用于包括唯一标识符的封装体的正面封装级别序列化

    公开(公告)号:CN106796892B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201580045860.X

    申请日:2015-08-26

    Abstract: 一种制造半导体器件的方法,该方法可包括提供多个半导体裸芯,其中每个半导体裸芯包括有源表面和与所述有源表面相对的背面。该方法可包括形成在所述晶片中的多个半导体裸芯中的每个的有源表面上方延伸的堆积互连结构,以及形成作为堆积互连结构中的层的一部分的用于多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记,同时形成所述堆积互连结构的层。堆积互连结构的层可包括用于多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记和用于半导体器件的功能性二者。每个唯一识别标记可传达其相应的半导体裸芯的唯一标识。该方法还可包括将多个半导体裸芯单片化成多个半导体器件。

    标记半导体封装的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107112250A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580069079.6

    申请日:2015-12-16

    Inventor: C.M.斯坎伦

    Abstract: 本发明公开了一种制作半导体装置的方法,该方法可包括提供晶圆,该晶圆包括多个半导体晶粒,其中各半导体晶粒包括作用表面和与该作用表面相对的背侧。可用涂布机器将光敏层形成于该晶圆上方和该晶圆内的该多个半导体晶粒中的每一个的背侧上。可用数字曝光机器和显影剂在用于该多个半导体晶粒中的每一个的光敏层内形成识别标记,其中该识别标记的厚度小于或等于该光敏层的厚度的50%。该光敏层可被固化。可将该晶圆单切成多个半导体装置。

    标记半导体封装的方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107112250B

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201580069079.6

    申请日:2015-12-16

    Inventor: C.M.斯坎伦

    Abstract: 本发明公开了一种制作半导体装置的方法,该方法可包括提供晶圆,该晶圆包括多个半导体晶粒,其中各半导体晶粒包括作用表面和与该作用表面相对的背侧。可用涂布机器将光敏层形成于该晶圆上方和该晶圆内的该多个半导体晶粒中的每一个的背侧上。可用数字曝光机器和显影剂在用于该多个半导体晶粒中的每一个的光敏层内形成识别标记,其中该识别标记的厚度小于或等于该光敏层的厚度的50%。该光敏层可被固化。可将该晶圆单切成多个半导体装置。

    半导体器件和用于通过动态通孔剪切进行的板式封装的自适性图案化方法

    公开(公告)号:CN106465545B

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201580033193.3

    申请日:2015-06-11

    Abstract: 本发明描述了一种半导体器件,以及通过动态通孔剪切而进行的用于板式封装的自适性图案化的方法。可形成面板,所述面板包括围绕多个半导体裸片设置的包封材料。可测量所述面板内的所述多个半导体裸片各自的实际位置。可形成重分布导电层(RDL),所述重分布导电层包括与所述多个半导体裸片各自的所述实际位置对准的第一捕获焊盘。可形成多个第二捕获焊盘,所述多个第二捕获焊盘至少部分地设置在所述第一捕获焊盘上,且与所述多个半导体封装件各自的封装轮廓对准。可调整多个导电通孔的标称占位面积,以弥补每个半导体裸片与其对应封装轮廓之间的未对准。

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