公开(公告)号：US08368180B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12619464

申请日：2009-11-16

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L21/78

摘要： A system and method for preventing defaults during singulation is presented. An embodiment comprises a dummy metal structure located in the scribe region. The dummy metal structure comprises a series of alternating dummy lines that are connected through dummy vias. The dummy lines are offset from dummy lines in adjacent metal layers. Additionally, the dummy lines and dummy vias in the upper layers of the scribe line may be formed with larger dimensions than the dummy lines and dummy vias located in the lower layers.

摘要翻译： 提出了一种在分割过程中防止违约的系统和方法。 一个实施例包括位于划线区域中的虚拟金属结构。 虚拟金属结构包括通过虚拟通孔连接的一系列交替虚拟线。 伪线与相邻金属层中的虚拟线偏移。 此外，划线的上层中的虚拟线和虚拟通路可以形成为具有比位于下层中的虚拟线和虚拟通孔更大的尺寸。

公开(公告)号：US20130020698A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13189127

申请日：2011-07-22

申请人： Cheng-Chieh Hsieh ,  Cheng-Lin Huang ,  Po-Hao Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Cheng-Chieh Hsieh ,  Cheng-Lin Huang ,  Po-Hao Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13672 ,  H01L2224/16056 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014

摘要： A system and method for conductive pillars is provided. An embodiment comprises a conductive pillar having trenches located around its outer edge. The trenches are used to channel conductive material such as solder when a conductive bump is formed onto the conductive pillar. The conductive pillar may then be electrically connected to another contact through the conductive material.

摘要翻译： 提供了一种用于导电柱的系统和方法。 一个实施例包括具有位于其外边缘周围的沟槽的导电柱。 当在导电柱上形成导电凸块时，沟槽用于引导诸如焊料的导电材料。 导电柱然后可以通过导电材料电连接到另一接触件。

公开(公告)号：US20120306080A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13298046

申请日：2011-11-16

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Kuo-Ching Hsu ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Kuo-Ching Hsu ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： A package component is free from active devices therein. The package component includes a substrate, a through-via in the substrate, a top dielectric layer over the substrate, and a metal pillar having a top surface over a top surface of the top dielectric layer. The metal pillar is electrically coupled to the through-via. A diffusion barrier is over the top surface of the metal pillar. A solder cap is disposed over the diffusion barrier.

摘要翻译： 封装组件不含其中的有源器件。 封装部件包括衬底，衬底中的通孔，衬底上的顶部电介质层和在顶部电介质层的顶表面上方具有顶表面的金属柱。 金属柱电连接到通孔。 扩散阻挡层在金属支柱的上表面之上。 焊料帽设置在扩散阻挡层上。

公开(公告)号：US08125052B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US11842821

申请日：2007-08-21

申请人： Shin-Puu Jeng ,  Shih-Hsun Hsu ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Chen-Hua Yu

发明人： Shin-Puu Jeng ,  Shih-Hsun Hsu ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor chip comprising a plurality of dielectric layers, wherein the plurality of dielectric layers includes a top dielectric layer; and a first seal ring adjacent edges of the semiconductor chip. The integrated circuit structure further includes a first passivation layer over a top dielectric layer; and a trench extending from a top surface of the first passivation layer into the first passivation layer, wherein the trench substantially forms a ring. Each side of the ring is adjacent to a respective edge of the semiconductor chip. At least one of the plurality of vias has a width greater than about 70 percent of a width of a respective overlying metal line in the plurality of metal lines.

摘要翻译： 集成电路结构包括包括多个电介质层的半导体芯片，其中所述多个电介质层包括顶部电介质层; 以及与所述半导体芯片的边缘相邻的第一密封环。 集成电路结构还包括在顶部介电层上的第一钝化层; 以及从所述第一钝化层的顶表面延伸到所述第一钝化层中的沟槽，其中所述沟槽基本上形成环。 环的每一侧与半导体芯片的相应边缘相邻。 所述多个通孔中的至少一个具有大于所述多个金属线中相应的上覆金属线的宽度的约70％的宽度。

公开(公告)号：US20110079922A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12575078

申请日：2009-10-07

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien Wei Chen ,  Hsiu-Ping WEI

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien Wei Chen ,  Hsiu-Ping WEI

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A structure includes a semiconductor substrate having semiconductor devices formed on or in the substrate. An interconnecting metallization structure is formed over and connected to the devices. The interconnecting metallization structure including at least one dielectric layer. A passivation layer is deposited over the interconnecting metallization structure and the dielectric layer. At least one metal contact pad and at least one dummy metal structure are provided in the passivation layer. The contact pad is conductively coupled to at least one of the devices. The dummy metal structure is spaced apart from the contact pad and unconnected to the contact pad and the devices.

