公开(公告)号：US6143063A

公开(公告)日：2000-11-07

申请号：US128058

申请日：1998-08-03

申请人： Shinichiro Hayashi ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

发明人： Shinichiro Hayashi ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

IPC分类号： B05D7/00 ,  B05D1/00 ,  B05D3/04 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24 ,  C23C8/10 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L27/115 ,  H01L39/24 ,  H01L41/24 ,  H05K3/10 ,  C09D5/00

CPC分类号： H01L21/31691 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  B05D3/062 ,  B05D3/065 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C23C8/10 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/314 ,  H01L28/55 ,  H05K3/105 ,  Y10S427/101

摘要： A substrate is located within a deposition chamber, the substrate defining a substrate plane. A liquid precursor is misted by ultrasonic or venturi apparatus, to produce a colloidal mist. The mist is generated, allowed to settle in a buffer chamber, filtered through a system up to 0.01 micron, and flowed into the deposition chamber between the substrate and barrier plate to deposit a liquid layer on the substrate. The liquid is dried to form a thin film of solid material on the substrate, which is then incorporated into an electrical component of an integrated circuit.

公开(公告)号：US5966318A

公开(公告)日：1999-10-12

申请号：US768256

申请日：1996-12-17

申请人： O. Glenn Ramer ,  John J. Drab ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

发明人： O. Glenn Ramer ,  John J. Drab ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11C11/22 ,  G11C11/223

摘要： A memory includes a bitline data signal input (24), at least one memory unit (20), a writing circuit (128) which writes a polarization state into each memory unit (20) responsive to the bitline data signal input, and a sensing circuit (130) that senses a polarization state of each memory unit (20). Each memory unit (20) includes a ferroelectric capacitor (22) and a buffer amplifier (26) in electrical series relationship with the ferroelectric capacitor (22) and the bitline data signal input (24). The buffer amplifier (26) capacitively isolates the ferroelectric capacitor (22) from the bitline data signal input (24) so that the ferroelectric capacitor (22) may be made smaller in size than would otherwise be the case.

摘要翻译： 存储器包括位线数据信号输入（24），至少一个存储器单元（20），写入电路（128），其响应于位线数据信号输入将偏振状态写入每个存储器单元（20），以及感测 检测每个存储器单元（20）的偏振状态的电路（130）。 每个存储单元（20）包括与强电介质电容器（22）和位线数据信号输入端（24）呈电串联关系的铁电电容器（22）和缓冲放大器（26）。 缓冲放大器（26）将铁电电容器（22）与位线数据信号输入（24）电容性地隔离，使得铁电电容器（22）的尺寸可以比其他情况更小。

公开(公告)号：US5962085A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US610330

申请日：1996-03-04

申请人： Shinichiro Hayashi ,  Larry D. McMillan ,  Masamichi Azuma ,  Carlos A. Paz de Araujo

发明人： Shinichiro Hayashi ,  Larry D. McMillan ,  Masamichi Azuma ,  Carlos A. Paz de Araujo

IPC分类号： B05D1/00 ,  B05D3/04 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24 ,  C23C8/10 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L27/115 ,  H01L39/24 ,  H01L41/24 ,  H05K3/10 ,  C23C8/00

CPC分类号： H01L21/02197 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  B05D3/062 ,  B05D3/065 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C23C8/10 ,  C30B29/68 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/314 ,  H01L28/55 ,  H01L41/1871 ,  H05K3/105

摘要： A substrate is located within a deposition chamber, the substrate defining a substrate plane. A barrier plate is disposed in spaced relation above the substrate and substantially parallel thereto, the area of said barrier plate in a plane parallel to said substrate being substantially equal to said area of said substrate in said substrate plane, i.e. within 10% of said substrate area. The barrier plate has a smoothness tolerance of 5% of the average distance between said barrier plate and said substrate. A mist is generated, allowed to settle in a buffer chamber, filtered through a 1 micron filter, and flowed into the deposition chamber between the substrate and barrier plate to deposit a liquid layer on the substrate. The liquid is dried to form a thin film of solid material on the substrate, which is then incorporated into an electrical component of an integrated circuit.

