公开(公告)号：US07667326B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11736999

申请日：2007-04-18

申请人： Josef Hoeglauer ,  Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel

发明人： Josef Hoeglauer ,  Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/37 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A power semiconductor component (2) has a semiconductor body with a front face (7) and a rear face (9). The front face (7) has a front-face metallization (8), which provides at least one first contact pad (11). A structured metal seed layer (14) is provided as the front-face metallization (8), is arranged directly on the semiconductor body, and has a thickness d, where 1 nm≦d≦0.5 μm.

摘要翻译： 功率半导体部件（2）具有带有正面（7）和后面（9）的半导体本体。 前表面（7）具有前表面金属化（8），其提供至少一个第一接触焊盘（11）。 设置作为正面金属化（8）的结构化金属籽晶层（14），直接配置在半导体本体上，其厚度d为1nm＆amp; nlE; d＆nlE;0.5μm。

公开(公告)号：US07589413B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11611498

申请日：2006-12-15

申请人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Josef Hoeglauer

发明人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Josef Hoeglauer

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device (1; 25) has a vertical semiconductor component (2), a first metalization (8) and a second metalization (13). The second metalization (13) has an integral film with a first end (14) with a first contact area (17), an intermediate region (15) and a second end (16) with a second contact area (19). The first contact area (17) is arranged on the rear side (6) of the semiconductor component (2) and the second contact area (19) is essentially arranged in the plane of the external contact area (12) of the first metalization (8) and provides an external contact area (12). The first contact area (17) and the second contact area (19) are arranged on opposite surfaces of the film of the second metalization (13).

摘要翻译： 半导体器件（1; 25）具有垂直半导体部件（2），第一金属化（8）和第二金属化（13）。 第二金属化（13）具有整体膜，其具有带有第一接触区域（17）的第一端（14），具有第二接触区域（19）的中间区域（15）和第二端部（16）。 第一接触区域（17）布置在半导体部件（2）的后侧（6）上，并且第二接触区域（19）基本上布置在第一金属化的外部接触区域（12）的平面中 8）并提供外部接触区域（12）。 第一接触区域（17）和第二接触区域（19）布置在第二金属化（13）的膜的相对表面上。

公开(公告)号：US20090179311A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12408162

申请日：2009-03-20

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Matthias Stecher

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Matthias Stecher

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor component of semiconductor chip size includes a semiconductor chip. The semiconductor chip has a metallic coating that completely covers the side edges, the rear side and the top side, on which surface-mountable external contacts are arranged. One embodiment includes power semiconductor components, wherein the metallic coating connects a rear side electrode to one of the surface-mountable external contacts on the top side of a power semiconductor chip.

摘要翻译： 半导体芯片尺寸的半导体部件包括半导体芯片。 半导体芯片具有完全覆盖侧面，后侧和顶侧的金属涂层，其上布置有可表面安装的外部触点。 一个实施例包括功率半导体部件，其中金属涂层将后侧电极连接到功率半导体芯片的顶侧上的可表面安装的外部触点之一。

公开(公告)号：US20090174056A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12403000

申请日：2009-03-12

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor module is disclosed. One embodiment provides a first semiconductor chip having a first contact pad on a first main surface and a second contact pad on a second main surface, a first electrically conductive layer applied to the first main surface, a second electrically conductive layer applied to the second main surface, and an electrically insulating material covering the first electrically conductive layer, wherein a surface of the second electrically conductive layer forms an external contact pad and the second electrically conductive layer has a thickness of less than 200 μm.

公开(公告)号：US20070290337A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11424150

申请日：2006-06-14

申请人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Josef Hoeglauer ,  Matthias Stecher

发明人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Josef Hoeglauer ,  Matthias Stecher

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/492 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/39 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： A connection structure includes a semiconductor die having a first major surface and an electrically conductive substrate having a second major surface. At least part of the second major surface is positioned facing towards and spaced at a distance from the first major surface. A galvanically deposited metallic layer extends between the first major surface and the second major surface and electrically connects the first major surface and the second major surface.

摘要翻译： 连接结构包括具有第一主表面的半导体管芯和具有第二主表面的导电衬底。 第二主表面的至少一部分被定位成面向第一主表面并与第一主表面间隔一定距离。 电沉积金属层在第一主表面和第二主表面之间延伸并且电连接第一主表面和第二主表面。

公开(公告)号：US20070246838A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11736999

申请日：2007-04-18

申请人： Josef Hoeglauer ,  Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel

发明人： Josef Hoeglauer ,  Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/37 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A power semiconductor component (2) has a semiconductor body with a front face (7) and a rear face (9). The front face (7) has a front-face metallization (8), which provides at least one first contact pad (11). A structured metal seed layer (14) is provided as the front-face metallization (8), is arranged directly on the semiconductor body, and has a thickness d, where 1 nm≦d≦0.5 μm.

