公开(公告)号：US09306145B2

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：US13788932

申请日：2013-03-07

申请人： Zhifeng Ren ,  Shuo Chen ,  Wei-Shu Liu ,  Hengzhi Wang ,  Hui Wang ,  Bo Yu ,  Gang Chen

发明人： Zhifeng Ren ,  Shuo Chen ,  Wei-Shu Liu ,  Hengzhi Wang ,  Hui Wang ,  Bo Yu ,  Gang Chen

IPC分类号： H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C09B19/02 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  H01L35/26 ,  C01B19/00 ,  C04B35/626

CPC分类号： H01L35/34 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9607 ,  H01L35/26

摘要： Methods for synthesis of thermoelectric materials are disclosed. In some embodiments, a method of fabricating a thermoelectric material includes generating a plurality of nanoparticles from a starting material comprising one or more chalcogens and one or more transition metals; and consolidating the nanoparticles under elevated pressure and temperature, wherein the nanoparticles are heated and cooled at a controlled rate.

摘要翻译： 公开了合成热电材料的方法。 在一些实施例中，制造热电材料的方法包括从包含一种或多种硫属元素和一种或多种过渡金属的起始材料产生多个纳米颗粒; 并在升高的压力和温度下固化纳米颗粒，其中纳米颗粒以受控的速率被加热和冷却。

公开(公告)号：US20160051968A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：US14783218

申请日：2014-04-07

申请人： SAUDI BASIC INDUSTRIES CORPORATION

发明人： Zaheer Irshad ,  Khalid Karim

IPC分类号： B01J27/057 ,  C01B19/00 ,  C07C51/25

CPC分类号： B01J27/0576 ,  B01J23/8877 ,  B01J35/023 ,  B01J37/031 ,  B01J2523/00 ,  C01B19/002 ,  C07C51/252 ,  B01J2523/31 ,  B01J2523/32 ,  B01J2523/55 ,  B01J2523/56 ,  B01J2523/64 ,  B01J2523/68 ,  B01J2523/824 ,  C07C57/04

摘要： In accordance with the invention, there is provided a novel catalyst composition comprising MoVGaPdNbXY, wherein X comprises La, Te, Ge, Zn, In, or W; and Y comprises Al or Si; wherein Mo, V, Ga, Pd, Nb, La, Te, Ge, Zn, In, W, Al, or Si are optionally present in combination with oxygen; wherein the catalyst does not comprise an additional element that acts as a catalyst in the conversion of a propylene to the product. Also, disclosed is a method for the conversion of a propylene to a carboxylic acid moiety by contacting the propylene with the disclosed catalyst.

摘要翻译： 根据本发明，提供了包含MoVGaPdNbXY的新型催化剂组合物，其中X包括La，Te，Ge，Zn，In或W; Y包括Al或Si; 其中Mo，V，Ga，Pd，Nb，La，Te，Ge，Zn，In，W，Al或Si任选与氧组合存在; 其中催化剂不包含在将丙烯转化成产物时用作催化剂的另外的元素。 还公开了通过使丙烯与所公开的催化剂接触而将丙烯转化成羧酸部分的方法。

公开(公告)号：US20160035923A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：US14882831

申请日：2015-10-14

申请人： FUTURE EVE TECHNOLOGY Co, Ltd

发明人： Isao OKAMURA

IPC分类号： H01L31/055 ,  C03C17/10 ,  C01B19/00 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/055 ,  B32B17/10174 ,  B32B17/10788 ,  C01B19/007 ,  C03C3/087 ,  C03C17/007 ,  C03C17/10 ,  C03C2217/475 ,  C03C2217/71 ,  C03C2218/11 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52

摘要： A provided cover glass for a solar cell panel has excellent transparency, and minimal incidence so-called “glass surface turbidity” due to reactions with components contained in a glass substrate. The cover glass for the solar cell panel comprises: the glass substrate including a surface; and a transparent protective film containing zinc telluride for coating the surface. Particularly, in the cover glass for the solar cell panel, the transparent protective film is preferably formed by bonding the zinc telluride with silica binders. Such a transparent protective film has excellent transparency, and reactions of the contained zinc telluride inhibit the surface of the glass substrate, which is a base of the solar cell, from becoming turbid.

