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1.

发明授权
半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN110660650B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201910043381.4

申请日：2019-01-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭宏瑞 , 李明潭 , 郭正铮 , 陆德源

IPC分类号： H01L21/027 , H01L23/31

摘要： 提供了半导体器件和制造导电连接件的方法。在实施例中，通过在曝光工艺期间调整对焦区域的中心点，在光刻胶内形成开口。一旦已经显影光刻胶以形成开口，显影后烘烤工艺用于重塑开口。一旦重塑，在开口内形成导电材料以呈现开口的形状。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

2.

发明公开
光刻胶设备无效

公开(公告)号：CN111123663A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910232318.5

申请日：2019-03-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭宏瑞 , 余振华 , 陆德源 , 李明潭

IPC分类号： G03F7/38

摘要： 一种光刻胶设备及一种方法。所述光刻胶设备包括预烘烤设备。所述预烘烤设备包括：热板；第一盖体，位于所述热板之上；第二盖体，位于所述第一盖体之上；第一加热元件，沿所述第一盖体的最顶表面延伸；以及第二加热元件，沿所述第二盖体的最顶表面延伸。

3.

发明授权
半导体装置及其制法有权

公开(公告)号：CN102386158B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110049451.0

申请日：2011-02-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林正忠 , 刘重希 , 周孟纬 , 林国诚 , 吕文雄 , 黄见翎 , 黄英叡 , 陆德源

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/02052 , H01L21/32125 , H01L21/76873 , H01L21/76885 , H01L23/488 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2221/1084 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/1111 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11472 , H01L2224/11474 , H01L2224/11614 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/11903 , H01L2224/1191 , H01L2224/11912 , H01L2224/13005 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/81191 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0541 , H01L2924/07025 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/20102 , H01L2924/3512 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制法，特别是关于一种焊料柱状凸块。通过电镀导电材料于集成电路端点之上，以形成导电材料的柱状物，亦即柱状凸块连接点系形成于输出/输入端点之上。柱状凸块的底端部分具有比上段部分更宽的宽度。柱状凸块的底部部分的剖面图可形成梯形、矩形或倾斜形状。焊料材料可形成于柱状结构上表面上。因此，焊接柱状凸块的成品形成细微间距(fine pitch)封装焊料连接，此结构比现有技术更具可靠度(reliable)。

4.

发明公开
堆叠式封装器件和封装半导体管芯的方法有权

公开(公告)号：CN103515362A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210384449.3

申请日：2012-10-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 徐君蕾 , 刘重希 , 陆德源 , 何明哲 , 陈玉芬

IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/488 , H01L21/98

CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4857 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H01L2224/81193 , H01L2224/81411 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15323 , H01L2924/15331 , H01L2924/15333 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2924/3651

摘要： 公开了堆叠式封装(PoP)器件和封装半导体管芯的方法。在一个实施例中，PoP器件包括第一封装管芯和连接到第一封装管芯的第二封装管芯。金属柱连接到第一封装管芯。金属柱具有接近第一封装管芯的第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。每一个金属柱连接到接近第二封装管芯的焊接接点。

5.

发明公开
半导体装置及其制法有权

公开(公告)号：CN102386158A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110049451.0

申请日：2011-02-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林正忠 , 刘重希 , 周孟纬 , 林国诚 , 吕文雄 , 黄见翎 , 黄英叡 , 陆德源

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/02052 , H01L21/32125 , H01L21/76873 , H01L21/76885 , H01L23/488 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2221/1084 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/1111 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11472 , H01L2224/11474 , H01L2224/11614 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/11903 , H01L2224/1191 , H01L2224/11912 , H01L2224/13005 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/81191 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0541 , H01L2924/07025 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/20102 , H01L2924/3512 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制法，特别是关于一种焊料柱状凸块。通过电镀导电材料于集成电路端点之上，以形成导电材料的柱状物，亦即柱状凸块连接点系形成于输出/输入端点之上。柱状凸块的底端部分具有比上段部分更宽的宽度。柱状凸块的底部部分的剖面图可形成梯形、矩形或倾斜形状。焊料材料可形成于柱状结构上表面上。因此，焊接柱状凸块的成品形成细微间距(fine pitch)封装焊料连接，此结构比现有技术更具可靠度(reliable)。

6.

发明授权
封装件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN113140544B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202110055415.9

申请日：2021-01-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭宏瑞 , 张岱民 , 蔡惠榕 , 陆德源 , 李明潭

IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56

摘要： 一种封装件，包括：器件管芯；密封剂，将器件管芯密封在其中；第一多个贯穿过孔，穿过密封剂；第二多个贯穿过孔，穿过密封剂；以及再分布线，位于第一多个贯穿过孔上方，并且电连接至第一多个贯穿过孔。第一多个贯穿过孔包括阵列。第二多个贯穿过孔位于第一阵列的外部，并且第二多个贯穿过孔大于第一多个贯穿过孔。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

7.

发明公开
封装件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN113140544A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110055415.9

申请日：2021-01-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭宏瑞 , 张岱民 , 蔡惠榕 , 陆德源 , 李明潭

IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56

摘要： 一种封装件，包括：器件管芯；密封剂，将器件管芯密封在其中；第一多个贯穿过孔，穿过密封剂；第二多个贯穿过孔，穿过密封剂；以及再分布线，位于第一多个贯穿过孔上方，并且电连接至第一多个贯穿过孔。第一多个贯穿过孔包括阵列。第二多个贯穿过孔位于第一阵列的外部，并且第二多个贯穿过孔大于第一多个贯穿过孔。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

8.

发明公开
半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN110660650A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910043381.4

申请日：2019-01-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭宏瑞 , 李明潭 , 郭正铮 , 陆德源

IPC分类号： H01L21/027 , H01L23/31

摘要： 提供了半导体器件和制造导电连接件的方法。在实施例中，通过在曝光工艺期间调整对焦区域的中心点，在光刻胶内形成开口。一旦已经显影光刻胶以形成开口，显影后烘烤工艺用于重塑开口。一旦重塑，在开口内形成导电材料以呈现开口的形状。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

9.

发明授权
堆叠式封装器件和封装半导体管芯的方法有权

公开(公告)号：CN103515362B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210384449.3

申请日：2012-10-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 徐君蕾 , 刘重希 , 陆德源 , 何明哲 , 陈玉芬

IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/488 , H01L21/98

CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4857 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H01L2224/81193 , H01L2224/81411 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15323 , H01L2924/15331 , H01L2924/15333 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2924/3651

摘要： 公开了堆叠式封装(PoP)器件和封装半导体管芯的方法。在一个实施例中，PoP器件包括第一封装管芯和连接到第一封装管芯的第二封装管芯。金属柱连接到第一封装管芯。金属柱具有接近第一封装管芯的第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。每一个金属柱连接到接近第二封装管芯的焊接接点。

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