公开(公告)号：US20080284037A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11748818

申请日：2007-05-15

申请人： Paul S. Andry ,  John M. Cotte ,  John U. Knickerbocker ,  Cornelia K. Tsang

发明人： Paul S. Andry ,  John M. Cotte ,  John U. Knickerbocker ,  Cornelia K. Tsang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/50 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： Apparatus and methods are provided for high density packaging of semiconductor chips using silicon space transformer chip level package structures, which allow high density chip interconnection and/or integration of multiple chips or chip stacks high I/O interconnection and heterogeneous chip or function integration.

摘要翻译： 提供了用于使用硅空间变压器芯片级封装结构的半导体芯片的高密度封装的装置和方法，其允许高密度芯片互连和/或多个芯片或芯片堆叠的高I / O互连和异构芯片或功能集成。

公开(公告)号：US07190079B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US11265302

申请日：2005-11-03

申请人： Panayotis C. Andricacos ,  Shyng-Tsong Chen ,  John M. Cotte ,  Hariklia Deligianni ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Wei-Tsu Tseng ,  Philippe M. Vereecken

发明人： Panayotis C. Andricacos ,  Shyng-Tsong Chen ,  John M. Cotte ,  Hariklia Deligianni ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Wei-Tsu Tseng ,  Philippe M. Vereecken

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76883

摘要： Patterned copper structures are fabricated by selectively capping the copper employing selective etching and/or selective electroplating in the presence of a liner material. Apparatus for addressing the problem of an increased resistive path as electrolyte during electroetching and/or electroplating flows from the wafer edge inwards is provided.

摘要翻译： 通过在衬垫材料的存在下使用选择性蚀刻和/或选择性电镀选择性地封盖铜来制造图案化的铜结构。 提供了用于解决在电蚀和/或电镀过程中作为电解质增加的电阻路径从晶片边缘向内流动的问题的装置。

公开(公告)号：US06992344B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10319724

申请日：2002-12-13

申请人： Douglas D. Coolbaugh ,  John M. Cotte ,  Ebenezer E. Eshun ,  Kenneth J. Stein ,  Kunal Vaed ,  Richard P. Volant

发明人： Douglas D. Coolbaugh ,  John M. Cotte ,  Ebenezer E. Eshun ,  Kenneth J. Stein ,  Kunal Vaed ,  Richard P. Volant

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L28/40 ,  H01L28/86

摘要： The invention is directed to unique high-surface area BEOL capacitor structures with high-k dielectric layers and methods for fabricating the same. These high-surface area BEOL capacitor structures may be used in analog and mixed signal applications. The capacitor is formed within a trench with pedestals within the trench to provide additional surface area. The top and bottom electrodes are created using damascene integration scheme. The dielectric layer is created as a multilayer dielectric film comprising for instance Al2O3, Al2O3/Ta2O5, Al2O3/Ta2O5/Al2O3 and the like. The dielectric layer may be deposited by methods like atomic layer deposition or chemical vapor deposition. The dielectric layer used in the capacitor may also be produced by anodic oxidation of a metallic precursor to yield a high dielectric constant oxide layer.

摘要翻译： 本发明涉及具有高k电介质层的独特的高表面积BEOL电容器结构及其制造方法。 这些高表面积BEOL电容器结构可用于模拟和混合信号应用。 电容器形成在具有沟槽内的基座的沟槽内，以提供额外的表面积。 顶部和底部电极使用大马士革集成方案创建。 电介质层被形成为多层电介质膜，该多层电介质膜包括例如Al 2 O 3 O 3，Al 2 O 3 O 3， / Ta 2 O 5，O 2 O 3 / Ta 2 O 2， 2/3/3/3等等。 电介质层可以通过诸如原子层沉积或化学气相沉积的方法沉积。 电容器中使用的电介质层也可以通过金属前体的阳极氧化产生高介电常数氧化物层。

公开(公告)号：US06933186B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US09961009

申请日：2001-09-21

申请人： John M. Cotte ,  Kenneth J. Stein ,  Seshadri Subbanna ,  Richard P. Volant

发明人： John M. Cotte ,  Kenneth J. Stein ,  Seshadri Subbanna ,  Richard P. Volant

IPC分类号： H01C17/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L28/24 ,  H01C17/262

摘要： A method of improving the tolerance of a back-end-of-the-line (BEOL) thin film resistor is provided. Specifically, the method of the present invention includes an anodization step which is capable of converting a portion of base resistor film into an anodized region. The anodized resistor thus formed has a sheet resistivity that is higher than that of the base resistor film.

摘要翻译： 提供了一种改进后端（BEOL）薄膜电阻的公差的方法。 具体地，本发明的方法包括能够将基极电阻膜的一部分转变为阳极氧化区域的阳极氧化步骤。 如此形成的阳极氧化电阻的电阻率比基极电阻膜高。

公开(公告)号：US08795502B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12778689

申请日：2010-05-12

申请人： John M. Cotte ,  Harold J. Hovel ,  Devendra K. Sadana ,  Xiaoyan Shao ,  Steven Erik Steen

发明人： John M. Cotte ,  Harold J. Hovel ,  Devendra K. Sadana ,  Xiaoyan Shao ,  Steven Erik Steen

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/14 ,  C25D5/024 ,  C25D5/028 ,  C25D7/123 ,  C25D7/126 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  Y02E10/50

摘要： A method of forming patterned metallization by electrodeposition under illumination without external voltage supply on a photovoltaic structure or on n-type region of a transistor/junction.

