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公开(公告)号：CN102148179A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110008103.9
申请日：2007-06-20
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2221/6834 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/83885 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明提供一种粘结薄膜的使用方法，该方法在高效地获得附有粘结薄膜的半导体芯片单片的同时，可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该使用方法，经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结薄膜(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序，从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序，至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结薄膜(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序，得到连接于配线基板的半导体芯片单片，由此防止半导体芯片的污染，而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
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公开(公告)号：CN100358103C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510056366.1
申请日：2005-03-18
申请人： 日立化成工业株式会社
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/45099
摘要： 本发明实现一种提高了凸点电极和基板电极的连接可靠性的半导体器件。将用于电连接金属凸点(2)和布线图形(4)、密封LSI芯片(1)的LSI电路面的粘接材料(3)的热固化后的弹性系数设为Ea，将承载基板(8)表层的绝缘材料(5)的热固化后的弹性系数设为Eb，并且在具有芯层的多层基板的情况下将其芯材料(6)的弹性系数设为Ec时，在常温及粘接材料(3)的热压接合温度下，用满足如下的关系式的材料体系来构成半导体器件。即，至少Ea＜Eb＜Ec，优选1/3Eb＜Ea＜Eb＜3Ea(＜Ec)。按这样的关系来设定弹性系数，由于不论压接载重的大小及其批量生产时的偏差如何都能够实现稳定连接的状态，因此，就能够确保低成本、高合格率。
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公开(公告)号：CN1221610C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN99809911.2
申请日：1999-08-20
申请人： 日立化成工业株式会社
CPC分类号： H01L23/3128 , C08L63/00 , C08L71/00 , C08L71/126 , C08L77/00 , C08L77/06 , C08L83/10 , C09D177/00 , C09D177/06 , C09D179/08 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , C08L2666/02 , C08L2666/08 , C08L2666/04 , C08L2666/14 , C08L2666/28 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20753
摘要： 本发明涉及以(A)热塑性树脂、(B)环氧树脂、(C)偶合剂、(D)粉末状无机填充材料、(E)具有橡胶弹性的粉末及(F)有机溶剂为必要组分的糊状组合物，涂布并干燥后可形成空隙率在3体积%以上，40℃、90%RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的涂膜。还涉及将该糊状组合物涂布于半导体部件表面，干燥后形成的空隙率在3体积%以上，40℃、90%RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的保护膜及具有该保护膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1674219A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056366.1
申请日：2005-03-18
申请人： 日立化成工业株式会社
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/45099
摘要： 本发明实现一种提高了凸点电极和基板电极的连接可靠性的半导体器件。将用于电连接金属凸点(2)和布线图形(4)、密封LSI芯片(1)的LSI电路面的粘接材料(3)的热固化后的弹性系数设为Ea，将承载基板(8)表层的绝缘材料(5)的热固化后的弹性系数设为Eb，并且在具有芯层的多层基板的情况下将其芯材料(6)的弹性系数设为Ec时，在常温及粘接材料(3)的热压接合温度下，用满足如下的关系式的材料体系来构成半导体器件。即，至少Ea＜Eb＜Ec，优选1/3Eb＜Ea＜Eb＜3Ea(＜Ec)。按这样的关系来设定弹性系数，由于不论压接载重的大小及其批量生产时的偏差如何都能够实现稳定连接的状态，因此，就能够确保低成本、高合格率。
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公开(公告)号：CN102290334A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110153300.X
申请日：2006-06-30
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762 , H01L27/146
CPC分类号： H01L23/488 , C09J179/08 , G03F7/037 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/48091 , Y10T156/1002 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法，其包括：粘接剂层形成工序：通过把粘接薄膜贴附在半导体晶圆上，在所述半导体晶圆上形成粘接剂层；粘接剂图案形成工序：通过对该粘接剂层进行曝光和显影处理，形成粘接剂图案；粘接工序：隔着所述粘接剂图案将被粘接物粘接在所述半导体晶圆上。该半导体装置的制造方法可以用在较低温度下进行半导体装置的制造。
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公开(公告)号：CN101218539B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200680024508.9
申请日：2006-06-30
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： G03F7/037 , C09J179/08 , C09J7/00 , G03F7/004
CPC分类号： H01L23/488 , C09J179/08 , G03F7/037 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/48091 , Y10T156/1002 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014
摘要： 本发明关于一种感光性粘接剂组合物，其含有(A)具有羧基作为侧链、酸值为80～180mg/KOH的聚酰亚胺、(B)放射线聚合性化合物、及(C)光聚合引发剂。
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公开(公告)号：CN101473425A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023296.7
申请日：2007-06-20
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/301 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2221/6834 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/83885 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法在高效地获得附有粘结剂的半导体芯片单片的同时，可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该制造方法，经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结剂层(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序，从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序，至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结剂层(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序，得到连接于配线基板的半导体芯片单片，由此防止半导体芯片的污染，而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
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公开(公告)号：CN1466774A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816599.0
申请日：2001-09-28
申请人： 日立化成工业株式会社
CPC分类号： H01L23/3107 , C08G59/302 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 本发明是一种树脂密封型半导体装置，其特征在于，具备：具有芯片焊接底板和内引线的引线框架，通过芯片焊接材料设置在上述芯片焊接底板上的半导体芯片，和密封上述半导体芯片和引线框架的密封材料。将25℃时的密封材料的挠曲强度设为σb(MPa)、密封材料相对于焊锡安装峰值温度下的内引线和芯片焊接底板的的剪切应变能分别设为Ui(N·m)、Ud(N·m)时，固化后的芯片焊接材料和密封材料的特性满足以下式(1)、式(2)、式(3)：σe≤0.2×σb式(1)、Ui≥2.0×10－6×σei式(2)、Ud≥4.69×10－6×σed式(3)。其中，σe＝(1/log(Kd1))×Ee1×(αm－αe1)×ΔT1式(4)、σei＝Ee2×(αe2－αm)×ΔT2式(5)、σed＝log(Kd2)×Ee2×(αe2－αm)×ΔT2式(6)。Kd1：25℃时的芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed1(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed1＞1MPa)；Kd2：焊锡安装时的峰值温度下芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed2(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed2＞1MPa)；Ee1：25℃下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)；Ee2：焊锡安装时峰值温度下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)；αe1：由半导体装置的成形温度至25℃时的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)；αe2：由半导体装置的成形温度至焊锡安装时的峰值温度下的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)；αm：引线框架的热膨胀系数(1/℃)；ΔT1：半导体装置的成形温度与温度循环时的低温侧温度的差(℃)；ΔT2：半导体装置的成形温度与焊锡安装时峰值温度的差(℃)。
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公开(公告)号：CN1313882A
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：CN99809911.2
申请日：1999-08-20
申请人： 日立化成工业株式会社
CPC分类号： H01L23/3128 , C08L63/00 , C08L71/00 , C08L71/126 , C08L77/00 , C08L77/06 , C08L83/10 , C09D177/00 , C09D177/06 , C09D179/08 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , C08L2666/02 , C08L2666/08 , C08L2666/04 , C08L2666/14 , C08L2666/28 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20753
摘要： 本发明涉及以(A)热塑性树脂、(B)环氧树脂、(C)偶合剂、(D)粉末状无机填充材料、(E)具有橡胶弹性的粉末及(F)有机溶剂为必要组分的糊状组合物,涂布并干燥后可形成空隙率在3体积%以上,40℃、90%RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的涂膜。还涉及将该糊状组合物涂布于半导体部件表面,干燥后形成的空隙率在3体积%以上,40℃、90%RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的保护膜及具有该保护膜的半导体装置。
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