公开(公告)号：TWI594292B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW101102642

申请日：2012-01-20

申请人： EV集團E塔那有限公司 ,  EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： 普拉格 湯瑪斯 ,  PLACH, THOMAS ,  亨格爾 克特 ,  HINGERL, KURT ,  威普林格 馬克斯 ,  WIMPLINGER, MARKUS ,  伏洛傑恩 克里斯多夫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

公开(公告)号：TW201722718A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104142373

申请日：2015-12-16

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 黃翊皓 ,  HUANG, YI-HAO ,  周敏傑 ,  CHOU, MIN-CHIEH ,  張文鏵 ,  ZHANG, WEN-HUA ,  黃萌祺 ,  HUANG, MENG-CHI

IPC分类号： B32B15/01 ,  C23C16/00 ,  H01L23/373

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K20/002 ,  B23K20/026 ,  B23K20/233 ,  B23K2201/36 ,  B23K2203/12 ,  C23C28/321 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/56 ,  C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C25D5/505 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01017

摘要： 一種金屬貼片適用於連接一高功率元件與一基板。金屬貼片包括一中間金屬層、兩第一金屬層及兩第二金屬層。這些第一金屬層分別配置在中間金屬層的相對兩面上。中間金屬層位於這些第一金屬層之間。各第一金屬層的熔點大於攝氏800度。這些第二金屬層分別配置在這些第一金屬層上。中間金屬層及這些第一金屬層位於這些第二金屬層之間。各第二金屬層的材質包括銦錫合金。各第一金屬層能與對應的第二金屬層可經由固液擴散反應產生介金屬。

简体摘要： 一种金属贴片适用于连接一高功率组件与一基板。金属贴片包括一中间金属层、两第一金属层及两第二金属层。这些第一金属层分别配置在中间金属层的相对两面上。中间金属层位于这些第一金属层之间。各第一金属层的熔点大于摄氏800度。这些第二金属层分别配置在这些第一金属层上。中间金属层及这些第一金属层位于这些第二金属层之间。各第二金属层的材质包括铟锡合金。各第一金属层能与对应的第二金属层可经由固液扩散反应产生介金属。

公开(公告)号：TW201705368A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105109940

申请日：2016-03-29

申请人： 東麗工程股份有限公司 ,  TORAY ENGINEERING CO., LTD.

发明人： 朝日昇 ,  ASAHI, NOBORU ,  新井義之 ,  ARAI, YOSHIYUKI ,  宮本芳範 ,  MIYAMOTO, YOSHINORI ,  青木進平 ,  AOKI, SHIMPEI ,  仁村将次 ,  NIMURA, MASATSUGU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/78 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之目的在於提供一種可縮短使晶片零件積層所得之半導體裝置之製造時間並且抑制晶片零件間發生接合不良等之半導體裝置之製造方法、半導體安裝裝置及以半導體裝置之製造方法所製造之記憶體裝置。具體而言，本發明係將半導體晶圓W積層所得之半導體裝置1之製造方法，且包含：預壓接步驟，其係經由NCF而將複數片半導體晶圓W積層並加熱，且以針對每個晶片零件P所設置之貫通電極Pb之焊料Pa與鄰接之半導體晶圓W之貫通電極Pb之間隙落於特定範圍Gt以內之方式對半導體晶圓W進行加壓而製作預壓接積層體WL；切斷步驟，其係利用切割刀片18將預壓接積層體WL切斷而製作使晶片零件P積層所得之經預壓接之積層晶片零件PL；以及正式壓接步驟，其係將經預壓接之積層晶片零件PL加熱至焊料Pa之熔點以上並進行加壓而製作積層晶片零件PL。

简体摘要： 本发明之目的在于提供一种可缩短使芯片零件积层所得之半导体设备之制造时间并且抑制芯片零件间发生接合不良等之半导体设备之制造方法、半导体安装设备及以半导体设备之制造方法所制造之内存设备。具体而言，本发明系将半导体晶圆W积层所得之半导体设备1之制造方法，且包含：预压接步骤，其系经由NCF而将复数片半导体晶圆W积层并加热，且以针对每个芯片零件P所设置之贯通电极Pb之焊料Pa与邻接之半导体晶圆W之贯通电极Pb之间隙落于特定范围Gt以内之方式对半导体晶圆W进行加压而制作预压接积层体WL；切断步骤，其系利用切割刀片18将预压接积层体WL切断而制作使芯片零件P积层所得之经预压接之积层芯片零件PL；以及正式压接步骤，其系将经预压接之积层芯片零件PL加热至焊料Pa之熔点以上并进行加压而制作积层芯片零件PL。

