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公开(公告)号：CN118908437A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410402683.7
申请日：2024-04-03
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种芯片封装用硫酸铜电镀液配制装置及方法，涉及芯片封装技术领域，其技术方案要点是：包括五水硫酸铜储罐、负压进料机、进料体积仓、电子秤、硫酸铜溶液配制槽、配制泵一、微孔过滤器一、树脂桶、电镀液配制槽、螺旋喷头、配制泵二、换热器、微孔过滤器二；五水硫酸铜储罐经负压进料机、进料体积仓、电子秤与硫酸铜溶液配制槽连接；硫酸铜溶液配制槽经过微孔过滤器一、树脂桶与电镀液配制槽连通，硫酸铜溶液在硫酸铜溶液配制槽配制后通过配制泵一加入电镀液配制槽；电镀液配制槽与配制泵二、换热器形成循环系统，并经微孔过滤器二进行电镀液充填。本发明的整套配制装置采用自动化仪表及逻辑控制，全流程可实现自动化与智能化操作。
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公开(公告)号：CN114341404B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202080062180.X
申请日：2020-09-02
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 弗雷德里克·迪恩·威尔莫特 , 罗伯特·拉什 , 尼马尔·尚卡尔·西格玛尼 , 加布里埃尔·格拉哈姆
摘要： 一种处理衬底的单元包括至少一个室壁、膜框架和膜。至少一个室壁布置成在衬底的保持器下方形成腔体。膜框架设置在至少一个室壁上并横跨腔体。膜由膜框架支撑并将第一电解质与第二电解质隔开。膜包括从腔体的中心以相对于参考平面的角度径向向外延伸的表面，并且其中该角度大于或等于0°且小于或等于3°。
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公开(公告)号：CN118854417A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411175963.5
申请日：2024-08-26
申请人： 苏州昊建自动化系统有限公司
摘要： 本发明涉及光伏电池技术领域，公开了一种电镀装置，包括：电镀槽，用于容纳电镀液，电镀槽具有电镀液进口；吊装机构和/或支撑结构，用于将电池片至少部分浸入到电镀液中，并使得电镀时电池片处于静止状态；匀流结构，设于电镀槽内，匀流结构分隔在电镀液进口与电镀槽的槽口之间，并设有多个匀流孔，电镀时，匀流结构位于电镀液进口与电池片之间。本发明实施例的电镀装置在使用过程中，电镀液在进入到电镀槽内时能够先穿过匀流结构上的匀流孔，从而提高电镀液的均匀性，使得电镀槽上部的电镀液的密度更加均匀，以使得电池片上沉镀的金属层更加均匀，能够提高电池片的合格率。
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公开(公告)号：CN118854398A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310480412.9
申请日：2023-04-28
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D7/12 , C25D19/00 , C25D17/00 , C25D21/04 , C25D21/00 , B08B3/02 , B08B11/00 , F26B5/08 , F26B25/00 , F26B21/14 , F26B21/00
摘要： 本发明提供了一种晶圆水平电镀和清洗一体化的工艺腔、设备及方法，其中，工艺腔包括从下至上设置的电镀区、甩干区、清洗区，电镀区内设置有氮气喷嘴，清洗区内设置有清洗液喷水口，且顶部设置有电镀头入口，电镀头入口的边沿设置有弹性密封结构，甩干区内设置中空环形的集液隔板，集液隔板的一端与工艺腔的侧腔壁连接，另一端的上部向上延伸至清洗区并与工艺腔的腔壁之间形成集液凹槽部，下部向下延伸至电镀区的顶部，其在向下延伸的路径上向工艺腔的腔壁方向弯曲以形成集液拱形面。本发明极大程度避免了晶圆电镀及清洗过程中被氧化的风险，有效隔绝空气与电镀原液接触，由此也实现了防止电镀液变质、消除电池腐蚀反应、提高电镀质量的技术效果。
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公开(公告)号：CN118854393A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410895665.7
申请日：2024-07-05
