公开(公告)号：USD664172S1

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US29350406

申请日：2009-11-16

申请人： Tetsuya Ishikawa ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

设计人： Tetsuya Ishikawa ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

公开(公告)号：US20110140071A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12967970

申请日：2010-12-14

申请人： Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Hidehiro Kojiri ,  Tetsuya Ishikawa

发明人： Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Hidehiro Kojiri ,  Tetsuya Ishikawa

IPC分类号： H01L33/04 ,  B82Y99/00

CPC分类号： C30B25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60 ,  H01L33/20

摘要： Nano-spherical group III-nitride materials and methods of forming nano-spherical group III-nitride materials are described. Also described is a 1-dimensional LED or similar device formed from a single nano-rod of a nano-spherical group III-nitride material.

摘要翻译： 描述了纳米球III族氮化物材料和形成纳米球III族氮化物材料的方法。 还描述了由纳米球III族氮化物材料的单个纳米棒形成的一维LED或类似装置。

公开(公告)号：US20110012109A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12837390

申请日：2010-07-15

申请人： Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Hidehiro Kojiri ,  Tetsuya Ishikawa

发明人： Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Hidehiro Kojiri ,  Tetsuya Ishikawa

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/04 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22

摘要： A method of depositing a high quality low defect single crystalline Group III-Nitride film. A patterned substrate having a plurality of features with inclined sidewalls separated by spaces is provided. A Group III-Nitride film is deposited by a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process over the patterned substrate. The HVPE deposition process forms a Group III-Nitride film having a first crystal orientation in the spaces between features and a second different crystal orientation on the inclined sidewalls. The first crystal orientation in the spaces subsequently overgrows the second crystal orientation on the sidewalls and in the process turns over and terminates treading dislocations formed in the first crystal orientation.

摘要翻译： 沉积高品质低缺陷单晶III-III族氮化物膜的方法。 提供具有多个特征的图案化衬底，其具有由空间分开的倾斜侧壁。 通过在图案化衬底上的氢化物气相外延（HVPE）工艺沉积III-III族氮化物膜。 HVPE沉积工艺在特征之间的空间中形成具有第一晶体取向的III族氮化物膜，并且在倾斜侧壁上形成第二不同的晶体取向。 空间中的第一晶体取向随后在侧壁上过度生长第二晶体取向，并且在该过程中翻转并终止在第一晶体取向中形成的重力位错。

公开(公告)号：US20100258049A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12637019

申请日：2009-12-14

申请人： Tetsuya Ishikawa ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

发明人： Tetsuya Ishikawa ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B35/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  Y10T137/479 ,  Y10T137/4807 ,  Y10T137/4824 ,  Y10T137/7504 ,  Y10T137/8376

摘要： Embodiments disclosed herein generally relate to an HVPE chamber. The chamber may have two separate precursor sources coupled thereto to permit two separate layers to be deposited. For example, a gallium source and a separate aluminum source may be coupled to the processing chamber to permit gallium nitride and aluminum nitride to be separately deposited onto a substrate in the same processing chamber. The nitrogen may be introduced to the processing chamber at a separate location from the gallium and the aluminum and at a lower temperature. The different temperatures causes the gases to mix together, react and deposit on the substrate with little or no deposition on the chamber walls.

摘要翻译： 本文公开的实施例通常涉及HVPE室。 腔室可以具有耦合到其上的两个分离的前体源，以允许沉积两个分开的层。 例如，镓源和单独的铝源可以耦合到处理室以允许氮化镓和氮化铝分别沉积在相同处理室中的衬底上。 氮可以在与镓和铝分开的位置和在较低温度下被引入处理室。 不同的温度导致气体混合在一起，反应并沉积在基板上，而在室壁上很少或没有沉积。

公开(公告)号：US20110079251A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12749087

申请日：2010-03-29

申请人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sandeep Nijhawan

发明人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sandeep Nijhawan

IPC分类号： B08B5/00

CPC分类号： C23C16/4405

摘要： A method for in-situ cleaning of a deposition system is disclosed. The method includes providing a deposition system with portions of the deposition system deposited with at least a group III element or a compound of a group III element. Halogen containing fluid is introduced into the deposition system. The halogen containing fluid is permitted to react with the group III element to form a halide. The halide in solid state is converted to a gaseous state. The halide in gaseous state is purged out of the deposition system.

