公开(公告)号：US5730601A

公开(公告)日：1998-03-24

申请号：US613348

申请日：1996-03-11

申请人： Christopher N. Bowman ,  Kristi S. Anseth ,  Anandkumar R. Kannurpatti ,  Michael D. Goodner

发明人： Christopher N. Bowman ,  Kristi S. Anseth ,  Anandkumar R. Kannurpatti ,  Michael D. Goodner

IPC分类号： A61K6/083 ,  A61C5/00

CPC分类号： A61K6/083

摘要： A composition for use in dental treatments of damaged or diseased teeth is provided. The composition comprises a combined filler material, photoinitiator and comonomer resin mixture polymerizable upon incidence of light. The comonomer resin mixture comprises a comonomer resin blend comprising at least two monomers from the same monomer series with at least a first monomer having a first molecular weight and a second monomer having a second molecular weight with the second molecular weight being greater than the first molecular weight of the first monomer. The comonomer resin mixture further comprises a third monomer combined with the comonomer resin blend.

摘要翻译： 提供了一种用于牙齿治疗受损或患齿的组合物。 组合物包含组合的填充材料，光引发剂和共聚单体树脂混合物在光入射时可聚合。 共聚单体树脂混合物包括共聚单体树脂混合物，其包含至少两种与至少第一分子量的第一单体相同的单体系列的单体和具有第二分子量的第二单体，第二分子量大于第一分子量 第一单体的重量。 共聚单体树脂混合物还包含与共聚单体树脂共混物组合的第三单体。

公开(公告)号：US07452728B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US10850414

申请日：2004-05-20

申请人： Bob E. Leet ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Michael L. McSwiney

发明人： Bob E. Leet ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Michael L. McSwiney

IPC分类号： G01N33/20

CPC分类号： C02F1/683 ,  C02F1/26 ,  C02F1/30 ,  C02F1/32 ,  C02F2101/20 ,  C22B3/0097 ,  C22B3/24 ,  Y02P10/234 ,  Y02W10/37 ,  Y10T436/25375

摘要： Methods and systems for the concentration and removal of metal ions from aqueous solutions are described, comprising treating the aqueous solutions with photoswitchable ionophores.

摘要翻译： 描述了从水溶液中浓缩和去除金属离子的方法和系统，包括用可光开关的离子载体处理水溶液。

公开(公告)号：US07439179B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11159506

申请日：2005-06-22

申请人： Michael D. Goodner

发明人： Michael D. Goodner

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234

摘要： A method for healing detrimental bonds in deposited materials, for example porous, low-k dielectric materials, including oxydatively processing a deposited material, processing the deposited material with a trialkyl group III compound, and processing in the presence of an alcohol. Also included in embodiments of the invention are materials with bonds healed by embodiments of the claimed method.

摘要翻译： 一种用于在沉积材料中修复有害键的方法，例如多孔，低k电介质材料，包括氧化处理沉积材料，用三烷基III族化合物处理沉积材料，以及在醇存在下加工。 还包括在本发明的实施方案中的是具有通过所要求保护的方法的实施方案治愈的结合的材料。

公开(公告)号：US20080054416A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11516288

申请日：2006-09-06

申请人： Michael D. Goodner ,  Kevin J. Lee

发明人： Michael D. Goodner ,  Kevin J. Lee

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165

摘要： Embodiments of buffer coatings for semiconductor and integrated circuit manufacturing are presented herein.

摘要翻译： 本文介绍了用于半导体和集成电路制造的缓冲涂层的实施例。

公开(公告)号：US06893985B2

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US10403532

申请日：2003-03-31

申请人： Michael D. Goodner

发明人： Michael D. Goodner

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02118 ,  G03F7/0015 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/165 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682

摘要： A dielectric layer on a semiconductor substrate is made porous by radiation with UV light. The dielectric material contains a photosensitive moiety that absorbs UV radiation and dissociates from the dielectric material. The UV-activated material then may be diffused to create pores in the dielectric layer, and to provide a dielectric layer having a low dielectric constant.

公开(公告)号：US06566280B1

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US10227678

申请日：2002-08-26

申请人： Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner

发明人： Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

摘要： Polymer features may be formed on a substrate by applying a polymer to a photoresist pattern which is subsequently removed to generate the desired polymer features.