摘要翻译： 功率半导体部件（2）具有带有正面（7）和后面（9）的半导体本体。 前表面（7）具有前表面金属化（8），其提供至少一个第一接触焊盘（11）。 提供结构化的金属种子层（14）作为正面金属化（8），直接布置在半导体本体上，并且具有厚度d，其中1nm <= d <=0.5μm。

公开(公告)号：US09059083B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US11855712

申请日：2007-09-14

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Manfred Mengel ,  Reimund Engl ,  Josef Hoeglauer ,  Jochen Dangelmaier

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Manfred Mengel ,  Reimund Engl ,  Josef Hoeglauer ,  Jochen Dangelmaier

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H05K3/4661

摘要： A semiconductor device is disclosed. One embodiment includes a carrier, a semiconductor chip attached to the carrier, a first conducting line having a first thickness and being deposited over the semiconductor chip and the carrier and a second conducting line having a second thickness and being deposited over the semiconductor chip and the carrier. The first thickness is smaller than the second thickness.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个实施例包括载体，附接到载体的半导体芯片，具有第一厚度并沉积在半导体芯片和载体上的第一导线和具有第二厚度并沉积在半导体芯片上的第二导线， 载体 第一厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：US20120306069A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13584988

申请日：2012-08-14

申请人： Stefan Landau ,  Erwin Huber ,  Josef Hoeglauer ,  Joachim Mahler ,  Tino Karczeweski

发明人： Stefan Landau ,  Erwin Huber ,  Josef Hoeglauer ,  Joachim Mahler ,  Tino Karczeweski

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L23/142 ,  H01L23/34 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic module. One embodiment includes a carrier. A first transistor is attached to the carrier. A second transistor is attached to the carrier. A first connection element includes a first planar region. The first connection element electrically connects the first transistor to the carrier. A second connection element includes a second planar region. The second connection element electrically connects the second transistor to the carrier. In one embodiment, a distance between the first planar region and the second planar region is smaller than 100 μm.

摘要翻译： 电子模块。 一个实施例包括载体。 第一晶体管连接到载体上。 第二晶体管连接到载体上。 第一连接元件包括第一平面区域。 第一连接元件将第一晶体管与载体电连接。 第二连接元件包括第二平面区域。 第二连接元件将第二晶体管与载体电连接。 在一个实施例中，第一平面区域和第二平面区域之间的距离小于100μm。

公开(公告)号：US20090072379A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11855712

申请日：2007-09-14

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Manfred Mengel ,  Reimund Engl ,  Josef Hoeglauer ,  Jochen Dangelmaier

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Manfred Mengel ,  Reimund Engl ,  Josef Hoeglauer ,  Jochen Dangelmaier

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H05K3/4661

摘要： A semiconductor device is disclosed. One embodiment includes a carrier, a semiconductor chip attached to the carrier, a first conducting line having a first thickness and being deposited over the semiconductor chip and the carrier and a second conducting line having a second thickness and being deposited over the semiconductor chip and the carrier. The first thickness is smaller than the second thickness.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个实施例包括载体，附接到载体的半导体芯片，具有第一厚度并沉积在半导体芯片和载体上的第一导线和具有第二厚度并沉积在半导体芯片上的第二导线， 载体 第一厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：US08253241B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12123784

申请日：2008-05-20

申请人： Stefan Landau ,  Erwin Huber ,  Josef Hoeglauer ,  Joachim Mahler ,  Tino Karczeweski

发明人： Stefan Landau ,  Erwin Huber ,  Josef Hoeglauer ,  Joachim Mahler ,  Tino Karczeweski

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L23/142 ,  H01L23/34 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic module. One embodiment includes a carrier. A first transistor is attached to the carrier. A second transistor is attached to the carrier. A first connection element includes a first planar region. The first connection element electrically connects the first transistor to the carrier. A second connection element includes a second planar region. The second connection element electrically connects the second transistor to the carrier. In one embodiment, a distance between the first planar region and the second planar region is smaller than 100 μm.

摘要翻译： 电子模块。 一个实施例包括载体。 第一晶体管连接到载体上。 第二晶体管连接到载体上。 第一连接元件包括第一平面区域。 第一连接元件将第一晶体管与载体电连接。 第二连接元件包括第二平面区域。 第二连接元件将第二晶体管与载体电连接。 在一个实施例中，第一平面区域和第二平面区域之间的距离小于100μm。