摘要翻译： 衬底位于沉积室内，衬底限定衬底平面。 阻挡板以与衬底相对的基本平行的方式设置成隔开关系，所述阻挡板在平行于所述衬底的平面中的面积基本上等于所述衬底平面中所述衬底的所述面积，即在所述衬底的10％内 区。 阻挡板具有所述阻挡板和所述基板之间的平均距离的5％的平滑度公差。 产生雾，允许沉淀在缓冲室中，通过1微米过滤器过滤，并流入基板和阻挡板之间的沉积室，以在基板上沉积液体层。 将液体干燥以在基板上形成固体材料的薄膜，然后将其并入集成电路的电气部件中。

公开(公告)号：US5888583A

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：US376429

申请日：1995-01-23

申请人： Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Tommy L. Roberts

发明人： Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Tommy L. Roberts

IPC分类号： B05D1/00 ,  B05D3/04 ,  B05D7/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L27/115 ,  H01L41/24 ,  H05K3/10 ,  B05D5/12 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4558 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B29/68 ,  C30B7/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/314 ,  H01L28/55 ,  H05K3/105 ,  Y10S427/101

摘要： A method and apparatus are disclosed for forming thin films of chemical compounds utilized in integrated circuits. The method includes steps forming a precursor liquid comprising a chemical compound in a solvent, providing a substrate within a vacuum deposition chamber, producing a mist of the precursor liquid, and flowing the mist into the deposition chamber while maintaining the chamber at ambient temperature to deposit a layer of the precursor liquid on the substrate. The liquid is dried to form a thin film of a solid material on the substrate, then the integrated circuit is completed to include at least a portion of the film of solid material in a component of the integrated circuit.

摘要翻译： 公开了用于形成集成电路中使用的化学化合物的薄膜的方法和装置。 该方法包括在溶剂中形成包含化合物的前体液体的步骤，在真空沉积室内提供衬底，产生前体液体的雾，并将雾流入沉积室，同时将室保持在环境温度以沉积 衬底上的前体液体层。 将液体干燥以在基板上形成固体材料的薄膜，然后完成集成电路以将集成电路的部件中的固体材料膜的至少一部分包括在内。

公开(公告)号：US5788757A

公开(公告)日：1998-08-04

申请号：US770991

申请日：1996-12-23

申请人： Hiroto Uchida ,  Nobuyuki Soyama ,  Kensuke Kageyama ,  Katsumi Ogi ,  Jeffrey W. Bacon ,  Michael C. Scott ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

发明人： Hiroto Uchida ,  Nobuyuki Soyama ,  Kensuke Kageyama ,  Katsumi Ogi ,  Jeffrey W. Bacon ,  Michael C. Scott ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

IPC分类号： C01B13/32 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C23C18/12 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  C07F19/00 ,  C07F3/00 ,  C07F9/00 ,  C07F9/94

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C18/1279

摘要： A metal organic liquid precursor solution includes metal organic complexes dispersed in an ester solvent. The ester solvent has medium length carbon chains to prevent the precipitation of strongly electropositive metals in solution. A liquid precursor solution is used to make thin film metal oxides of uniform thickness and consistent quality.

摘要翻译： 金属有机液体前体溶液包括分散在酯溶剂中的金属有机配合物。 酯溶剂具有中等长度的碳链以防止溶液中强正电性金属的沉淀。 使用液体前体溶液制备厚度均匀且品质一致的薄膜金属氧化物。

公开(公告)号：US5759923A

公开(公告)日：1998-06-02

申请号：US615806

申请日：1996-03-14

申请人： Larry D. McMillan ,  Michael C. Scott ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Tatsuo Otsuki ,  Shinichiro Hayashi

发明人： Larry D. McMillan ,  Michael C. Scott ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Tatsuo Otsuki ,  Shinichiro Hayashi

IPC分类号： B05D1/00 ,  B05D3/04 ,  B05D7/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L27/115 ,  H01L41/24 ,  H05K3/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/316 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B29/68 ,  C30B7/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/316 ,  H01L28/55 ,  H05K3/105

摘要： A precursor liquid comprising silicon in a xylenes solvent is prepared, a substrate is placed within a vacuum deposition chamber, the precursor liquid is misted, and the mist is flowed into the deposition chamber while maintaining the chamber at ambient temperature to deposit a layer of the precursor liquid on the substrate. The liquid is dried, baked, and annealed to form a thin film of silicon dioxide or silicon glass on the substrate. Then an integrated circuit is completed to include at least a portion of the silicon dioxide or silicon glass layer as an insulator for an electronic device in the integrated circuit.