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明涉及电池栅线制备技术领域，具体涉及一种无掩模版的加成法制作太阳能电池金属栅线的方法及其应用，该方法是利用微阳极与作为阴极的太阳能电池板的表面之间形成电场，并使金属离子存在于该电场中，进而使得金属离子能够发生电化学沉积而形成金属栅线。该方法无需使用掩模版预先图形化，通过调控形成高度集中的电场，选择性地进行电化学沉积制备金属栅线，避免了掩模材料的使用，与传统贴干膜，曝光显影图形化配合后续电镀方式相比，本发明减少了制备工序，具有制备简单、生成效率高、成本低等优点，且电镀形成金属栅线具有更加优良的导电性。因此本发明的无掩模版的加成法制作太阳能电池金属栅线的方法能很好地应用于制备太阳能电池。
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公开(公告)号：CN118792717A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411110736.4
申请日：2024-08-14
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种选择性可控半导体器件电镀槽、电镀装置以及电镀方法，该电镀装置包括：电镀槽，挂具和控制系统；电镀槽的稳流板；变频泵浦，止流阀，上下镀区自动控制流量阀和上下镀区自动三通切换阀。控制系统通过变频泵浦调控电镀溶液总流量；自动三通切换阀自动切换电镀溶液的流向；自动控制流量阀选择控制电镀溶液流向不同镀区的电镀溶液分流量；实现同时处理具有不同电镀膜厚的不同区域的精密半导体器件电镀设备。本发明选择性可控电镀方法，对半导体器件选择性可控电镀效果优异、有利于实现高端半导体器件产品的精密电镀加工，提高生产效率，降低生产成本，满足半导体电子产业对高端精密电子材料不断增长的需求。
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公开(公告)号：CN118756273A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410826087.1
申请日：2022-04-28
申请人： 株式会社荏原制作所
摘要： 提供对基板高效地进行前置处理的预湿模块、脱气液循环系统和预湿方法。预湿模块(200)包括：脱气槽(210)，其收容脱气液；处理装置(258)，其包括喷嘴(268)，其对被处理面向上的基板的被处理面供给清洗液；基板保持架(220)，其具有配置于脱气槽与处理装置之间且保持第1基板的第1保持构件(222)和保持第2基板的第2保持构件(224)；以及驱动机构(230)，其使基板保持架旋转和升降，驱动机构(230)包括：旋转机构(240)，其使基板保持架在使第1基板的被处理面与脱气槽内的脱气液相向的第1状态和使第2基板的被处理面与脱气槽内的脱气液相向的第2状态之间旋转；和升降机构(248)，其使基板保持架升降。
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公开(公告)号：CN118704061A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410803225.4
申请日：2024-06-20
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于二维材料相关技术领域，其公开了一种二维贵金属硫属化合物晶圆级薄膜及其制备方法与应用，步骤为：首先，将单晶硅衬底放入贵金属前驱体与氢氟酸溶液混合形成的混合溶液中进行处理；之后，利用欠电位沉积法在所述单晶硅衬底上沉积贵金属原子，以得到原子级厚度的贵金属薄膜，进而将所述贵金属薄膜原位转化成贵金属硫属化合物薄膜。本发明采用欠电位沉积和原位转化工艺，利用贵金属与衬底间的高电势差，驱动贵金属原子在衬底表面自限制沉积，以欠电位沉积的贵金属薄膜为衬底，利用原位转化的气相沉积技术，获得高质量的晶圆级二维贵金属硫属化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN118280888B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410678853.4
申请日：2024-05-29
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法，包括锌置换模块；化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构；化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构；化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构，其中，第一个至第三个盛有含氰化学金镀液，第四个和第五个盛有无氰化学金镀液；直线天车系统，沿着制造系统的长度方向设置，以输送晶圆载板；分段设置的各类沉积机构使得每个电镀过程都能在最佳条件下进行，确保镀层的质量和一致性，减少单一电镀反应滞留时间，显著提高了生产效率和处理速度，实现了晶圆在整个电镀过程中的高效和精确处理；使用无氰结合含氰化学金镀液的策略减少了环境污染。
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