公开(公告)号：US07898080B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US11464958

申请日：2006-08-16

申请人： Ralf Otremba

发明人： Ralf Otremba

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A power semiconductor device has a power field effect transistors connected in a bridge circuit (16), parallel circuit or series circuit (18), the power semiconductor device (30) having a base power semiconductor chip (1) with large-area external contacts (S1, D1) on the top side (31) and rear side (32) and carrying at least one stacked power semiconductor chip (2). The stacked power semiconductor chip (2) is surface-mounted with at least one large-area external electrode (D2) on a correspondingly large-area external electrode (S1) of the top side (31) of the base power semiconductor chip (1). At least one metallic structured spacer (33) is arranged between the surface-mounted external electrodes (S1, D2) of the base power semiconductor chip (1) and the stacked power semiconductor chip (2). The structure of the spacer (33) has at least one cutout (34) for a non-surface-mountable connecting element (35) of the base power semiconductor chip (1).

摘要翻译： 功率半导体器件具有连接在桥式电路（16），并联电路或串联电路（18）中的功率场效应晶体管，功率半导体器件（30）具有基极功率半导体芯片（1），具有大面积的外部触点 （31）和后侧（32）上的（S1，D1）并且承载至少一个堆叠的功率半导体芯片（2）。 堆叠式功率半导体芯片（2）在基极功率半导体芯片（1）的顶侧（31）的相应的大面积外部电极（S1）上表面安装有至少一个大面积外部电极（D2） ）。 在基底功率半导体芯片（1）的表面安装的外部电极（S1，D2）和堆叠的功率半导体芯片（2）之间布置有至少一个金属结构间隔物（33）。 间隔件（33）的结构具有用于基底功率半导体芯片（1）的非表面安装的连接元件（35）的至少一个切口（34）。

公开(公告)号：US07893545B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US11779731

申请日：2007-07-18

申请人： Ralf Otremba

发明人： Ralf Otremba

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A module including a carrier and a semiconductor chip applied to the carrier. An external contact element is provided having a first portion and a second portion extending perpendicular to the first portion, wherein a thickness of the second portion is smaller than a thickness of the carrier.

摘要翻译： 包括载体和应用于载体的半导体芯片的模块。 提供外部接触元件，其具有垂直于第一部分延伸的第一部分和第二部分，其中第二部分的厚度小于载体的厚度。

公开(公告)号：US07880280B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US11675924

申请日：2007-02-16

申请人： Ralf Otremba

发明人： Ralf Otremba

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/52 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An electronic component has at least two semiconductor devices, a contact clip and a leadframe with a device carrier portion and a plurality of leads. The contact clip extends between the first side of at least two semiconductor devices and at least one lead of the leadframe to electrically connect a load electrode of the at least two semiconductor devices to at least one lead.

摘要翻译： 电子部件具有至少两个半导体器件，接触夹和具有器件载体部分和多个引线的引线框架。 接触夹在至少两个半导体器件的第一侧和引线框的至少一个引线之间延伸，以将至少两个半导体器件的负载电极电连接到至少一个引线。

公开(公告)号：US20100297810A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12850902

申请日：2010-08-05

申请人： Ralf Otremba ,  Helmut Strack

发明人： Ralf Otremba ,  Helmut Strack

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/24 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L25/071 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A power semiconductor device and a method for its production. The power semiconductor device has at least one power semiconductor chip, which has on its top side and on its back side large-area electrodes. The electrodes are electrically in connection with external contacts by means of connecting elements, the power semiconductor chip and the connecting elements being embedded in a plastic package. This plastic package has a number of layers of plastic, which are pressed one on top of the other and have plane-parallel upper sides. The connecting elements are arranged on at least one of the plane-parallel upper sides, between the layers of plastic pressed one on top of the other, as a patterned metal layer and are electrically in connection with the external contacts by means of contact vias through at least one of the layers of plastic.

摘要翻译： 一种功率半导体器件及其制造方法。 功率半导体器件具有至少一个功率半导体芯片，其在其顶侧和其后侧具有大面积电极。 电极通过连接元件与外部触点电连接，功率半导体芯片和连接元件嵌入塑料封装中。 该塑料包装具有多个塑料层，它们一个被压在另一个之上并具有平面平行的上侧。 连接元件布置在至少一个平面平行的上侧，在塑料层之间压迫的层之间，作为图案化的金属层，并且通过接触通孔与外部触点电连接 塑料层中的至少一层。

公开(公告)号：US07757392B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11383913

申请日：2006-05-17

申请人： Ralf Otremba

发明人： Ralf Otremba

IPC分类号： H05K3/34

CPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/33 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49179 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： An electronic component has at least one first vertical semiconductor power device with a first side and a second side opposing the first side. One side is attached to an electrically conductive surface by a diffusion solder bond and the opposing side is attached to a second electrically conductive surface by an electrically conductive height equalization layer.