摘要翻译： 制备在二甲苯溶剂中包含硅的前体液体，将基底放置在真空沉积室内，使前体液体雾化，并将雾流入沉积室，同时将室保持在环境温度以沉积一层 前体液体在基底上。 将液体干燥，烘烤和退火以在基底上形成二氧化硅或硅玻璃的薄膜。 然后，完成集成电路以将至少一部分二氧化硅或硅玻璃层作为集成电路中的电子器件的绝缘体。

公开(公告)号：US5723171A

公开(公告)日：1998-03-03

申请号：US772606

申请日：1996-12-23

申请人： Joseph D. Cuchiaro ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

发明人： Joseph D. Cuchiaro ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

IPC分类号： H01L23/52 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  B05D5/06

CPC分类号： H01L27/11502 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/55

摘要： An electrode for a ferroelectric electronic device is formed on an SiO.sub.2 isolation layer by depositing an adhesion layer, such as titanium, between about 25 .ANG. and 500 .ANG. thick, then a layer of a nobel metal, such as platinum, that is at least 10 times thicker than the adhesion layer. The electrode is then annealed at a temperature higher than the minimum oxide eutectic temperature of the adhesion layer. The electrode is moved into the annealing furnace at a ramp rate such that it reaches its anneal temperature in five minutes or less. The relative thinness of the adhesion layer and the quick ramp up of the anneal causes all the titanium to be tied up in the oxide before it can diffuse through the platinum, and prevents the formation of rutile phases of the titanium and defects such as voids and hillocks in the platinum, which can destabilize the electrode.

摘要翻译： 用于铁电电子器件的电极通过在约25至500厚之间沉积诸如钛之类的粘合层，然后将诸如铂的诺贝尔金属层，至少为10埃，形成在SiO 2隔离层上 比粘合层厚。 然后将电极在高于粘附层的最小氧化物共晶温度的温度下退火。 电极以升高速度移动到退火炉中，使其在5分钟或更短时间内达到其退火温度。 粘合层的相对薄度和退火的快速上升导致所有的钛在氧化物中被扩散通过铂之前被束缚在其中，并且防止了钛的金红石相的形成以及诸如空隙和缺陷的缺陷 白金中的小丘，可能会使电极不稳定。

公开(公告)号：US5699035A

公开(公告)日：1997-12-16

申请号：US408723

申请日：1995-03-22

申请人： Takeshi Ito ,  Shuzo Hiraide ,  Michael C. Scott ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Larry D. McMillan

发明人： Takeshi Ito ,  Shuzo Hiraide ,  Michael C. Scott ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Larry D. McMillan

IPC分类号： C23C18/12 ,  C30B7/00 ,  H01C7/10 ,  H01C7/112 ,  H01C17/075 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L27/108

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1295 ,  C30B29/68 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01C17/075 ,  H01C7/1013 ,  H01C7/112 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L28/55

摘要： A thin-film zinc oxide varistor (10) for use in integrated circuits and the like is produced by applying a polyoxyalkylated metal complex, such as a metal alkoxycarboxylate, to a substrate (12, 14, and 16) for the formation of a dried nonohmic layer (18). The method of production includes the steps of providing a substrate and a precursor solution including a polyoxyalkylated zinc complex (P22, P24), coating a portion of the substrate with the precursor solution (P26), drying the coated substrate (P32), and crystallizing the dried thin-film zinc oxide layer (P30). The resultant crystalline zinc oxide varistor layer (18) may be doped with bismuth, yttrium, praseodymium, cobalt, antimony, manganese, silicon, chromium, titanium, potassium, dysprosium, cesium, cerium, and iron to provide a non-ohmic varistor. The varistor layer (10) is annealed at a temperature ranging from about 400 to about 1000.degree. C. to provide a layer having a thickness ranging from about 50 nanometers to about 500 nanometers and an average grain size diameter less than about 200 nanometers.

