公开(公告)号：WO2013029656A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/EP2011/064874

申请日：2011-08-30

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  MARTINSCHITZ, Klaus ,  WIMPLINGER, Markus ,  REBHAN, Bernhard ,  HINGERL, Kurt

发明人： MARTINSCHITZ, Klaus ,  WIMPLINGER, Markus ,  REBHAN, Bernhard ,  HINGERL, Kurt

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein verfahren zum Bonden eines ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit einem eine erstes Material enthaltenden zweiten Festkörpersubstrat (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung oder Aufbringung einer ein zweites Material enthaltenden Funktionsschicht (5) auf das zweite Festkörpersubstrat (2), - Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an der Funktionsschicht (5), - Zusammenpressen der Festkörpersubstrate (1, 2) zur Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen dem ersten und dem zweiten Festkörpersubstrat (1, 2), zumindest teilweise verstärkt durch Festkörperdiffusion und/oder Phasenumwandlung des ersten Materials mit dem zweiten Material, wobei eine Volumenvergrößerung an der Funktionsschicht (5) bewirkt wird. Während des Bondens wird die Löslichkeitsgrenze des ersten Materials für das zweite Material nicht oder nur geringfügig überschritten, so dass Ausscheidung von intermetallischen Phasen möglichst weitgehend vermieden wird und dagegen Mischkristall ausgebildet wird. Das erste Material kann Kupfer und das zweite Material kann Zinn sein.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于接合具有含第二固体基底（2）包括以下步骤，特别是下列序列中的第一材料的第一固体基材（1）： - 第二固体基材上的含第二材料的功能层（5）的形成或沉积 （2）， - 所述第一固态衬底（1）与第二固体基材（2）到所述功能层接触（5）， - 压缩所述固体底物（1,2），以形成所述第一和之间的永久键（第二固体基底1， 2）通过，由此增加在所述功能层的体积（5）被实现固态扩散和/或与所述第二材料的第一材料的相变，至少部分地加强。 在接合时，第一材料的第二材料中的溶解度不或仅略微超过，从而使沉淀避免尽可能金属间相和在另一方面，形成混晶。 所述第一材料可以是铜，并且第二材料可以是锡。

公开(公告)号：WO2006009850A3

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：PCT/US2005021471

申请日：2005-06-17

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC ,  ABBOTT DONALD C

发明人： ABBOTT DONALD C

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/288 ,  H01L21/441 ,  H01L21/445 ,  H01L23/498 ,  H01L27/095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L31/07 ,  H01L31/108 ,  H05K1/11 ,  H05K3/24 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K3/244 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/113 ,  H05K3/3463 ,  Y10S438/928 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus comprising an insulating substrate (101) having first and second surfaces (101a, 101b) and a plurality of metal-filled vias (102) extending from the first to the second surface. The first and second surfaces have contact pads (103, 104), each one comprising a connector stack to at least one of the vias. The stack comprises a seed metal layer (110, copper) in contact with the via metal capable of providing an adhesive and conductive layer for electroplating on its surface, a first electroplated support layer (111 a, copper) secured to the seed metal layer, a second electroplated support layer (111 b, nickel), and at least one reflow metal bonding layer (112, palladium, gold) on the second support layer. The electrolytic plating process produces support layers substantially pure (at least 99.0 %), free of unwanted additives such as phosphorus or boron, and exhibiting closely controlled grain sizes. Reflow metal connectors (220, 230) provide attachment to chip contact pads and external parts.

摘要翻译： 一种包括具有第一和第二表面（101a，101b）和从第一表面延伸到第二表面的多个金属填充的通孔（102）的绝缘基板（101）的设备。 第一和第二表面具有接触焊盘（103,104），每个接触焊盘包括至少一个通孔的连接器叠层。 堆叠包括与通孔金属接触的种子金属层（110，铜），其能够提供用于在其表面上电镀的粘合剂和导电层，固定到种子金属层的第一电镀支撑层（111a，铜） 第二电镀支撑层（111b，镍）和在第二支撑层上的至少一个回流金属结合层（112，钯，金）。 电解电镀工艺产生基本上纯的（至少99.0％）的支撑层，没有不需要的添加剂如磷或硼，并且表现出紧密控制的晶粒尺寸。 回流金属连接器（220,230）提供与芯片接触焊盘和外部部件的连接。

公开(公告)号：WO2016137892A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/US2016/018953

申请日：2016-02-22

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： SHEN, Hong ,  WANG, Liang ,  SITARAM, Arkalgud, R.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08168 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511

摘要： Two microelectronic components (110, 120), e.g. a die and an interposer, are bonded to each other. One of the components' contact pads (110C) include metal, and the other component has silicon (410) which reacts with the metal to form metal silicide (504). Then a hole (510) is made through one of the components to reach the metal silicide and possibly even the unreacted metal (110C) of the other component. The hole is filled with a conductor (130), possibly metal, to provide a conductive via that can be electrically coupled to contact pads (120C.B) attachable to other circuit elements or microelectronic components, e.g. to a printed circuit board.

