

Applicant: SOITEC ,  SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier

Inventor： SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/0807 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8583 ,  H01L2224/85897 ,  H01L2224/85898 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods of bonding together semiconductor structures include annealing metal of a feature on a semiconductor structure prior to directly bonding the feature to a metal feature of another semiconductor structure to form a bonded metal structure, and annealing the bonded metal structure after the bonding process. The thermal budget of the first annealing process may be at least as high as a thermal budget of a later annealing process. Additional methods involve forming a void in a metal feature, and annealing the metal feature to expand the metal of the feature into the void. Bonded semiconductor structures and intermediate structures are formed using such methods.

Abstract translation: 将半导体结构结合在一起的方法包括在将特征直接接合到另一半导体结构的金属特征之前的半导体结构上的特征的退火金属，以形成接合的金属结构，以及在接合工艺之后使接合的金属结构退火。 第一退火工艺的热预算可以至少等于后续退火工艺的热预算。 附加的方法包括在金属特征中形成空隙，并退火金属特征以将特征的金属扩展到空隙中。 使用这种方法形成结合的半导体结构和中间结构。

公开(公告)号：WO00057472A1

公开(公告)日：2000-09-28

申请号：PCT/DE2000/000907

申请日：2000-03-24

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03422 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05601 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48601 ,  H01L2224/48609 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48616 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48701 ,  H01L2224/48709 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48716 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48801 ,  H01L2224/48809 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/78252 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/8581 ,  H01L2224/85815 ,  H01L2224/85825 ,  H01L2224/8583 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2924/0494 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/0108 ,  H01L2224/45611 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824

Abstract: An integrated circuit (1) with a semiconductor substrate (2) comprises electrically active zones to which an electric voltage can be applied via contacts (3). The contacts (3) comprise a contact layer made of copper. The invention provides for each contact (3) to present a connecting wire (7), as well as for a solder layer (6) consisting substantially of a solder-metal compound to be located in an area between the connecting wire (7) and the contact (3).

Abstract translation: 一种集成电路（1），包括一个半导体衬底（2）具有通过连接触点（3）与电电压作用时电有源区。 连接接点（3）具有由铜构成的连接层，其中，在每个连接接触件（3）设有一个连接线（7），且进一步其中在所述连接线（7）和终端之间的区域（3）提供了一种钎焊层（6）， 基本上由焊料金属化合物。