摘要翻译： 通过在照明下电沉积形成图案化金属化的方法，在光电结构或晶体管/结的n型区域上没有外部电压供应。

公开(公告)号：US08541854B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13349596

申请日：2012-01-13

申请人： John M. Cotte ,  Nils D. Hoivik ,  Christopher Jahnes ,  Minhua Lu ,  Hongqing Zhang

发明人： John M. Cotte ,  Nils D. Hoivik ,  Christopher Jahnes ,  Minhua Lu ,  Hongqing Zhang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00476 ,  G02B26/0841 ,  Y10T156/11 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/263

摘要： The beam bending of a MEMS device is minimized by reducing interfacial strength between a sacrificial layer and a MEMS structure.

摘要翻译： 通过降低牺牲层和MEMS结构之间的界面强度，使MEMS器件的光束弯曲最小化。

公开(公告)号：US08492899B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12904597

申请日：2010-10-14

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Xiaoyan Shao

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Xiaoyan Shao

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2885 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present disclosure relates to an improved method of providing a Ni silicide metal contact on a silicon surface by electrodepositing a Ni film on a silicon substrate. The improved method results in a controllable silicide formation wherein the silicide has a uniform thickness. The metal contacts may be incorporated in, for example, CMOS devices, MEM (micro-electro-mechanical) devices, and photovoltaic cells.

摘要翻译： 本公开涉及通过在硅衬底上电沉积Ni膜而在硅表面上提供Ni硅化物金属接触的改进方法。 改进的方法导致可控硅化物形成，其中硅化物具有均匀的厚度。 金属触点可以结合在例如CMOS器件，MEM（微电机械）器件和光伏电池中。

公开(公告)号：US20120318673A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13596641

申请日：2012-08-28

申请人： Veeraraghavan S. Basker ,  John M. Cotte ,  Hariklia Deligianni ,  Matteo Flotta

发明人： Veeraraghavan S. Basker ,  John M. Cotte ,  Hariklia Deligianni ,  Matteo Flotta

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25F7/00 ,  C25D11/02 ,  C25F3/02

CPC分类号： C25D5/54 ,  C25D5/006 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  C25D11/005 ,  C25D11/024 ,  C25D17/001 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/2885

摘要： An electrochemical process comprising: providing a 125 mm or larger semiconductor wafer in electrical contact with a conducting surface, wherein at least a portion of the semiconductor wafer is in contact with an electrolytic solution, said semiconductor wafer functioning as a first electrode; providing a second electrode in the electrolytic solution, the first and second electrode connected to opposite ends of an electric power source; and irradiating a surface of the semiconductor wafer with a light source as an electric current is applied across the first and the second electrodes. The invention is also directed to an apparatus including a light source and electrochemical components to conduct the electrochemical process.

摘要翻译： 一种电化学方法，包括：提供与导电表面电接触的125mm或更大的半导体晶片，其中所述半导体晶片的至少一部分与电解液接触，所述半导体晶片用作第一电极; 在所述电解液中提供第二电极，所述第一和第二电极连接到电源的相对端; 并且在第一和第二电极之间施加用作为电流的光源照射半导体晶片的表面。 本发明还涉及一种包括光源和用于进行电化学过程的电化学组分的设备。

公开(公告)号：US20120273362A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13534855

申请日：2012-06-27

申请人： John M. Cotte ,  Christopher V. Jahnes ,  Hongbo Peng ,  Stephen M. Rossnagel

发明人： John M. Cotte ,  Christopher V. Jahnes ,  Hongbo Peng ,  Stephen M. Rossnagel

IPC分类号： B03C9/00 ,  C25D5/02 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： B01D67/0065 ,  B01D71/022 ,  B01D2323/283 ,  B01D2325/021 ,  Y10T428/249953

摘要： A filter includes a membrane having a plurality of nanochannels formed therein. A first surface charge material is deposited on an end portion of the nanochannels. The first surface charge material includes a surface charge to electrostatically influence ions in an electrolytic solution such that the nanochannels reflect ions back into the electrolytic solution while passing a fluid of the electrolytic solution. Methods for making and using the filter are also provided.

摘要翻译： 过滤器包括其中形成有多个纳米通道的膜。 第一表面电荷材料沉积在纳米通道的端部上。 第一表面电荷材料包括静电地影响电解溶液中的离子的表面电荷，使得纳米通道在通过电解液的流体时将离子反射回电解溶液。 还提供了制造和使用过滤器的方法。

公开(公告)号：US08293643B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12819634

申请日：2010-06-21

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

IPC分类号： H01L21/477

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53238 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device or a photovoltaic cell having a contact structure, which includes a silicon (Si) substrate; a metal alloy layer deposited on the silicon substrate; a metal silicide layer and a diffusion layer formed simultaneously from thermal annealing the metal alloy layer; and a metal layer deposited on the metal silicide and barrier layers.

摘要翻译： 具有接触结构的半导体器件或光电池，其包括硅（Si）衬底; 沉积在硅衬底上的金属合金层; 金属硅化物层和由金属合金层热退火同时形成的扩散层; 以及沉积在金属硅化物和阻挡层上的金属层。