公开(公告)号：US20130126474A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13301158

申请日：2011-11-21

申请人： Alan Shi ,  Bernard Q. Li ,  Daniel D. Sorensen ,  Darren A. Janzig

发明人： Alan Shi ,  Bernard Q. Li ,  Daniel D. Sorensen ,  Darren A. Janzig

IPC分类号： C23F1/02 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20

CPC分类号： A61L31/022 ,  A61L27/06 ,  A61L27/50 ,  A61L31/14 ,  A61L2400/18 ,  B23H7/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30

摘要： The invention describes a process to remove a recast layer and/or burrs from machining processes to provide a surface of a titanium medical device without dissipation of copper or zinc from the surface of the medical device.

摘要翻译： 本发明描述了从加工过程去除重铸层和/或毛刺的方法，以提供钛医疗装置的表面而不会从医疗装置的表面消散铜或锌。

公开(公告)号：US20130027795A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13560023

申请日：2012-07-27

申请人： David C. Brown

发明人： David C. Brown

IPC分类号： G02B7/182 ,  B44C1/22

CPC分类号： G02B7/1821 ,  C23F1/30 ,  G02B26/105

摘要： A method is disclosed of fabricating a mirror for use in limited rotation motor systems, said method comprising the steps of providing a mirror structure including at least one wall section, and exposing the at least one wall section to a fluid etching agent to thereby provide chemical milling of the mirror structure.

摘要翻译： 公开了一种制造用于有限旋转电动机系统的反射镜的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括至少一个壁部分的反射镜结构，并将至少一个壁部分暴露于流体蚀刻剂，从而提供化学 铣削镜面结构。

公开(公告)号：US20110147230A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12966472

申请日：2010-12-13

申请人： James D. Reed ,  Wenming Wang

发明人： James D. Reed ,  Wenming Wang

IPC分类号： B08B7/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B7/00

CPC分类号： B24B1/00 ,  B24B1/002 ,  B24B7/228 ,  B24B29/005 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C25F3/14 ,  C25F5/00 ,  C25F7/00 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

摘要： A method of removing coating from a substrate may include contacting a portion of coating on a surface of a substrate to an acid.

摘要翻译： 从衬底去除涂层的方法可以包括将基底表面上的一部分涂层与酸接触。

公开(公告)号：US20110017708A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12893182

申请日：2010-09-29

申请人： Yung-I CHEN ,  Raymond Chin-Chung

发明人： Yung-I CHEN ,  Raymond Chin-Chung

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/00

CPC分类号： C03B11/086 ,  C03B2215/12 ,  C03B2215/16 ,  C03B2215/17 ,  C03B2215/31 ,  C03B2215/32 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/30

摘要： A method of reproducing the molding die for molding glass, the molding die for molding glass comprising a base material, a first intermediate layer, which is made of titanium or other materials that is not easy to be attacked, on the base material, a protective film, which is made of molybdenum alloy, on the first intermediate layer; the method comprising the steps of attacking the protective film to remove the protective film but keep the first intermediate layer and the base material still, and then coating a new protective layer on the first intermediate layer.

摘要翻译： 一种再生用于模制玻璃的模具的方法，用于模制玻璃的模具包括基材，由钛制成的第一中间层或其他不容易被侵蚀的材料在基材上，保护 膜由钼合金制成，在第一中间层上; 该方法包括以下步骤：攻击保护膜以除去保护膜，但保持第一中间层和基材仍然，然后在第一中间层上涂覆新的保护层。

公开(公告)号：US20090309228A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12539660

申请日：2009-08-12

申请人： Sunfei Fang ,  Randolph F. Knarr ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Christian Lavoie ,  Renee T. Mo ,  Balasubramanian Pranatharthiharan ,  Jay W. Strane

发明人： Sunfei Fang ,  Randolph F. Knarr ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Christian Lavoie ,  Renee T. Mo ,  Balasubramanian Pranatharthiharan ,  Jay W. Strane

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23F1/28 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44