摘要翻译： 电子部件具有至少一个第一垂直半导体功率器件，其具有与第一侧相对的第一侧和第二侧。 一侧通过扩散焊料接合​​附着到导电表面，并且相对侧通过导电高度均衡层附接到第二导电表面。

公开(公告)号：US07732929B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11562051

申请日：2006-11-21

申请人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel

发明人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： A power semiconductor component (30) with power semiconductor chip stack (14) has a base power semiconductor chip (16) and a power semiconductor chip (17) stacked on the rear side of the base power semiconductor chip (16), a rewiring structure for the electrical coupling of the power semiconductor chips being arranged within the rear side metallization.

摘要翻译： 具有功率半导体芯片堆叠（14）的功率半导体元件（30）具有堆叠在基底功率半导体芯片（16）的后侧的基极功率半导体芯片（16）和功率半导体芯片（17），重新布线结构 用于电力半导体芯片的电耦合布置在后侧金属化之中。

公开(公告)号：US07659611B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11560158

申请日：2006-11-15

申请人： Ralf Otremba

发明人： Ralf Otremba

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： A vertical power semiconductor component (1) having a top side (3) and a rear side (4) is provided. The top side (3) has at least one first electrode contact area (8) and at least one control electrode area (9) and the rear side (4) has a second electrode contact area (7). A first metallization (10) having a thickness a is arranged on the first electrode contact area (8). A second metallization (11) having a thickness b is arranged on the control electrode area (9). A third metallization (6) having a thickness c is arranged on the second electrode contact area (7). The thickness a of the first metallization (10) is at least 10 times thicker than the thickness b of the second metallization (11).

摘要翻译： 提供具有顶侧（3）和后侧（4）的垂直功率半导体部件（1）。 顶侧（3）具有至少一个第一电极接触区域（8）和至少一个控制电极区域（9），而后侧面（4）具有第二电极接触区域（7）。 具有厚度a的第一金属化层（10）布置在第一电极接触区域（8）上。 具有厚度b的第二金属化层（11）布置在控制电极区域（9）上。 具有厚度c的第三金属化层（6）布置在第二电极接触区域（7）上。 第一金属化（10）的厚度a比第二金属化（11）的厚度b厚至少10倍。

公开(公告)号：US07615852B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11379753

申请日：2006-04-21

申请人： Ralf Otremba

发明人： Ralf Otremba

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L31/111

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： The standard housing (27) of a semiconductor component (21), preferably a power semiconductor component features a plurality of external leads (1-5). Between adjacent external leads (2-3 and 4-5) for identical supply potentials or signals, mechanically reinforcing flat conductor webs (28) electrically connecting the external leads (2-3 and 4-5) are located within and/or outside the standard housing (27).

摘要翻译： 半导体部件（21）的标准外壳（27），优选功率半导体部件具有多个外部引线（1-5）。 在相同的外部引线（2-3和4-5）之间，对于相同的电位或信号，电连接外部引线（2-3和4-5）的机械加强扁平导体腹板（28）位于 标准房屋（27）。

公开(公告)号：US20090212284A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12035598

申请日：2008-02-22

申请人： Ralf Otremba ,  Marco Seibt ,  Uwe Kirchner ,  Wolfgang Peinhopf ,  Michael Treu ,  Andreas Schloegl ,  Mario Feldvoss

发明人： Ralf Otremba ,  Marco Seibt ,  Uwe Kirchner ,  Wolfgang Peinhopf ,  Michael Treu ,  Andreas Schloegl ,  Mario Feldvoss

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85

摘要： An electronic device and manufacturing thereof. One embodiment provides a semiconductor chip having a control electrode and a first load electrode on a first surface and a second load electrode on a second surface. A first lead is electrically coupled to the control electrode. A second lead is electrically coupled to the first load electrode. A third lead is electrically coupled to the first load electrode, the third lead being separate from the second lead. A fourth lead is electrically coupled to the second load electrode, the second and third leads being arranged between the first and fourth leads.

摘要翻译： 电子设备及其制造。 一个实施例提供了在第一表面上具有控制电极和第一负载电极的半导体芯片以及在第二表面上的第二负载电极。 第一引线电耦合到控制电极。 第二引线电耦合到第一负载电极。 第三引线电耦合到第一负载电极，第三引线与第二引线分离。 第四引线电耦合到第二负载电极，第二和第三引线布置在第一和第四引线之间。

公开(公告)号：US20090137086A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US11944724

申请日：2007-11-26

申请人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Rupert Fischer ,  Tien Lai Tan

发明人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Rupert Fischer ,  Tien Lai Tan

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： A method for making a device is disclosed. One embodiment provides a substrate having a first element protruding from the substrate. A semiconductor chip has a first electrode on a first surface and a second electrode on a second surface opposite to the first surface. The semiconductor chip is placed over the first element of the substrate with the first surface of the semiconductor chip facing the substrate. The second electrode of the semiconductor chip is electrically coupled to the substrate, and the substrate is at least partially removed.

摘要翻译： 公开了一种制造装置的方法。 一个实施例提供了具有从基板突出的第一元件的基板。 半导体芯片在第一表面上具有第一电极，在与第一表面相对的第二表面上具有第二电极。 半导体芯片放置在衬底的第一元件上方，半导体芯片的第一表面面向衬底。 半导体芯片的第二电极电耦合到衬底，并且至少部分地去除衬底。