摘要翻译： 公开了一种用于原位清洗沉积系统的方法。 该方法包括为沉积系统提供沉积有至少III族元素或III族元素的化合物的沉积系统的部分。 将含卤素的流体引入沉积系统。 允许含卤素的流体与III族元素反应形成卤化物。 固态卤化物转化为气态。 气态卤化物从沉积系统中排出。

公开(公告)号：US08765501B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13036261

申请日：2011-02-28

申请人： Jie Su ,  Tuoh-Bin Ng ,  Olga Kryliouk ,  Sang Won Kang ,  Jie Cui

发明人： Jie Su ,  Tuoh-Bin Ng ,  Olga Kryliouk ,  Sang Won Kang ,  Jie Cui

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  C23C16/06 ,  C30B23/025 ,  C30B25/04 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30

摘要： Methods of epitaxy of gallium nitride, and other such related films, and light emitting diodes on patterned sapphire substrates, and other such related substrates, are described.

摘要翻译： 描述了氮化镓和其它这样的相关膜的外延方法以及图案化蓝宝石衬底上的发光二极管以及其它这样的相关衬底。

公开(公告)号：US08222057B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12861614

申请日：2010-08-23

申请人： Olga Kryliouk ,  Timothy J. Anderson

发明人： Olga Kryliouk ,  Timothy J. Anderson

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658

摘要： Disclosed herein is an article comprising a substrate; an interlayer comprising aluminum nitride, gallium nitride, boron nitride, indium nitride or a solid solution of aluminum nitride, gallium nitride, boron nitride and/or indium nitride; the interlayer being directly disposed upon the substrate and in contact with the substrate; where the interlayer comprises a columnar film and/or nanorods and/or nanotubes; and a group-III nitride layer disposed upon the interlayer; where the group-III nitride layer completely covers a surface of the interlayer that is opposed to a surface in contact with the substrate; the group-III nitride layer being free from cracks.

摘要翻译： 本文公开了包含基材的制品; 包括氮化铝，氮化镓，氮化硼，氮化铟或氮化铝，氮化镓，氮化硼和/或氮化铟的固溶体的中间层; 所述中间层直接设置在所述基板上并与所述基板接触; 其中中间层包括柱状膜和/或纳米棒和/或纳米管; 和设置在中间层上的III族氮化物层; 其中III族氮化物层完全覆盖与衬底接触的表面相对的中间层的表面; III族氮化物层没有裂纹。

公开(公告)号：US20110204378A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13025971

申请日：2011-02-11

申请人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

发明人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L21/02502 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265

摘要： Techniques for crack-free growth of GaN, and related, films on larger-size substrates via spatially confined epitaxy are described.

摘要翻译： 描述了通过空间限制外延在大尺寸基板上无GaN生长的技术和相关的膜。

公开(公告)号：US06906351B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10634220

申请日：2003-08-05

申请人： Olga Kryliouk ,  Timothy J. Anderson ,  Michael Anthony Mastro

发明人： Olga Kryliouk ,  Timothy J. Anderson ,  Michael Anthony Mastro

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L29/22

CPC分类号： C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A layered article and method for forming the same includes a single crystal silicon substrate, a silicon oxynitride layer (SixNyOz) disposed on the silicon substrate, and a single crystal GaN layer disposed on the oxynitride layer. The silicon oxynitride layer can be formed by nitridation of a native oxide layer. One or more integrated electronic circuits and/or integrated optical or optoelectronic devices can be built on the article.

摘要翻译： 层叠体及其形成方法包括设置在硅衬底上的单晶硅衬底，氧氮化硅层（SixNyOz）和设置在氧氮化物层上的单晶GaN层。 氮氧化硅层可以通过氮化自然氧化物层而形成。 可以在物品上构建一个或多个集成电子电路和/或集成光学或光电子器件。

公开(公告)号：US20110027973A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12842883

申请日：2010-07-23

申请人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

发明人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/481 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04

摘要： One embodiment of fabricating a p-down light emitting diode (LED) structure comprises depositing a high crystal quality p type contact layer, depositing an active region on top of the p type contact layer, and depositing an n type contact layer on top of the active region using a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process. The high crystal quality p type contact layer is deposited at high temperature to ensure the high crystal quality of the p type film. The n type contact layer is formed on top of the active region in a HVPE chamber at a low temperature to prevent thermal damage to the quantum wells in the active region below the n type contact layer. The processing chamber used to form the p type contact layer is a separate processing chamber than the processing chamber used to form the n type contact layer.

摘要翻译： 制造p-down发光二极管（LED）结构的一个实施例包括沉积高质量p型接触层，在p型接触层的顶部上沉积有源区，以及在n型接触层的顶部沉积n型接触层 活性区域使用氢化物​​气相外延（HVPE）工艺。 高品质p型接触层在高温下沉积以确保p型膜的高晶体质量。 n型接触层在HVPE室中的有源区域的顶部形成在低温下，以防止在n型接触层下面的有源区域中的量子阱的热损伤。 用于形成p型接触层的处理室是与用于形成n型接触层的处理室不同的处理室。