摘要翻译： 所提供的用于太阳能电池面板的玻璃罩具有优异的透明性，并且由于与玻璃基板中所含的组分的反应，所谓的“玻璃表面浊度”的发生率最小。 用于太阳能电池板的玻璃罩包括：玻璃基板，其包括表面; 以及含有碲化锌用于涂布表面的透明保护膜。 特别是在太阳能电池板用的玻璃罩中，透明保护膜优选通过将碲化锌与二氧化硅粘结剂结合而形成。 这种透明保护膜具有优异的透明性，并且含有的碲化锌的反应抑制了作为太阳能电池基底的玻璃基板的表面变得浑浊。

公开(公告)号：US09249017B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13704331

申请日：2011-07-08

申请人： Brian A. Korgel ,  Chet Steinhagen

发明人： Brian A. Korgel ,  Chet Steinhagen

IPC分类号： H01L31/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： Nanorod and nanowire compositions are disclosed comprising copper indium selenide, copper indium gallium selenide, copper indium sulfide, or a combination thereof. Also disclosed are photovoltaic devices comprising the nanorod and/or nanowire compositions. Also disclosed are methods for producing the nanorod and nanowire compositions, and photovoltaic devices described herein.

摘要翻译： 公开了纳米棒和纳米线组合物，其包括硒化铜铟，硒化铜铟镓，硫化铜铟或其组合。 还公开了包含纳米棒和/或纳米线组合物的光伏器件。 还公开了用于制备本文所述的纳米棒和纳米线组合物以及光伏器件的方法。

公开(公告)号：US20150344305A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：US14721107

申请日：2015-05-26

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Sung Woo HWANG ,  Kyoung-Seok MOON ,  Youngjin CHO ,  Yoon Chul SON ,  Kimoon LEE ,  Doh Won JUNG

IPC分类号： C01B19/00 ,  H01B1/06

CPC分类号： C01B19/002 ,  B22F5/006 ,  B22F2001/0033 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/289 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C30B29/46 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L31/022466

摘要： A conductive material including a first element selected from a transition metal, a platinum-group element, a rare earth element, and a combination thereof, a second element having an atomic radius which is 10 percent less than to 10 percent greater than an atomic radius of the first element, and a chalcogen element, wherein the conductive material has a layered crystal structure.

摘要翻译： 包括从过渡金属，铂族元素，稀土元素及其组合中选择的第一元素的导电材料，其原子半径比原子半径大10％至10％的第二元素 的第一元素和硫属元素，其中导电材料具有层状晶体结构。

公开(公告)号：US09202867B2

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：US14238775

申请日：2012-10-03

申请人： Hao Yan ,  Zhengtao Deng ,  Yan Liu

发明人： Hao Yan ,  Zhengtao Deng ,  Yan Liu

IPC分类号： C09K11/08 ,  H01L29/06 ,  C09K11/54 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/57 ,  C09K11/66 ,  C09K11/88 ,  C01B19/00 ,  H01L29/12 ,  H01L29/22 ,  B82Y5/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G19/00 ,  G01N33/58 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00

CPC分类号： C09K11/883 ,  B82Y5/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01G19/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/17 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/86 ,  C01P2004/88 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/0811 ,  C09K11/54 ,  C09K11/565 ,  C09K11/574 ,  C09K11/661 ,  G01N33/588 ,  H01B1/02 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/122 ,  H01L29/127 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/775 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/294

摘要： Described are CdTe/CdS/ZnS core/shell/shell nanocrystals, methods for making the same, and their use in biomedical and photonic applications, such as sensors for analytes in cells and preparation of field effect transistors. In particular, the disclosure provides a nanocrystal having a CdTe core, a CdS coating over the core, and a ZnS core over the CdS coating, where the nanocrystal has a photoluminescence maximum between about 650 nm and 900 nm.

摘要翻译： 描述的是CdTe / CdS / ZnS核/壳/壳纳米晶体，其制备方法，以及它们在生物医学和光子学应用中的用途，例如用于细胞中分析物的传感器和制备场效应晶体管。 具体地，本公开提供了具有CdTe芯，在芯上的CdS涂层和CdS涂层上的ZnS芯的纳米晶体，其中纳米晶体在约650nm和900nm之间具有最大的光致发光。

公开(公告)号：US09190594B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US13871246

申请日：2013-04-26

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Sang-il Kim ,  Kyu-hyoung Lee ,  Sung-woo Hwang ,  Kyung-han Ahn

IPC分类号： H01L35/34 ,  H01L35/18 ,  H01L35/16 ,  C01B19/00

CPC分类号： H01L35/18 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/00 ,  C01P2002/01 ,  C01P2006/40 ,  H01L35/16

摘要： A thermoelectric material including: a thermoelectric matrix including grains with a composition of Formula 1: (BixSb1-x)a(TeySe1-y)b  Formula 1 wherein 1.8≦a≦2.2, 2.8≦b≦3.2, 0≦x≦1, and 0≦y≦1, and wherein a plurality of dislocations is present along a grain boundary between adjacent grains of the composition of Formula 1.

