公开(公告)号：CN101170127A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710181741.4

申请日：2007-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  凯特·乔治·爱得恩 ,  于洪宇 ,  劳斯·安妮 ,  卫罗索·安那贝拉

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101043002A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610094069.0

申请日：2006-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宗宪 ,  谢东衡 ,  吴忠政 ,  张守仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/6653

Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包括：提供基底；在该基底上形成栅极，该栅极具有一个顶面以及左右各一个侧壁；在该栅极与该基底上形成衬层；在该衬层上形成多个间隔物，邻近栅极；处理该衬层的露出部，经处理的衬层比未经处理的衬层具有更高的蚀刻率；移除位于该栅极顶部的衬层以及至少位于该栅极的侧壁上的该衬层的一部分；以及金属硅化至少一部分的该栅极。本发明通过凹蚀设置于植入掩模与栅极之间的衬层允许更多的栅极部分可以被金属硅化且不会影响晶体管的操作特性。

公开(公告)号：CN109273433B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201710771489.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  庄南卿

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

公开(公告)号：CN109585386A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201711130866.4

申请日：2017-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧闵谦 ,  余振华 ,  刘重希 ,  史朝文 ,  张守仁

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/58 ,  H01L21/56

Abstract: 根据一些实施例，一种封装结构包括射频集成电路芯片、绝缘包封体、重布线路结构、天线、及微波导向器。所述绝缘包封体包封所述射频集成电路芯片。所述重布线路结构设置在所述绝缘包封体上且电连接到所述射频集成电路芯片。所述天线设置在所述绝缘包封体上且经由所述重布线路结构电连接到所述射频集成电路芯片。所述天线位于所述微波导向器与所述射频集成电路芯片之间。所述微波导向器具有微波方向性增强表面，所述微波方向性增强表面位于由所述天线接收或产生的微波的传播路径中。

公开(公告)号：CN108630628A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710718432.X

申请日：2017-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  史朝文 ,  萧闵谦 ,  吴念芳 ,  张守仁 ,  江佾澈

IPC: H01L23/31 ,  H01Q1/22

Abstract: 本公开提供一种封装结构，所述封装结构包括：管芯；第一模塑化合物，包封所述管芯；天线结构；以及反射器图案，设置在所述管芯之上。穿透所述第一模塑化合物的穿孔设置在所述管芯周围。所述反射器图案设置在所述管芯及所述穿孔上。所述天线结构设置在所述反射器图案上且与所述反射器图案及所述管芯电连接。所述天线结构被设置在所述反射器图案上的第二模塑化合物包覆。

公开(公告)号：CN108615721A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201710942240.7

申请日：2017-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  江佾澈 ,  吴念芳 ,  萧闵谦 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 提供一种芯片封装的结构及其形成方法。芯片封装包括具有导电元件的半导体晶粒以及包围半导体晶粒的第一保护层。芯片封装亦包含位于半导体晶粒及第一保护层之上的第二保护层。芯片封装进一步包含位于第二保护层之上的天线元件。天线元件与半导体晶粒的导电元件电性连接。

公开(公告)号：CN108155178A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201710140211.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张守仁 ,  蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  吴凯强 ,  刘明凯

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 一种集成扇出型封装，其包括绝缘包封体、射频集成电路、天线、接地导体以及重布线路结构。射频集成电路包括多个导电端子。射频集成电路、天线及接地导体嵌于绝缘包封体中，且接地导体位于射频集成电路与天线之间。重布线路结构配置于绝缘封包体上，且重布线路结构与导电端子、天线以及接地导体电性连接。

公开(公告)号：CN106960837A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201610905679.8

申请日：2016-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  陈颉彦 ,  汤子君 ,  余振华 ,  杨青峰 ,  刘明凯 ,  王彦评 ,  吴凯强 ,  张守仁 ,  林韦廷 ,  吕俊麟

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/528 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08137 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/1434 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件，包括半导体管芯。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。接触件耦合至集成半导体封装件并且配置为半导体封装件的接地端。半导体器件还具有基本密封集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径与接触件耦合。本发明的实施例还提供了3D(三维)半导体封装件以及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN101471303A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810173352.1

申请日：2008-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  汤玛斯·Y·哈夫曼 ,  玻陀斯·杰佛瑞 ,  于洪宇

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7845

Abstract: 一种制作双功函数半导体元件的方法，包括提供具有第一区与第二区的基底，于第一区与第二区上形成栅极介电层，于栅极介电层上形成金属栅极层，其中金属栅极层具有第一(初镀)功函数，第一(初镀)功函数可以通过于其上引发应变而调整，以及选择性形成第一应变导电层于第一区的金属栅极层上，第一应变导电层施加选定的应变于金属栅极层上，因而引发第一区的金属栅极层的第一(初镀)功函数产生第一预定功函数偏移(ΔWF1)。本发明还提供以上述方法而制得的双功函数半导体元件。本发明能够使金属氧化物半导体场效应晶体管元件中的启始电压得到改善，并且工艺简单，成本较低。

公开(公告)号：CN1783469A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510117349.4

申请日：2005-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨青天 ,  张守仁 ,  曹敏 ,  米玉杰

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路晶片结构，包括一焊垫结构、一低介电常数层及主动电路。焊垫结构包含了一焊垫，一第一实心导电板，及一第二实心导电板。第一实心导电板位于焊垫的下方且与焊垫导通。第二实心导电板位于第一实心导电板下方。一低介电常数层或低介电常数层与二氧化硅层的组合位于焊垫结构下方。至少部分的主动电路位于焊垫结构的下方。本发明所述集成电路晶片，具有良好的结合能力，且其制程步骤相对于已知技术有较低的成本，以及其较易转换至设计规则。