公开(公告)号：CN106449422A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610788275.5

申请日：2016-08-31

申请人： 大丰市德讯科技有限公司

发明人： 王梦茜 ,  冯艳华 ,  王瑞

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11602 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029

摘要： 本发明公开了一种铜核球的制备方法，包括以下步骤：电解铜块，将铜块原料通过电解工序制成熔融态铜液；将熔融态的铜液注入成型器具腔内，所述成型器具的下端设有若干根毛细管；从成型器具顶端向下通入氮气；铜液氮气包裹下于毛细管末端成型。本发明制得的铜核球在焊锡的接合可靠性评估中，显示优良的效果，以电镀SAC305的铜核球和SAC305锡球进行比较，铜核球落下测试远远超过锡球，温度循环测试则和锡球的结果一样。总而言之，本发明制得的铜核球和SAC305锡球有著同等的耐热疲劳性，并可克服高银材料不佳的耐落下冲击性等多重优点，同时能够保证产品的良品率。

公开(公告)号：CN102386158B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110049451.0

申请日：2011-02-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林正忠 ,  刘重希 ,  周孟纬 ,  林国诚 ,  吕文雄 ,  黄见翎 ,  黄英叡 ,  陆德源

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/1084 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制法，特别是关于一种焊料柱状凸块。通过电镀导电材料于集成电路端点之上，以形成导电材料的柱状物，亦即柱状凸块连接点系形成于输出/输入端点之上。柱状凸块的底端部分具有比上段部分更宽的宽度。柱状凸块的底部部分的剖面图可形成梯形、矩形或倾斜形状。焊料材料可形成于柱状结构上表面上。因此，焊接柱状凸块的成品形成细微间距(fine pitch)封装焊料连接，此结构比现有技术更具可靠度(reliable)。

公开(公告)号：CN102386158A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110049451.0

申请日：2011-02-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林正忠 ,  刘重希 ,  周孟纬 ,  林国诚 ,  吕文雄 ,  黄见翎 ,  黄英叡 ,  陆德源

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/1084 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制法，特别是关于一种焊料柱状凸块。通过电镀导电材料于集成电路端点之上，以形成导电材料的柱状物，亦即柱状凸块连接点系形成于输出/输入端点之上。柱状凸块的底端部分具有比上段部分更宽的宽度。柱状凸块的底部部分的剖面图可形成梯形、矩形或倾斜形状。焊料材料可形成于柱状结构上表面上。因此，焊接柱状凸块的成品形成细微间距(fine pitch)封装焊料连接，此结构比现有技术更具可靠度(reliable)。

公开(公告)号：CN106373931A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610886307.5

申请日：2016-10-11

申请人： 江阴芯智联电子科技有限公司

发明人： 陈灵芝 ,  张凯 ,  郁科锋 ,  邹建安 ,  王新潮

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/3511 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/141

摘要： 本发明涉及一种高密度芯片重布线封装结构及其制作方法，所述结构包括金属线路层（4），所述金属线路层（4）正面设置有凸点（1），所述凸点（1）上贴装有芯片（2），所述芯片（2）的pad与凸点相连接，所述凸点（1）和芯片（2）外围填充有绝缘材料（3），所述金属线路层（4）背面设置有引脚线路层（5），所述金属线路层（4）和引脚线路层5）外围填充有绝缘材料（3），所述引脚线路层5）背面露出绝缘材料（3），所述引脚线路层（5）露出绝缘材料（3）的植球区域设置有金属球（6）。本发明一种高密度芯片重布线封装结构及其制作方法，它实现高性能的电性连接与良好的可靠性保证，形成高密度重布线封装工艺。

公开(公告)号：CN103681361A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310108676.8

申请日：2013-03-29

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 廖宗仁

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014

摘要： 本揭露涉及一种微凸块(micro bump)结构的制造方法，其包含提供一基板；形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球；设置一缓冲层于该基板上；置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合；以及硏磨该锡球使其高度达到一预定值。

公开(公告)号：CN101156238B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200680011740.9

申请日：2006-04-14

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 日比野邦男 ,  户村善广 ,  八木能彦 ,  西川和宏

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种形成于电子零件(100)的端子电极(110)上的突起电极(120)，突起电极(120)由：利用具有凹部的转印模具形成于电子零件(100)的端子电极(110)之上的第一导电体(130)、和层叠形成于第一导电体(130)上的第二导电体(140)构成。根据该构成，可以形成具有任意形状的微小间距的突起电极(120)。

公开(公告)号：CN100388449C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN03136523.X

申请日：2003-05-23

申请人： 株式会社电装

发明人： 坂井田敦资

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H05K1/095 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/207 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4617 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2203/0113 ,  H05K2203/0338 ,  H01L2924/00014

摘要： 在基片上形成多个凸块。首先，将具有底面的孔形成在片材中，并将所述孔填满金属膏。然后，将所述片材这样叠放和定位在所述基片上，即所述片材的所述孔面向所述基片的电极。对所述基片和所述片材一起进行加热和加压，从而所述金属膏被熔化和结合在所述电极上而形成所述凸块。再后，将所述片材从具有凸块的所述基片上分离，从而所述凸块会形成在所述基片上。每个凸块中的一部分均不会缺少，所有凸块都能确实地得以形成。因此，所述凸块能够一致地形成。

公开(公告)号：CN1326225A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01116178.7

申请日：2001-05-25

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 宫崎崇志

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75743 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11

摘要： 一种芯片倒装型半导体器件,其配备的半导体芯片的表面上有多个焊盘电极。焊料电极与各个焊盘电极连接,金属芯柱与各个焊料电极连接。在半导体芯片中含有焊盘电极的一侧表面上涂覆绝缘树脂层,焊盘电极和焊料电极的全部以及金属芯柱的一部分埋入该绝缘树脂层内。金属芯柱的其余部分从绝缘树脂层伸出以形成凸起。形成外层焊料电极以覆盖此凸起。使凸起的高度为外层焊料电极的一端与绝缘树脂层表面之间距离的7%到50%。

公开(公告)号：CN107359149A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201610547564.6

申请日：2016-07-12

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 李琼延 ,  李泰勇 ,  新闵哲 ,  欧瑟门

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81359 ,  H01L2224/81379 ,  H01L2924/18161 ,  H01L23/485 ,  H01L24/27

摘要： 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置包括：衬底，其包含介电层；至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，其形成于所述介电层的一个表面上；和保护层，其覆盖所述至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，所述至少一个导电凸块衬垫具有通过所述保护层暴露的一端；和半导体裸片，其电连接到所述衬底的所述导电凸块衬垫。

公开(公告)号：CN104620394B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380047831.8

申请日：2013-08-15

申请人： 安美特德国有限公司

发明人： T.福斯 ,  K-J.马特雅特 ,  J.施佩林 ,  S.兰普雷希特 ,  C.舍嫩贝格尔

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L21/2885 ,  H01L24/11 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1884 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及通过电镀的用于太阳能电池基板的金属化方法，其中i）抗蚀剂被沉积在太阳能电池基板的至少一个表面上并被图案化，ii）导电籽晶层被沉积在图案化的抗蚀剂上和由抗蚀剂图案形成的开孔中，iii）第一金属或金属合金被电镀到导电籽晶层上，以及iv）第一金属或金属合金层的被沉积到图案化的抗蚀剂上的那些部分被去除。