公开(公告)号：TWI557208B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW102133766

申请日：2013-09-18

申请人： 迪睿合股份有限公司 ,  DEXERIALS CORPORATION

发明人： 佐藤宏一 ,  SATO, KOUICHI ,  阿久津恭志 ,  AKUTSU, YASUSHI

IPC分类号： C09J9/02 ,  C09J7/00 ,  C09J201/00 ,  C09J11/04 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  H01R43/00 ,  H01R11/01

CPC分类号： H01L24/28 ,  B29C59/02 ,  B29C71/04 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2059/028 ,  B29K2063/00 ,  B29L2009/003 ,  B29L2031/34 ,  B32B3/08 ,  B32B3/30 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/308 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B33/00 ,  B32B2255/205 ,  B32B2264/102 ,  B32B2264/104 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/706 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/202 ,  C08K3/08 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/602 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29195 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29391 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/29494 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81488 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/381 ,  Y10T156/1039 ,  Y10T428/24562 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/0105

公开(公告)号：TWI544662B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW099101815

申请日：2010-01-22

申请人： 日亞化學工業股份有限公司 ,  NICHIA CORPORATION

发明人： 藏本雅史 ,  KURAMOTO, MASAFUMI ,  小川悟 ,  OGAWA, SATORU ,  丹羽實輝 ,  NIWA, MIKI

IPC分类号： H01L33/48

CPC分类号： H01L33/641 ,  H01L21/187 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

公开(公告)号：TW201419457A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102133634

申请日：2013-09-17

申请人： 國立大學法人東北大學 ,  TOHOKU UNIVERSITY

发明人： 小柳光正 ,  KOYANAGI, MITSUMASA ,  田中徹 ,  TANAKA, TETSU ,  福島譽史 ,  FUKUSHIMA, TAKAFUMI

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  B23K20/002 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  H01L21/52 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/32 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75723 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81904 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/67

摘要： 本發明是一種晶片支持基板，具備有：親液性領域，形成於基板上且將晶片吸附；及電極，形成於前述基板上之前述親液性領域內，於前述晶片使靜電力發生。又，本發明是一種晶片支持方法，包含有以下步驟：於具備有形成於基板上之親液性領域、形成於前述基板上之前述親液性領域內之電極的晶片支持基板的前述親液性領域上，隔著液體配置晶片；藉由於前述電極施加電壓，於與前述電極對應之晶片使靜電力發生。

简体摘要： 本发明是一种芯片支持基板，具备有：亲液性领域，形成于基板上且将芯片吸附；及电极，形成于前述基板上之前述亲液性领域内，于前述芯片使静电力发生。又，本发明是一种芯片支持方法，包含有以下步骤：于具备有形成于基板上之亲液性领域、形成于前述基板上之前述亲液性领域内之电极的芯片支持基板的前述亲液性领域上，隔着液体配置芯片；借由于前述电极施加电压，于与前述电极对应之芯片使静电力发生。

公开(公告)号：TW201411870A

公开(公告)日：2014-03-16

申请号：TW102126157

申请日：2013-07-22

申请人： EV集團E塔那有限公司 ,  EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： 威普林格 馬克斯 ,  WIMPLINGER, MARKUS

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係關於一種將第一至少大致透明基材(1)之第一接觸區(3)接合至第二至少大致透明基材(2)之第二接觸區(4)之方法，在該等接觸區之至少一者上使用氧化物來進行接合，於該第一及第二接觸區(3、4)上由該氧化物形成至少大致透明之互連層(14)，其具有：至少10e1 S/cm2之電導率(測量：四點法，相對於300K之溫度)及大於0.8之光透射率(針對400 nm至1500 nm之波長範圍)。

简体摘要： 本发明系关于一种将第一至少大致透明基材(1)之第一接触区(3)接合至第二至少大致透明基材(2)之第二接触区(4)之方法，在该等接触区之至少一者上使用氧化物来进行接合，于该第一及第二接触区(3、4)上由该氧化物形成至少大致透明之互连层(14)，其具有：至少10e1 S/cm2之电导率(测量：四点法，相对于300K之温度)及大于0.8之光透射率(针对400 nm至1500 nm之波长范围)。

公开(公告)号：TW201250772A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW101102642

