公开(公告)号：US08749075B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13602359

申请日：2012-09-04

申请人： Joachim Mahler ,  Lukas Ossowski ,  Khalil Hosseini ,  Ivan Nikitin

发明人： Joachim Mahler ,  Lukas Ossowski ,  Khalil Hosseini ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/42 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit is provided. The integrated circuit includes: a chip and encapsulation material covering at least three sides of the chip, the encapsulation material being formed from adhesive material. The integrated circuit includes a carrier adhered to the chip by means of the encapsulation material.

摘要翻译： 提供集成电路。 集成电路包括：芯片和封装材料，其覆盖芯片的至少三个侧面，封装材料由粘合材料形成。 集成电路包括通过封装材料粘附到芯片的载体。

公开(公告)号：US20140061878A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13602359

申请日：2012-09-04

申请人： Joachim Mahler ,  Lukas Ossowski ,  Khalil Hosseini ,  Ivan Nikitin

发明人： Joachim Mahler ,  Lukas Ossowski ,  Khalil Hosseini ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/42 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit is provided. The integrated circuit includes: a chip and encapsulation material covering at least three sides of the chip, the encapsulation material being formed from adhesive material. The integrated circuit includes a carrier adhered to the chip by means of the encapsulation material.

摘要翻译： 提供集成电路。 集成电路包括：芯片和封装材料，其覆盖芯片的至少三个侧面，封装材料由粘合材料形成。 集成电路包括通过封装材料粘附到芯片的载体。

公开(公告)号：US20130200502A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13369075

申请日：2012-02-08

申请人： Ivan Nikitin ,  Stefan Landau ,  Joachim Mahler ,  Alexander Heinrich ,  Ralf Wombacher

发明人： Ivan Nikitin ,  Stefan Landau ,  Joachim Mahler ,  Alexander Heinrich ,  Ralf Wombacher

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/561 ,  B32B37/203 ,  B32B2305/342 ,  B32B2457/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/24246

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a transfer foil. A plurality of semiconductor chips is placed on and adhered to the transfer foil. The plurality of semiconductor chips adhered to the transfer foil is placed over a multi-device carrier. Heat is applied to laminate the transfer foil over the multi-device carrier, thereby accommodating the plurality of semiconductor chips between the laminated transfer foil and the multi-device carrier.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供转印箔。 多个半导体芯片放置在转印箔上并粘附到转印箔上。 粘附到转印箔上的多个半导体芯片放置在多器件载体上。 施加热量以将转印箔层压在多器件载体上，从而在叠层转印箔和多器件载体之间容纳多个半导体芯片。

公开(公告)号：US20130187259A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13354089

申请日：2012-01-19

申请人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler

发明人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3185 ,  H01L24/32 ,  H01L24/50 ,  H01L24/86 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/86203 ,  H01L2224/86801 ,  H01L2224/8685 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461

摘要： An electronic device includes a semiconductor chip. A contact element, an electrical connector, and a dielectric layer are disposed on a first surface of a conductive layer facing the semiconductor chip. A first conductive member is disposed in a first recess of the dielectric layer. The first conductive member electrically connects the contact element of the semiconductor chip with the conductive layer. A second conductive member is disposed in a second recess of the dielectric layer. The second conductive member electrically connects the conductive layer with the electrical connector.

摘要翻译： 电子设备包括半导体芯片。 接触元件，电连接器和电介质层设置在面向半导体芯片的导电层的第一表面上。 第一导电构件设置在电介质层的第一凹部中。 第一导电构件将半导体芯片的接触元件与导电层电连接。 第二导电构件设置在电介质层的第二凹部中。 第二导电构件将导电层与电连接器电连接。

公开(公告)号：US20130001768A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13612957

申请日：2012-09-13

申请人： Ivan Nikitin

发明人： Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/28 ,  H01L24/33 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing an electronic system. One embodiment provides a semiconductor chip having a first main face and a second main face opposite to the first main face. A mask is applied to the first main face of the semiconductor chip. A compound is applied to the first main face of the semiconductor chip. The compound includes electronically conductive particles. The semiconductor chip is coupled to a carrier with the compound facing the carrier.

