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公开(公告)号：CN105531805A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480049462.0
申请日：2014-09-02
申请人： 同和金属技术有限公司
CPC分类号： H01L23/4924 , H01L21/4846 , H01L21/4878 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/498 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05644 , H01L2224/27442 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/29394 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/75315 , H01L2224/83009 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H05K1/053 , H05K3/3431 , H05K2203/0307 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 由铜或(在表面形成镀铜皮膜20的情况下)铝、或者铝合金形成的金属板10的一侧的主面上搭载有电子器件14的电子元件搭载基板的制造方法中，实施将金属板10的一侧的主面(或镀铜皮膜20的表面)(接合电子器件14的面)粗糙化为表面粗糙度为0.4μm以上的表面加工，在其主面(或镀铜皮膜20的表面)上涂布银糊料设置电子器件14后，将银糊料中的银烧结而形成银接合层12，通过该银接合层12将电子器件14接合在金属板10的一侧的主面(或镀铜皮膜20的表面)上。
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公开(公告)号：CN104139249A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410194323.9
申请日：2014-05-09
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 黄德起
IPC分类号： B23K35/24 , B23K35/363
CPC分类号： B23K35/025 , B22F1/0003 , B22F1/025 , B22F2998/10 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/36 , B23K35/3612 , C22C1/0425 , C22C1/0483 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/06102 , H01L2224/27442 , H01L2224/27849 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/29439 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/83801 , H01L2924/01322 , H05K3/3463 , H05K3/3484 , H05K2201/0272 , H01L2924/00 , B22F9/04 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
摘要： 本发明的实施方案涉及焊膏，其包含熔剂和与熔剂混合的粉末，所述粉末包含彼此混合的第一粉末和第二粉末。第一粉末包含锡(Sn)和溶于锡(Sn)中的至少一种金属，并且第二粉末包含其表面涂覆有银(Ag)的铜(Cu)粉。
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公开(公告)号：CN105531805B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480049462.0
申请日：2014-09-02
申请人： 同和金属技术有限公司
CPC分类号： H01L23/4924 , H01L21/4846 , H01L21/4878 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/498 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05644 , H01L2224/27442 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/29394 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/75315 , H01L2224/83009 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H05K1/053 , H05K3/3431 , H05K2203/0307 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 由铜或(在表面形成镀铜皮膜20的情况下)铝、或者铝合金形成的金属板10的一侧的主面上搭载有电子器件14的电子元件搭载基板的制造方法中，实施将金属板10的一侧的主面(或镀铜皮膜20的表面)(接合电子器件14的面)粗糙化为表面粗糙度为0.4μm以上的表面加工，在其主面(或镀铜皮膜20的表面)上涂布银糊料设置电子器件14后，将银糊料中的银烧结而形成银接合层12，通过该银接合层12将电子器件14接合在金属板10的一侧的主面(或镀铜皮膜20的表面)上。
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公开(公告)号：CN105632951A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510802140.5
申请日：2015-11-19
申请人： 贺利氏德国有限及两合公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/40 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/05624 , H01L2224/27003 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27438 , H01L2224/2744 , H01L2224/27442 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/40491 , H01L2224/45014 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48491 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84002 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2224/85002 , H01L2224/92246 , H01L2224/92247 , H01L2224/95001 , H01L2924/15787 , H01L2924/35 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L24/26
摘要： 本发明涉及具有衬底适配器的半导体元件及其制造方法和其接触方法。用于制造至少一个具有衬底适配器(35'、35”、35”')的半导体元件(10'、10”、10”')的方法，包括以下步骤：结构化导电金属元件(12)；将接触材料(11)施加在半导体元件(10)的第一侧面(13)，其中所述半导体元件(10)以第二侧面(14)布置在转运元件(20)上；定位结构化的金属元件(12)和半导体元件(10)，使得结构化的金属元件(12)的第一侧面(21)与设置有接触材料(11)的、半导体元件(10)的第一侧面(13)相对布置；以及将结构化的金属元件(12)与设置有接触材料(11)的半导体元件(10)接合。
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公开(公告)号：CN105405824A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510554070.6
申请日：2015-09-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： F.克勒纳
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/58
CPC分类号： H01L24/29 , B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/0244 , B23K35/302 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05647 , H01L2224/05747 , H01L2224/05893 , H01L2224/06181 , H01L2224/271 , H01L2224/2711 , H01L2224/2712 , H01L2224/27442 , H01L2224/2746 , H01L2224/276 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29157 , H01L2224/29193 , H01L2224/29247 , H01L2224/29271 , H01L2224/29393 , H01L2224/29447 , H01L2224/29471 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/831 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/83693 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及预制结构及其形成方法、和焊接半导体芯片布置的方法。用于焊接半导体芯片布置的预制结构包括碳纤维复合片以及在碳纤维复合片之上形成的焊料层。
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公开(公告)号：CN103988289A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280061980.5
申请日：2012-12-13
申请人： 旭化成电子材料株式会社