申请日：2012-01-20

申请人： EV集團E塔那有限公司

发明人： 普拉格 湯瑪斯 ,  亨格爾 克特 ,  威普林格 馬克斯 ,  伏洛傑恩 克里斯多夫

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

摘要： 本發明揭示一種將一第一基板(1)之一第一接觸表面(3)接合至一第二基板(2)之一第二接觸表面(4)之方法,該方法包含以下步驟,尤其包含以下順序:-於該第一接觸表面(3)之一表面層(6)中形成一貯液槽(5),-利用一第一離析物或一第一組離析物至少部分填充該貯液槽(5),-使該第一接觸表面(3)與該第二接觸表面(4)接觸以形成一預接合連接,-於該等第一與第二接觸表面(3、4)之間形成一永久接合,藉由使該第一離析物與該第二基板之一反應層(7)中含有之一第二離析物反應來至少部分强化該永久接合。

简体摘要： 本发明揭示一种将一第一基板(1)之一第一接触表面(3)接合至一第二基板(2)之一第二接触表面(4)之方法,该方法包含以下步骤,尤其包含以下顺序:-于该第一接触表面(3)之一表面层(6)中形成一贮液槽(5),-利用一第一离析物或一第一组离析物至少部分填充该贮液槽(5),-使该第一接触表面(3)与该第二接触表面(4)接触以形成一预接合连接,-于该等第一与第二接触表面(3、4)之间形成一永久接合,借由使该第一离析物与该第二基板之一反应层(7)中含有之一第二离析物反应来至少部分强化该永久接合。

公开(公告)号：TW201031730A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：TW098144704

申请日：2009-12-24

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 藤井智繪 ,  前島研三 ,  桂山悟

IPC分类号： C09J ,  H05K ,  H01L

CPC分类号： C09J171/00 ,  C08G2650/56 ,  C08L33/00 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/22 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/563 ,  H01L24/81 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H05K3/305 ,  H05K3/386 ,  Y02P70/613 ,  H01L2224/0401

摘要： 本發明的黏著膜,係含有:重量平均分子量未滿1,000的熱硬化性樹脂;成膜性樹脂;具有重量平均分子量較小於上述成膜性樹脂,且具有重量平均分子量較大於上述熱硬化性樹脂的寡聚物化合物;以及助焊劑活性化合物。

简体摘要： 本发明的黏着膜,系含有:重量平均分子量未满1,000的热硬化性树脂;成膜性树脂;具有重量平均分子量较小于上述成膜性树脂,且具有重量平均分子量较大于上述热硬化性树脂的寡聚物化合物;以及助焊剂活性化合物。

公开(公告)号：TWI328867B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：TW093126420

申请日：2004-09-01

申请人： 萬國商業機器公司

发明人： H 伯納哈德 帕葛 ,  晨卓卡 普拉薩 ,  游羅伊

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/24 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/562 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05599

摘要： 本發明描述一種形成一整合式結構之方法，該結構包括一半導體裝置及連結至一主機板之多個連結器。在一可讓消熔輻射透過之板上形成一第一層，且在該半導體裝置上形成一第二層。該第一層具有連結至結合焊墊(bonding pad)之第一組導體，該等結合焊墊根據一至主機板之連結之所需間隔以一第一間隔距離間隔。該第二層具有連結至該半導體裝置之第二組導體。該第一層及第二層係使用一具有比結合焊墊之間隔更小之間隔的間柱/通道連結器來連結。該半導體裝置依此方式附著至第一層，且該等第一組及第二組導體則係利用該等間柱連結。藉由透射穿過該板之消熔輻射來消熔第一層與該板之間的介面，藉此分離該板。接著將該等連結器結構附著至該等結合焊墊。藉此方法可以降低的成本製造一高密度封裝裝置。

简体摘要： 本发明描述一种形成一集成式结构之方法，该结构包括一半导体设备及链接至一主板之多个链接器。在一可让消熔辐射透过之板上形成一第一层，且在该半导体设备上形成一第二层。该第一层具有链接至结合焊垫(bonding pad)之第一组导体，该等结合焊垫根据一至主板之链接之所需间隔以一第一间隔距离间隔。该第二层具有链接至该半导体设备之第二组导体。该第一层及第二层系使用一具有比结合焊垫之间隔更小之间隔的间柱/信道链接器来链接。该半导体设备依此方式附着至第一层，且该等第一组及第二组导体则系利用该等间柱链接。借由透射穿过该板之消熔辐射来消熔第一层与该板之间的界面，借此分离该板。接着将该等链接器结构附着至该等结合焊垫。借此方法可以降低的成本制造一高密度封装设备。