半導體裝置及其形成方法
    40.
    发明专利
    半導體裝置及其形成方法 审中-公开
    半导体设备及其形成方法

    公开(公告)号:TW201611134A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:TW104126411

    申请日:2015-08-13

    摘要: 提供第一基板附著至第二基板之方法及裝置。在一些實施方式中,第一基板具有保護層,如焊罩(solder mask),其圍繞第二基板所附著之晶粒附著區域(die attach area)。排除區域(keep-out region)(例如第二基板與保護層間之區域)為一個區域圍繞未形成或移除保護層之第二基板。排除區域的尺寸大小使第二基板與保護層間存在足夠的間隔,以放置底部填膠(underfill)於第一基板與第二基板之間,同時降低或避免空隙,且同時允許排除區域中之導線藉由底部填膠而覆蓋。

    简体摘要: 提供第一基板附着至第二基板之方法及设备。在一些实施方式中,第一基板具有保护层,如焊罩(solder mask),其围绕第二基板所附着之晶粒附着区域(die attach area)。排除区域(keep-out region)(例如第二基板与保护层间之区域)为一个区域围绕未形成或移除保护层之第二基板。排除区域的尺寸大小使第二基板与保护层间存在足够的间隔,以放置底部填胶(underfill)于第一基板与第二基板之间,同时降低或避免空隙,且同时允许排除区域中之导线借由底部填胶而覆盖。