摘要翻译： 一种热电材料，包括：包含具有式1的组成的晶粒的热电基体：（BixSb1-x）a（TeySe1-y）b式1其中1.8和nlE; a＆nlE; 2.2,2.8和nlE; b＆nlE; 3.2,0和nlE; x＆ 1和0＆nlE; y＆nlE; 1，并且其中多个位错沿着式1的组合物的相邻颗粒之间的晶界存在。

公开(公告)号：US20150290240A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：US14406859

申请日：2013-06-12

申请人： Fred Hulchinson Cancer Research Center

发明人： Mark B. Roth ,  Michael L. Morrison ,  Akiko Iwata

IPC分类号： A61K33/04 ,  A61K47/20 ,  C01B19/00

CPC分类号： A61K33/04 ,  A61J1/06 ,  A61J1/10 ,  A61K47/20 ,  A61M5/14 ,  A61M5/178 ,  A61M39/08 ,  A61M2202/00 ,  C01B17/22 ,  C01B17/24 ,  C01B17/32 ,  C01B19/007 ,  C01B19/04

摘要： This invention relates to compositions comprising chalcogenides in a reduced form, related methods of producing compositions comprising chalcogenides in a reduced form, devices for delivering a reduced form of a compound to a subject, as well as to methods for treating or preventing injuries or disease using a composition comprising a chalcogenide in a reduced form.

摘要翻译： 本发明涉及包含还原形式的硫族化物的组合物，包含还原形式的硫属化物的组合物的相关方法，用于将减少形式的化合物递送至受试者的装置，以及用于治疗或预防损伤或疾病的方法 包含还原形式的硫族化物的组合物。

公开(公告)号：US09159872B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13485756

申请日：2012-05-31

申请人： Juanita Kurtin ,  Matthew J. Carillo ,  Steven Hughes

发明人： Juanita Kurtin ,  Matthew J. Carillo ,  Steven Hughes

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L33/04 ,  H01L21/02 ,  H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C01B19/00 ,  H01L33/06 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/00 ,  B01J13/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502

摘要： Semiconductor structures having a nanocrystalline core and corresponding nanocrystalline shell are described. In an example, a semiconductor structure includes an anisotropic nanocrystalline core composed of a first semiconductor material and having an aspect ratio between, but not including, 1.0 and 2.0. The semiconductor structure also includes a nanocrystalline shell composed of a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the anisotropic nanocrystalline core.

摘要翻译： 描述了具有纳米晶核和对应的纳米晶体壳的半导体结构。 在一个示例中，半导体结构包括由第一半导体材料构成并且具有但不包括1.0和2.0之间的纵横比的各向异性纳米晶核。 半导体结构还包括由至少部分地围绕各向异性纳米晶核的第二不同的半导体材料组成的纳米晶体壳。

公开(公告)号：US09147822B2

公开(公告)日：2015-09-29

申请号：US13282383

申请日：2011-10-26

申请人： G. Jeffrey Snyder ,  Heng Wang ,  Yanzhong Pei

发明人： G. Jeffrey Snyder ,  Heng Wang ,  Yanzhong Pei

IPC分类号： H01L35/16 ,  H01L35/00 ,  C01B19/00

CPC分类号： H01L35/16 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/54 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  Y02P20/129

摘要： The present invention discloses heavily doped PbSe with high thermoelectric performance. Thermoelectric property measurements disclosed herein indicated that PbSe is high zT material for mid-to-high temperature thermoelectric applications. At 850 K a peak zT>1.3 was observed when nH˜1.0×1020 cm−3. The present invention also discloses that a number of strategies used to improve zT of PbTe, such as alloying with other elements, nanostructuring and band modification may also be used to further improve zT in PbSe.

摘要翻译： 本发明公开了具有高热电性能的重掺杂PbSe。 本文公开的热电性能测量表明PbSe是用于中高温热电应用的高zT材料。 在850 K时，当nH〜1.0×1020 cm-3时，观察到峰值zT> 1.3。 本发明还公开了一些用于改善PbTe的zT的策略，例如与其他元素的合金化，纳米结构化和带改性，也可用于进一步改善PbSe中的zT。