摘要： The present invention relates to a method for forming self-aligned metal silicide contacts over at least two silicon-containing semiconductor regions that are spaced apart from each other by an exposed dielectric region. Preferably, each of the self-aligned metal silicide contacts so formed comprises at least nickel silicide and platinum silicide with a substantially smooth surface, and the exposed dielectric region is essentially free of metal and metal silicide. More preferably, the method comprises the steps of nickel or nickel alloy deposition, low-temperature annealing, nickel etching, high-temperature annealing, and aqua regia etching.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在由暴露的电介质区彼此间隔开的至少两个含硅半导体区域上形成自对准金属硅化物接触的方法。 优选地，如此形成的每个自对准金属硅化物触点至少包括具有基本平滑表面的至少硅化镍和铂硅化物，并且暴露的电介质区域基本上不含金属和金属硅化物。 更优选地，该方法包括镍或镍合金沉积，低温退火，镍蚀刻，高温退火和王水腐蚀的步骤。

公开(公告)号：US07517466B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11455916

申请日：2006-06-20

申请人： Koji Asakawa ,  Toshiro Hiraoka ,  Yoshihiro Akasaka ,  Yasuyuki Hotta

发明人： Koji Asakawa ,  Toshiro Hiraoka ,  Yoshihiro Akasaka ,  Yasuyuki Hotta

IPC分类号： C08J9/26

CPC分类号： C08J9/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/479 ,  C03C2218/33 ,  C08J2333/12 ,  C08J2383/16 ,  C23F1/30 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/74 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11B2005/0029 ,  H01G11/30 ,  H01G11/56 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31695 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1653 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/026 ,  H01M8/1011 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/947 ,  Y10S977/90 ,  Y10T428/24149

摘要： A pattern forming material contains a block copolymer or graft copolymer and forms a structure having micro polymer phases, in which, with respect to at least two polymer chains among polymer chains constituting the block copolymer or graft copolymer, the ratio between N/(Nc−No) values of monomer units constituting respective polymer chains is 1.4 or more, where N represents total number of atoms in the monomer unit, Nc represents the number of carbon atoms in the monomer unit, No represents the number of oxygen atoms in the monomer unit.

摘要翻译： 图案形成材料含有嵌段共聚物或接枝共聚物，并形成具有微聚合物相的结构，其中，关于构成嵌段共聚物或接枝共聚物的聚合物链中的至少两个聚合物链，N /（Nc- 否）构成各聚合物链的单体单元的值为1.4以上，其中N表示单体单元中的总原子数，Nc表示单体单元中的碳原子数，No表示单体单元中的氧原子数 。

公开(公告)号：US20080066779A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11939575

申请日：2007-11-14

申请人： Hidemitsu AOKI ,  Hiroaki TOMIMORI

发明人： Hidemitsu AOKI ,  Hiroaki TOMIMORI

IPC分类号： B08B7/04

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D3/3955 ,  C11D3/3956 ,  C11D7/105 ,  C11D11/0047 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32134

摘要： The removing solution containing a cerium (IV) nitrate salt, periodic acid or a hypochlorite can be applied to metals containing copper, silver or palladium and also to metals containing other metals having a relatively large oxidation-reduction potential.

摘要翻译： 含有硝酸铈（IV），高碘酸或次氯酸铈的去除溶液可以应用于含有铜，银或钯的金属，也可以用于含有其他具有较大氧化还原电位的金属的金属。

公开(公告)号：US20080022724A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11740950

申请日：2007-04-27

申请人： Yung-I CHEN ,  Raymond Chin-Chung

发明人： Yung-I CHEN ,  Raymond Chin-Chung

IPC分类号： B29C51/14

CPC分类号： C03B11/086 ,  C03B2215/12 ,  C03B2215/16 ,  C03B2215/17 ,  C03B2215/31 ,  C03B2215/32 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/30

摘要： A molding die for molding glass includes a base material, a first intermediate layer on the base material, and a protective film on the first intermediate layer. The first intermediate layer is made of titanium or other materials that is not easy to be attacked, and the protective film is made of molybdenum alloy. A method of reproducing the molding die of the present invention includes removing the protective film but keeping the first intermediate layer and the base material still, and then coating a new protective layer on the first intermediate layer.