CPC分类号： H01L24/29 , C08K2201/001 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J2201/602 , C09J2205/102 , H01L23/3114 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/27442 , H01L2224/27901 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/29499 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81903 , H01L2224/83191 , H01L2224/83851 , H01L2224/9211 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , C09J7/00
摘要： 本发明提供能够在连接前检查连接部的、能够预测对于连接有贡献的导电性颗粒数、且连接时对准标记的识别性优异的带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片。一种带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片，其特征在于，前述带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片具有一面有多个电路电极的半导体芯片或晶片以及覆盖该电路电极的各向异性导电薄膜，该各向异性导电薄膜包含绝缘性树脂成分和导电性颗粒，并且该各向异性导电薄膜所含的导电性颗粒总数的60％以上存在于与该电路电极的平均高度相比为该各向异性导电薄膜的表面侧。
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公开(公告)号：CN105632954B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201510690155.7
申请日：2015-10-22
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2744 , H01L2224/27442 , H01L2224/27848 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29373 , H01L2224/2939 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/75252 , H01L2224/75315 , H01L2224/75343 , H01L2224/75745 , H01L2224/83048 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83207 , H01L2224/83208 , H01L2224/8322 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83986 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体芯片(1)和金属层(21)之间的材料配合的连接的方法。对此提供半导体芯片(1)、具有芯片装配部段(21c)的金属层(21)以及包含金属粉的连接剂(3)。金属粉在烧结过程中进行烧结。在此，在预定的烧结持续时间期间不间断地满足的要求是，连接剂(3)布置在半导体芯片(1)和金属层(21)之间并且连续地从半导体芯片(1)延伸直到金属化层(21)，半导体芯片(1)和金属层(21)在处在高于最小压力的压力区域中相互挤压，连接剂(3)保持在处在高于最小温度的温度区域中，并且声学信号(SUS)耦合到连接剂(3)。
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公开(公告)号：CN105405824B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201510554070.6
申请日：2015-09-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： F.克勒纳
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/58
CPC分类号： H01L24/29 , B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/0244 , B23K35/302 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05647 , H01L2224/05747 , H01L2224/05893 , H01L2224/06181 , H01L2224/271 , H01L2224/2711 , H01L2224/2712 , H01L2224/27442 , H01L2224/2746 , H01L2224/276 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29157 , H01L2224/29193 , H01L2224/29247 , H01L2224/29271 , H01L2224/29393 , H01L2224/29447 , H01L2224/29471 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/831 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/83693 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及预制结构及其形成方法、和焊接半导体芯片布置的方法。用于焊接半导体芯片布置的预制结构包括碳纤维复合片以及在碳纤维复合片之上形成的焊料层。
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公开(公告)号：CN105632954A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510690155.7
申请日：2015-10-22
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2744 , H01L2224/27442 , H01L2224/27848 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29373 , H01L2224/2939 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/75252 , H01L2224/75315 , H01L2224/75343 , H01L2224/75745 , H01L2224/83048 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83207 , H01L2224/83208 , H01L2224/8322 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83986 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/27505 , H01L2924/201 , H01L2924/3701
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体芯片(1)和金属层(21)之间的材料配合的连接的方法。对此提供半导体芯片(1)、具有芯片装配部段(21c)的金属层(21)以及包含金属粉的连接剂(3)。金属粉在烧结过程中进行烧结。在此，在预定的烧结持续时间期间不间断地满足的要求是，连接剂(3)布置在半导体芯片(1)和金属层(21)之间并且连续地从半导体芯片(1)延伸直到金属化层(21)，半导体芯片(1)和金属层(21)在处在高于最小压力的压力区域中相互挤压，连接剂(3)保持在处在高于最小温度的温度区域中，并且声学信号(SUS)耦合到连接剂(3)。
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公开(公告)号：CN102789966A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210157001.8
申请日：2012-05-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： 哈利勒·哈希尼 , 汉斯-约阿希姆·舒尔茨
CPC分类号： C23C4/005 , C23C4/01 , C23C4/08 , C23C4/134 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/741 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/03332 , H01L2224/03442 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05824 , H01L2224/05847 , H01L2224/05939 , H01L2224/05944 , H01L2224/05966 , H01L2224/05979 , H01L2224/0598 , H01L2224/05981 , H01L2224/0603 , H01L2224/27442 , H01L2224/29082 , H01L2224/292 , H01L2224/29324 , H01L2224/29347 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29466 , H01L2224/29479 , H01L2224/2948 , H01L2224/29481 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/45099 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及用于在基板上制造金属层的方法和器件。具体地，本发明提供了一种在半导体基板上制造金属层的方法。通过沉积金属颗粒在半导体基板上制造金属层。该金属颗粒包括由第一金属材料制成的核和包围该核的壳。该壳由抗氧化的第二金属材料制成。本发明还涉及一种用于制造半导体基板中的通孔的方法以及制造半导体芯片的方法。本发明还涉及一种半导体器件，其包括包含第一电极的半导体芯片；和施加于该半导体芯片的第一电极的金属颗粒。
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