摘要翻译： 聚合物特征可以通过将聚合物施加到光致抗蚀剂图案上而在基底上形成，随后将其除去以产生所需的聚合物特征。

公开(公告)号：US07658975B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US10735122

申请日：2003-12-12

申请人： Grant Kloster ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Kevin P. O'brien

发明人： Grant Kloster ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Kevin P. O'brien

IPC分类号： B05D5/00 ,  B05D1/40

CPC分类号： B32B3/26 ,  B32B2310/12 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/76814 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249993 ,  Y10T428/31663

摘要： Method and structure for minimizing the downsides associated with microelectronic device processing adjacent porous dielectric materials are disclosed. In particular, chemical protocols are disclosed wherein porous dielectric materials may be sealed by attaching coupling agents to the surfaces of pores. The coupling agents may form all or part of caps on reactive groups in the dielectric surface or may crosslink to seal pores in the dielectric.

摘要翻译： 公开了用于最小化与邻近多孔电介质材料的微电子器件处理有关的缺点的方法和结构。 特别地，公开了化学方案，其中可以通过将偶联剂附着到孔的表面来密封多孔介电材料。 偶联剂可以在电介质表面中的反应性基团上形成全部或部分盖，或者可以交联以密封电介质中的孔。

公开(公告)号：US07595555B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11360097

申请日：2006-02-22

申请人： James S. Clarke ,  Michael D. Goodner

发明人： James S. Clarke ,  Michael D. Goodner

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming air gaps surrounding conductors in a dielectric layer, the dielectric layer comprising, for example, part of the interconnect structure of an integrated circuit device. The air gaps are formed, in part, by depositing a sacrificial material within a trench and/or via that have been formed in a dielectric layer, and the sacrificial material is ultimately removed after metal deposition to create the air gaps. A porous dielectric cap may be deposited over the dielectric layer, and the sacrificial material may be removed through this porous dielectric layer. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 在介电层中形成围绕导体的空气间隙的方法，该介电层包括例如集成电路器件的互连结构的一部分。 气隙部分地通过在已经形成在电介质层中的沟槽和/或通孔内沉积牺牲材料而形成，并且在金属沉积之后最终去除牺牲材料以产生气隙。 可以在电介质层上沉积多孔电​​介质盖，并且可以通过该多孔介电层去除牺牲材料。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20080026318A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11495368

申请日：2006-07-27

申请人： Kurt Schultz ,  Kevin J. Lee ,  Michael D. Goodner ,  Shane Nolen

发明人： Kurt Schultz ,  Kevin J. Lee ,  Michael D. Goodner ,  Shane Nolen

IPC分类号： G03C1/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： H01L24/11 ,  G03F7/0047 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A composite photoresist comprises a photoresist material and a filler material dispersed within the photoresist material, wherein the filler material includes a plurality of nanoparticles. The photoresist material may comprise an acrylic-based photoresist, a novolak-based photoresist, a polyhydroxystyrene-based photoresist, a SLAM, or a BARC. The filler material may comprise base-soluble styrene-butadiene rubber nanospheres, nitrile-butadiene rubber nanospheres, polystyrene-based nanoparticles, acrylic-based nanoparticles, or inorganic nanoparticles. The nanoparticles may have an average diameter that is between around 10 nm and around 1000 nm and may have a loading in the photoresist material that is between around 5% and 50%. The composite photoresist may be used to form die-side metal bumps for use in a C4 connection that have a roughened sidewall surface but a smooth top surface.

摘要翻译： 复合光致抗蚀剂包括光致抗蚀剂材料和分散在光致抗蚀剂材料内的填充材料，其中填充材料包括多个纳米颗粒。 光致抗蚀剂材料可以包括基于丙烯酸的光致抗蚀剂，酚醛清漆型光致抗蚀剂，聚羟基苯乙烯类光致抗蚀剂，SLAM或BARC。 填料可以包括可溶的苯乙烯 - 丁二烯橡胶纳米球，腈 - 丁二烯橡胶纳米球，基于聚苯乙烯的纳米颗粒，基于丙烯酸的纳米颗粒或无机纳米颗粒。 纳米颗粒的平均直径可以在约10nm至约1000nm之间，并且可以在光致抗蚀剂材料中具有介于约5％和50％之间的负载。 复合光致抗蚀剂可用于形成用于具有粗糙侧壁表面但具有光滑顶表面的C4连接中的模头侧金属凸块。

公开(公告)号：US07303989B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US10995925

申请日：2004-11-22

申请人： Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Michael D. Goodner

发明人： Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Michael D. Goodner

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for impregnating the pores of a zeolite low-k dielectric layer with a polymer, and forming an interconnect structure therein, thus mechanically strengthening the dielectric layer and preventing metal deposits within the pores.

摘要翻译： 用聚合物浸渍沸石低k电介质层的孔，并在其中形成互连结构的方法，从而机械地增强电介质层并防止孔内的金属沉积。