摘要翻译： 两个微电子部件（110,120），例如 模具和插入件彼此结合。 部件的接触焊盘（110C）中的一个包括金属，另一部件具有与金属反应形成金属硅化物（504）的硅（410）。 然后通过其中一个部件制成一个孔（510），以到达金属硅化物，甚至可能连接另一部件的未反应的金属（110C）。 该孔填充有可能是金属的导体（130），以提供可电耦合到可附接到其它电路元件或微电子部件的接触焊盘（120C.B）的导电通孔。 到印刷电路板。

公开(公告)号：WO2011081213A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/JP2010/073849

申请日：2010-12-22

申请人： 千住金属工業株式会社 ,  上島 稔 ,  豊田 実

发明人： 上島　稔 ,  豊田　実

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/0135 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3421 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： 　ダイボンド用はんだ材料を使用して形成された面実装部品を、実装用はんだ材料を使用してプリント基板にはんだ付けするときでも、ダイボンド用はんだ材料の溶解が起きないようにした。　ダイパット用はんだ材料３０として、Ｃｕの含有量が所定値以下のＳｎを主成分とする（Ｓｎ－Ｓｂ）系の高融点はんだ材料を使用して形成された面実装部品を、回路基板の基板端子部に塗布された実装用はんだ材料７０として、（Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｂｉ）系はんだ材料を用いてはんだ付けする。ダイボンド用はんだ材料３０の固相線温度は２４３℃であり、実装用はんだ材料７０の液相線温度は２１５～２２０℃程度であるので、リフロー炉の加熱温度（２４０℃以下）によってもダイボンド用はんだ材料３０は溶解しない。

摘要翻译： 提供一种用于焊接表面安装部件和表面安装部件的方法，即使当使用芯片焊接焊料形成的表面安装部件焊接到印刷电路板上时，也不会发生芯片焊接焊料的溶解 板使用安装焊料。 使用Sn（Sn-Sb）高熔点焊料作为主要成分形成的表面安装成分，Cu含量为规定值以下，作为模焊焊料30。 使用（Sn-Ag-Cu-Bi）焊料材料进行焊接，该材料用作已经被施加到电路板的板端子部分的安装焊料材料（70）。 芯片焊接材料（30）的固相线温度为243℃，安装焊料（70）的液相线温度为215℃至220℃。 即使在回流炉（240℃以下）的加热温度下，芯片焊接材料（30）也不会溶解。

公开(公告)号：WO2006009850A2

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：PCT/US2005/021471

申请日：2005-06-17

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  ABBOTT, Donald, C.

发明人： ABBOTT, Donald, C.

IPC分类号： H01L27/095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L31/07 ,  H01L31/108 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44

CPC分类号： H05K3/244 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/113 ,  H05K3/3463 ,  Y10S438/928 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus comprising an insulating substrate (101) having first and second surfaces (101a, 101b) and a plurality of metal-filled vias (102) extending from the first to the second surface. The first and second surfaces have contact pads (103, 104), each one comprising a connector stack to at least one of the vias. The stack comprises a seed metal layer (110, copper) in contact with the via metal capable of providing an adhesive and conductive layer for electroplating on its surface, a first electroplated support layer (111 a, copper) secured to the seed metal layer, a second electroplated support layer (111 b, nickel), and at least one reflow metal bonding layer (112, palladium, gold) on the second support layer. The electrolytic plating process produces support layers substantially pure (at least 99.0 %), free of unwanted additives such as phosphorus or boron, and exhibiting closely controlled grain sizes. Reflow metal connectors (220, 230) provide attachment to chip contact pads and external parts.

