公开(公告)号：CN107068574B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201610820664.1

申请日：2016-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘子正 ,  胡毓祥 ,  蓝若琳 ,  廖思豪 ,  郭正铮 ,  郭宏瑞 ,  刘重希 ,  余振华 ,  周孟纬

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供了半导体器件和方法，包括位于包封通孔和半导体管芯的包封物上方的第一介电层。再分布层位于第一介电层上方，并且第二介电层位于再分布层上方，并且第二介电层包括低温聚酰亚胺材料。

公开(公告)号：CN110660680A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910103536.9

申请日：2019-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  翁得期 ,  庄博尧 ,  郑心圃 ,  周孟纬 ,  林孟良

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/48 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 此处提供形成扇出封装的结构与方法。此处所述的封装包括空腔基板、一或多个半导体装置位于空腔基板的空腔中、以及一或多个重布线结构。实施例包含预先形成于空腔基板中的空腔。多种装置如集成电路晶粒、封装、或类似物可放置在空腔中。亦可形成重布线结构。

公开(公告)号：CN107068574A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610820664.1

申请日：2016-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘子正 ,  胡毓祥 ,  蓝若琳 ,  廖思豪 ,  郭正铮 ,  郭宏瑞 ,  刘重希 ,  余振华 ,  周孟纬

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供了半导体器件和方法，包括位于包封通孔和半导体管芯的包封物上方的第一介电层。再分布层位于第一介电层上方，并且第二介电层位于再分布层上方，并且第二介电层包括低温聚酰亚胺材料。

公开(公告)号：CN102456647A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110092051.8

申请日：2011-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  郑明达 ,  吕文雄 ,  周孟纬 ,  郭宏瑞 ,  刘重希

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0341 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；在衬底上延伸的、在接触焊盘上具有开口的钝化层；和在钝化层的开口上方的导电柱，其中，导电柱包括与衬底基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。

公开(公告)号：CN110660725B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201910023923.1

申请日：2019-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  翁得期 ,  周孟纬 ,  林孟良 ,  庄博尧 ,  郑心圃

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。

公开(公告)号：CN110957281A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910305554.5

申请日：2019-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  翁得期 ,  周孟纬 ,  林孟良 ,  庄博尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。

公开(公告)号：CN110660725A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910023923.1

申请日：2019-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  翁得期 ,  周孟纬 ,  林孟良 ,  庄博尧 ,  郑心圃

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。

公开(公告)号：CN103545249B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210459353.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周孟纬 ,  郭宏瑞 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成后钝化互连件的方法，包括：在衬底上方形成钝化层，其中金属焊盘嵌入所述钝化层，在所述钝化层上沉积第一介电层，对所述第一介电层实施第一图案化工艺以形成第一开口，在所述第一开口的上方形成第一种子层，用导电材料填充所述第一开口，在所述第一介电层上沉积第二介电层，对所述第二介电层实施第二图案化工艺以形成第二开口，在所述第二开口上方形成凸块下金属结构，以及在所述凸块下金属结构上方设置互连凸块。

公开(公告)号：CN102386158B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110049451.0

申请日：2011-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林正忠 ,  刘重希 ,  周孟纬 ,  林国诚 ,  吕文雄 ,  黄见翎 ,  黄英叡 ,  陆德源

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/1084 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制法，特别是关于一种焊料柱状凸块。通过电镀导电材料于集成电路端点之上，以形成导电材料的柱状物，亦即柱状凸块连接点系形成于输出/输入端点之上。柱状凸块的底端部分具有比上段部分更宽的宽度。柱状凸块的底部部分的剖面图可形成梯形、矩形或倾斜形状。焊料材料可形成于柱状结构上表面上。因此，焊接柱状凸块的成品形成细微间距(fine pitch)封装焊料连接，此结构比现有技术更具可靠度(reliable)。

公开(公告)号：CN102456647B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201110092051.8

申请日：2011-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  郑明达 ,  吕文雄 ,  周孟纬 ,  郭宏瑞 ,  刘重希

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0341 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；在衬底上延伸的、在接触焊盘上具有开口的钝化层；和在钝化层的开口上方的导电柱，其中，导电柱包括与衬底基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。