摘要翻译： 一种制造电子系统的方法。 一个实施例提供了具有与第一主面相对的第一主面和第二主面的半导体芯片。 将掩模施加到半导体芯片的第一主面。 将化合物施加到半导体芯片的第一主面。 该化合物包括电子导电颗粒。 半导体芯片与化合物面向载体的载体耦合。

公开(公告)号：US20110198743A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12706555

申请日：2010-02-16

申请人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler

发明人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/561 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/492 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

摘要： A method includes providing a carrier having a first cavity, providing a dielectric foil with a metal layer attached to the dielectric foil, placing a first semiconductor chip in the first cavity of the carrier, and applying the dielectric foil to the carrier.

摘要翻译： 一种方法包括提供具有第一空腔的载体，提供具有附着到电介质箔的金属层的电介质箔，将第一半导体芯片放置在载体的第一腔中，以及将电介质箔施加到载体上。

公开(公告)号：US20090273063A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12113282

申请日：2008-05-01

申请人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler

发明人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

摘要： One embodiment provides a semiconductor device including a carrier, a first chip attached to the carrier, a structured dielectric coupled to the chip and to the carrier, and a conducting element electrically connected with the chip and extending over a portion of the structured dielectric. The conducting element includes a sintered region.

摘要翻译： 一个实施例提供一种半导体器件，其包括载体，连接到载体的第一芯片，耦合到芯片和载体的结构化介质，以及与芯片电连接并延伸到结构化电介质的一部分上的导电元件。 导电元件包括​​烧结区域。

公开(公告)号：US09040346B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13463636

申请日：2012-05-03

申请人： Ivan Nikitin ,  Edward Fuergut

发明人： Ivan Nikitin ,  Edward Fuergut

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L29/732 ,  H01L21/304 ,  H01L23/34 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/304 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/34 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06164 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14164 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a semiconductor package includes a semiconductor chip having a first contact region on a first major surface and a second contact region on an opposite second major surface. The semiconductor chip is configured to regulate flow of a current from the first contact region to the second contact region. An encapsulant is disposed at the semiconductor chip. A first contact plug is disposed within the encapsulant and coupled to the first contact region. A second side conductive layer is disposed under the second major surface and coupled to the second contact region. A through via is disposed within the encapsulant and coupled to the second side conductive layer. The first contact plug and the through via form terminals above the first major surface for contacting the semiconductor package.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体封装包括半导体芯片，其具有在第一主表面上的第一接触区域和相对的第二主表面上的第二接触区域。 半导体芯片被配置为调节从第一接触区域到第二接触区域的电流的流动。 密封剂设置在半导体芯片处。 第一接触插塞设置在密封剂内并且耦合到第一接触区域。 第二侧导电层设置在第二主表面下方并且耦合到第二接触区域。 通孔设置在密封剂内并且耦合到第二侧导电层。 第一接触插塞和穿通通孔形成在第一主表面上方的用于接触半导体封装的端子。

公开(公告)号：US08928140B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13612957

申请日：2012-09-13

申请人： Ivan Nikitin

发明人： Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/28 ,  H01L24/33 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing an electronic system. One embodiment provides a semiconductor chip having a first main face and a second main face opposite to the first main face. A mask is applied to the first main face of the semiconductor chip. A compound is applied to the first main face of the semiconductor chip. The compound includes electronically conductive particles. The semiconductor chip is coupled to a carrier with the compound facing the carrier.

摘要翻译： 一种制造电子系统的方法。 一个实施例提供了具有与第一主面相对的第一主面和第二主面的半导体芯片。 将掩模施加到半导体芯片的第一主面。 将化合物施加到半导体芯片的第一主面。 该化合物包括电子导电颗粒。 半导体芯片被耦合到载体上，化合物面向载体。

公开(公告)号：US08872315B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13570783

申请日：2012-08-09

申请人： Khalil Hosseini ,  Joachim Mahler ,  Ivan Nikitin ,  Gottfried Beer

发明人： Khalil Hosseini ,  Joachim Mahler ,  Ivan Nikitin ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L23/14 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49883 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes an electrically conducting carrier and a semiconductor chip disposed over the carrier. The semiconductor device also includes a porous diffusion solder layer provided between the carrier and the semiconductor chip.

摘要翻译： 半导体器件包括导电载体和设置在载体上的半导体芯片。 半导体器件还包括设置在载体和半导体芯片之间的多孔扩散焊料层。