摘要翻译： 一种结构包括具有形成在衬底上或衬底中的半导体器件的半导体衬底。 互连金属化结构形成在器件上并连接到器件。 互连金属化结构包括至少一个电介质层。 在互连金属化结构和电介质层上沉积钝化层。 在钝化层中提供至少一个金属接触焊盘和至少一个虚拟金属结构。 接触焊盘导电地耦合到至少一个设备。 虚拟金属结构与接触垫间隔开，并且不连接到接触垫和设备。

公开(公告)号：US20100123219A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12347184

申请日：2008-12-31

申请人： Hsien-Wei Chen ,  Yu-Wen Liu ,  Jyh-Cherng Sheu ,  Hao-Yi Tsai ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu ,  Shang-Yun Hou

发明人： Hsien-Wei Chen ,  Yu-Wen Liu ,  Jyh-Cherng Sheu ,  Hao-Yi Tsai ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu ,  Shang-Yun Hou

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L23/3677 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  H01L21/78 ,  H01L22/34 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a first chip including a first edge; and a second chip having a second edge facing the first edge. A scribe line is between and adjoining the first edge and the second edge. A heat spreader includes a portion in the scribe line, wherein the heat spreader includes a plurality of vias and a plurality of metal lines. The portion of the heat spreader in the scribe line has a second length at least close to, or greater than, a first length of the first edge.

摘要翻译： 集成电路结构包括：第一芯片，包括第一边缘; 以及具有面向第一边缘的第二边缘的第二芯片。 划线在第一边缘和第二边缘之间并相邻。 散热器包括划线中的一部分，其中散热器包括多个通孔和多个金属线。 散热器在划线中的部分具有至少接近或大于第一边缘的第一长度的第二长度。

公开(公告)号：US07651893B2

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：US11320233

申请日：2005-12-27

申请人： Hsueh-Chung Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou

发明人： Hsueh-Chung Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： An electrical fuse and a method for forming the same are provided. The electrical fuse includes a dielectric layer over a shallow trench isolation region and a contact plug extending from a top surface of the dielectric layer to the shallow trench isolation region, wherein the contact plug comprises a middle portion substantially narrower than the two end portions. The contact plug forms a fuse element. The electrical fuse further includes two metal lines in a metallization layer on the dielectric layer, wherein each of the two metal lines is connected to different ones of the end portions of the contact plug.

摘要翻译： 提供电熔丝及其形成方法。 电熔丝包括在浅沟槽隔离区域上的电介质层和从电介质层的顶表面延伸到浅沟槽隔离区域的接触插塞，其中接触插塞包括基本上比两个端部部分窄的中间部分。 接触插头形成熔丝元件。 电熔丝还包括在电介质层上的金属化层中的两条金属线，其中两条金属线中的每一条连接到接触插塞的不同端部。

公开(公告)号：US20090140391A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12042573

申请日：2008-03-05

申请人： Shang-Yun Hou ,  Chun-Hung Chen ,  Chia-Lun Tsai ,  Pao-Kang Niu ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Shang-Yun Hou ,  Chun-Hung Chen ,  Chia-Lun Tsai ,  Pao-Kang Niu ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first circuit, a first seal ring and at least one first notch. The first seal ring surrounds the first circuit. The first notch cuts the first seal ring. Specifically, the first notch includes an inner opening, an outer opening and a connecting groove. The inner opening is located on the inner side of the first seal ring. The outer opening is located on the outer side of the first seal ring. The outer opening and the inner opening are not aligned. The connecting groove connects the inner opening and the outer opening.

摘要翻译： 半导体器件包括第一电路，第一密封环和至少一个第一凹口。 第一密封环围绕第一回路。 第一个切口切割第一个密封圈。 具体而言，第一凹口包括内部开口，外部开口和连接凹槽。 内部开口位于第一密封环的内侧。 外部开口位于第一密封环的外侧。 外部开口和内部开口未对齐。 连接槽连接内部开口和外部开口。

公开(公告)号：US20090091032A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US11868850

申请日：2007-10-08

申请人： Shih-Hsun Hsu ,  Hao-Yi Tsai ,  Benson Liu ,  Chia-Lun Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Anbiarshy N.F. Wu ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Shih-Hsun Hsu ,  Hao-Yi Tsai ,  Benson Liu ,  Chia-Lun Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Anbiarshy N.F. Wu ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L22/32 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01082

摘要： A bonding pad design is disclosed that includes one or more pad groups on a semiconductor device. Each pad group is made up of two or more bonding pads that have an alternating orientation, such that adjacent bonding pads have their bond ball on opposite sides in relation to the adjacent bonding pad.

摘要翻译： 公开了一种焊盘设计，其包括半导体器件上的一个或多个焊盘组。 每个焊盘组由具有交替取向的两个或更多个焊盘组成，使得相邻的焊盘相对于相邻的焊盘在相对的两侧具有焊接球。

公开(公告)号：US20070145515A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11320233

申请日：2005-12-27

申请人： Hsueh-Chung Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou

发明人： Hsueh-Chung Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： An electrical fuse and a method for forming the same are provided. The electrical fuse includes a dielectric layer over a shallow trench isolation region and a contact plug extending from a top surface of the dielectric layer to the shallow trench isolation region, wherein the contact plug comprises a middle portion substantially narrower than the two end portions. The contact plug forms a fuse element. The electrical fuse further includes two metal lines in a metallization layer on the dielectric layer, wherein each of the two metal lines is connected to different ones of the end portions of the contact plug.

摘要翻译： 提供电熔丝及其形成方法。 电熔丝包括在浅沟槽隔离区域上的电介质层和从电介质层的顶表面延伸到浅沟槽隔离区域的接触插塞，其中接触插塞包括基本上比两个端部部分窄的中间部分。 接触插头形成熔丝元件。 电熔丝还包括在电介质层上的金属化层中的两条金属线，其中两条金属线中的每一条连接到接触插塞的不同端部。