摘要翻译： 一种包括具有第一和第二表面（101a，101b）和从第一表面延伸到第二表面的多个金属填充的通孔（102）的绝缘基板（101）的设备。 第一和第二表面具有接触焊盘（103,104），每个接触焊盘包括至少一个通孔的连接器叠层。 堆叠包括与通孔金属接触的种子金属层（110，铜），其能够提供用于在其表面上电镀的粘合剂和导电层，固定到种子金属层的第一电镀支撑层（111a，铜） 第二电镀支撑层（111b，镍）和在第二支撑层上的至少一个回流金属结合层（112，钯，金）。 电解电镀工艺产生基本上纯的（至少99.0％）的支撑层，没有不需要的添加剂如磷或硼，并且表现出紧密控制的晶粒尺寸。 回流金属连接器（220,230）提供与芯片接触焊盘和外部部件的连接。

公开(公告)号：WO2014135802A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/FR2014/050504

申请日：2014-03-05

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： GONDCHARTON, Paul ,  BENAISSA, Lamine ,  IMBERT, Bruno

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/89 ,  H01L21/185 ,  H01L21/187 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/00014

摘要： Il comprend les étapes de -a) Fournir un premier substrat (1) recouvert par une couche métallique (2) et un deuxième substrat (3) recouvert par une couche métallique (4), -b) Mettre en contact direct les couches métallique (2,4) de sorte à former une interface de collage (6) comprenant des ponts de matière (5) métalliques espacés par des cavités reliées fluidiquement entre elles, -d) Immerger l'interface de collage (6) dans un fluide oxydant (8) de sorte à former un oxyde métallique comblant au moins en partie les cavités et des zones de contact (9) métal/oxyde métallique/métal. L'invention concerne également une structure (100) comprenant un premier substrat (1), une première couche métallique (2), une deuxième couche métallique (4) formant une interface de collage (6)avec la première couche métallique (2), et un deuxième substrat (3), l'interface de collage (6) comprenant des ponts de matière (5) métalliques espacés par des cavités, un oxyde métallique comblant en partie les cavités et des zones de contact (9) métal/oxyde métallique/métal.

摘要翻译： 本发明包括以下步骤：a）提供由金属层（2）覆盖的第一衬底（1）和被金属层（4）覆盖的第二衬底（3）; b）将金属层（2， 4）以这样的方式直接接触，以形成包含由流体连接在一起的空腔分开的金属材料桥（5）的接合界面（6），-d）将接合界面（6）浸没在氧化流体（8）中 这种方式可以形成至少部分地填充空腔和金属/金属氧化物/金属接触区域（9）的金属氧化物。 本发明还涉及一种包括第一基板（1），第一金属层（2），与第一金属层（2）形成接合界面（6）的第二金属层（4）的结构（100），以及 第二基板（3），所述接合界面（6）包括由空腔分开的金属材料桥（5），至少部分地填充所述空腔的金属氧化物和金属/金属氧化物/金属接触区域（9）。

公开(公告)号：WO2014128796A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/JP2013/005899

申请日：2013-10-03

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 土肥　茂史

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48221 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 　ダイボンドの這い上がりによるワイヤボンディング端子の汚染を防止しつつ、小型、薄型の半導体装置を提供する。半導体装置は、電極が形成された主面を有する第１の半導体チップと、第１の半導体チップの側端面から外方に拡張された拡張部と、第１の半導体チップの主面から拡張部の第１の面に亘って形成された再配線層と、拡張部の再配線層に設けられた接続端子と、第１の半導体チップおよび拡張部を基板に固定するダイボンドと、拡張部において、接続端子より外側に段差を有する。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种微型且薄型的半导体器件，同时防止由于芯片键合的蠕变引起的引线接合端子的污染。 半导体器件具有：第一半导体芯片，其具有形成有电极的主表面; 延伸部分，其从第一半导体芯片的侧边缘表面向外延伸; 从所述第一半导体芯片的主表面横跨所述延伸部分的所述第一表面形成的再分布层; 连接端子，设置在延伸部分的再分配层上; 将第一半导体芯片和延伸部分固定到基板上的管芯接合; 并且在延伸部分中的连接端子外侧的台阶。

公开(公告)号：WO2012130730A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/055119

申请日：2012-03-22

申请人： SOITEC ,  SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier

发明人： SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/0807 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8583 ,  H01L2224/85897 ,  H01L2224/85898 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： Methods of bonding together semiconductor structures include annealing metal of a feature on a semiconductor structure prior to directly bonding the feature to a metal feature of another semiconductor structure to form a bonded metal structure, and annealing the bonded metal structure after the bonding process. The thermal budget of the first annealing process may be at least as high as a thermal budget of a later annealing process. Additional methods involve forming a void in a metal feature, and annealing the metal feature to expand the metal of the feature into the void. Bonded semiconductor structures and intermediate structures are formed using such methods.

摘要翻译： 将半导体结构结合在一起的方法包括在将特征直接接合到另一半导体结构的金属特征之前的半导体结构上的特征的退火金属，以形成接合的金属结构，以及在接合工艺之后使接合的金属结构退火。 第一退火工艺的热预算可以至少等于后续退火工艺的热预算。 附加的方法包括在金属特征中形成空隙，并退火金属特征以将特征的金属扩展到空隙中。 使用这种方法形成结合的半导体结构和中间结构。