摘要翻译： 用于成型玻璃的成型模具包括基材，基材上的第一中间层和第一中间层上的保护膜。 第一中间层由钛或其他不容易被侵蚀的材料制成，保护膜由钼合金制成。 本发明的成型模具的再生方法包括：除去保护膜，但保持第一中间层和基材仍然保持，然后在第一中间层上涂覆新的保护层。

公开(公告)号：US20070037402A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US10544487

申请日：2003-11-20

申请人： Kazuyoshi Inoue

发明人： Kazuyoshi Inoue

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： G02F1/13439 ,  C23F1/20 ,  C23F1/30 ,  G02F1/133555 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315

摘要： An etchant for selective etching is used to simplify the production process of a semi-transparent semi-reflective electrode substrate, and temporal loss is not produced by avoiding troublesome repeated works, thereby efficiently providing a semi-transparent semi-reflective electrode substrate. A method for manufacturing a semi-transparent semi-reflective electrode substrate where a metal oxide layer (12) made of at least indium oxide and an inorganic compound layer (14) at least made of Al or Ag are formed in order of mention. The method comprises a step of etching the inorganic compound layer (14) with an etchant X composed of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid and a step of etching the metal oxide layer (12) with an etchant a containing oxalic acid.

摘要翻译： 用于选择性蚀刻的蚀刻剂用于简化半透明半反射电极基板的制造工艺，并且通过避免麻烦的重复工作不会产生时间损失，从而有效地提供半透明半反射电极基板。 制造半透明半反射电极基板的方法，其中至少由氧化铟制成的金属氧化物层（12）和至少由Al或Ag制成的无机化合物层（14）按顺序形成。 该方法包括用由磷酸，硝酸和乙酸组成的蚀刻剂X蚀刻无机化合物层（14）的步骤，以及用含有草酸的蚀刻剂a蚀刻金属氧化物层（12）的步骤。

公开(公告)号：US20060266737A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11440670

申请日：2006-05-25

申请人： Ronald Hanestad ,  Erik Olson ,  Michael Fussy

发明人： Ronald Hanestad ,  Erik Olson ,  Michael Fussy

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/10 ,  C23F1/30

摘要： A metal that can be dissolved in aqua regia or a metal alloy containing a metal that can be dissolved in aqua regia can be effectively removed from a substrate, and particularly a silicon wafer substrate by a method of application of a composition having a HCl (concentrated)/hydrogen peroxide (concentrated) volume ratio of about 1:1 to about 4:1 that is substantially free of added water. In another embodiment, a metal that can be dissolved in aqua regia or a metal alloy containing a metal that can be dissolved in aqua regia is removed from a substrate by a composition comprising HCl (concentrated)/hydrogen peroxide (concentrated)/water in a volume ratio of from about 2:0.5:4 to about 4:2:4. The composition, heated to a temperature of about 60° C. to about 100° C., is applied to a substrate having the metal or metal alloy thereon, which is preferably heated to a temperature of from about 50° C. to about 100° C. The metal or metal alloy preferably is platinum metal or a metal alloy comprising platinum metal, and the substrate is a silicon wafer substrate.

摘要翻译： 可以溶解在王水中的金属或含有能够溶解在王水中的金属的金属合金可以通过施加具有HCl（浓缩的）的组合物的方法从衬底，特别是硅晶片衬底中被有效地去除 ）/过氧化氢（浓缩）体积比为约1：1至约4：1，基本上不含添加水。 在另一个实施方案中，通过包含HCl（浓缩）/过氧化氢（浓缩）/水的组合物从底物中除去可以溶解在王水中的金属或含有可溶于王水中的金属的金属合金 体积比为约2:0.5:4至约4:2:4。 将加热到约60℃至约100℃的温度的组合物施加到其上具有金属或金属合金的基材上，其优选加热至约50℃至约100℃ 金属或金属合金优选为铂金属或包含铂金属的金属合金，并且基板为硅晶片基板。