摘要翻译： 用于集成电路等的薄膜氧化锌变阻器（10）通过将诸如金属烷氧基羧酸盐的聚氧化烷基化金属络合物施加到基底（12,14和16）上来制备，以形成干燥 非欧姆层（18）。 制造方法包括以下步骤：提供包含聚氧化烷基化锌络合物（P22，P24）的基材和前体溶液，用前体溶液（P26）涂布基材的一部分，干燥涂布的基材（P32），使结晶 干燥的薄膜氧化锌层（P30）。 所得结晶氧化锌变阻器层（18）可掺杂铋，钇，镨，钴，锑，锰，硅，铬，钛，​​钾，镝，铯，铈和铁，以提供非欧姆变阻器。 压敏电阻层（10）在约400至约1000℃的温度下退火，以提供厚度范围为约50纳米至约500纳米，平均粒径直径小于约200纳米的层。

公开(公告)号：US5559260A

公开(公告)日：1996-09-24

申请号：US477068

申请日：1995-06-07

申请人： Michael C. Scott ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Larry D. McMillan

发明人： Michael C. Scott ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Larry D. McMillan

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/14 ,  C30B7/00 ,  H01C7/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  C07F5/00 ,  C07F7/22

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/14 ,  C30B29/68 ,  C30B7/00 ,  H01C7/1013 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3243 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/72 ,  H01L28/55

摘要： A precursor is made by mixing a metal alkoxycarboxylate-containing liquid with a 2-ethylhexanoic acid in an effective amount for shelf-stabilizing said liquid by substituting 2-ethylhexanoate ligands for alkoxide ligands, thereby forming a mixture, and heating said mixture to substitute said carboxylate ligands for said alkoxide ligands. Specficially, a barium strontium titanate precursor and a strontium bismuth tantalate precursor are made by combining polyoxyalkylated metal moieties to form a liquid solution in which the metal atoms bond with an oxygen atom in a ligand selected from a ligand group consisting of alkoxides and carboxylates, then then heating the liquid solution.

摘要翻译： 通过将2-乙基己酸配体取代醇盐配体，通过将有效量的含有金属烷氧基羧酸盐的液体与2-乙基己酸混合，使所述液体稳定化，从而形成混合物，并加热所述混合物以代替所述 所述醇盐配体的羧酸盐配体。 具体地说，通过将聚氧烷基化金属部分组合形成液态溶液，其中金属原子与选自由醇盐和羧酸盐构成的配体组成的配位体中的氧原子键合的液体溶液制成钛酸锶钡前体和钽酸锶钡前体，然后 然后加热液体溶液。

公开(公告)号：US5138520A

公开(公告)日：1992-08-11

申请号：US690940

申请日：1991-06-17

申请人： Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

发明人： Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C30B7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/4558 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C30B29/68 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： Methods and apparatus for depositing thin films of complex (compound) materials, including ferroelectrics, superconductors, and materials with high dielectric constants by photo/plasma-enhanced chemical vapor deposition from stabilized compound sources. Multiple heating and/or spectral energy sources are used for applying high energy, rapid thermal pulses in a precise timed sequence. Sol-gels of compound sources are ultrasonically atomized before being introduced to the deposition chamber.

摘要翻译： PCT No.PCT / US89 / 05882 Sec。 371日期1991年6月17日 102（e）日期1991年6月17日PCT提交1989年12月27日PCT公布。 公开号WO90 / 07390 日本1990年7月12日。用于通过来自稳定化合物源的光/等离子体增强化学气相沉积沉积复合（复合）材料的薄膜的方法和装置，包括铁电体，超导体和具有高介电常数的材料。 多个加热和/或光谱能量源用于以精确的定时序列施加高能，快速热脉冲。 复合源的溶胶凝胶在被引入沉积室之前被超声波雾化。