公开(公告)号：US08975117B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US13369059

申请日：2012-02-08

申请人： Ralf Otremba ,  Fong Lim ,  Abdul Rahman Mohamed ,  Chooi Mei Chong ,  Ida Fischbach ,  Xaver Schloegel ,  Juergen Schredl ,  Josef Hoeglauer

发明人： Ralf Otremba ,  Fong Lim ,  Abdul Rahman Mohamed ,  Chooi Mei Chong ,  Ida Fischbach ,  Xaver Schloegel ,  Juergen Schredl ,  Josef Hoeglauer

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3512 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37164 ,  H01L2224/37169 ,  H01L2224/37572 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37644 ,  H01L2224/37647 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/37664 ,  H01L2224/37669 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40101 ,  H01L2224/40175 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/84444 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/84464 ,  H01L2224/84469 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84825 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37599

摘要： A method includes providing a semiconductor chip having a first main surface and a second main surface. A semiconductor chip is placed on a carrier with the first main surface of the semiconductor chip facing the carrier. A first layer of solder material is provided between the first main surface and the carrier. A contact clip including a first contact area is placed on the semiconductor chip with the first contact area facing the second main surface of the semiconductor chip. A second layer of solder material is provided between the first contact area and the second main surface. Thereafter, heat is applied to the first and second layers of solder material to form diffusion solder bonds between the carrier, the semiconductor chip and the contact clip.

摘要翻译： 一种方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片。 将半导体芯片放置在载体上，其中半导体芯片的第一主表面面向载体。 第一层焊料材料设置在第一主表面和载体之间。 包括第一接触区域的接触夹子被放置在半导体芯片上，其中第一接触区域面对半导体芯片的第二主表面。 第二层焊料材料设置在第一接触区域和第二主表面之间。 此后，将热量施加到第一和第二层焊料材料，以在载体，半导体芯片和接触夹之间形成扩散焊料接合​​。

公开(公告)号：US08637341B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12046680

申请日：2008-03-12

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor module. In one embodiment, at least two semiconductor chips are placed on a carrier. The at least two semiconductor chips are then covered with a molding material. An exposed portion of the at least two semiconductor chips is provided. A first layer of conductive material is applied over the exposed portion of the at least two semiconductor chips to electrically connect to a contact pad on the exposed portion of the at least two semiconductor chips. The at least two semiconductor chips are singulated.

摘要翻译： 半导体模块。 在一个实施例中，至少两个半导体芯片放置在载体上。 然后用成型材料覆盖至少两个半导体芯片。 提供至少两个半导体芯片的暴露部分。 在所述至少两个半导体芯片的暴露部分上施加第一层导电材料，以电连接到所述至少两个半导体芯片的暴露部分上的接触焊盘。 将至少两个半导体芯片分割。

公开(公告)号：US20130027113A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13191891

申请日：2011-07-27

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Juergen Schredl ,  Xaver Schloegel

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Juergen Schredl ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H03K17/56 ,  H01L25/07 ,  H01L21/98 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48671 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01005

摘要： A semiconductor chip includes a power transistor circuit with a plurality of active transistor cells. A first load electrode and a control electrode are arranged on a first face of the semiconductor chip, wherein the first load electrode includes a first metal layer. A second load electrode is arranged on a second face of the semiconductor chip. A second metal layer is arranged over the first metal layer, wherein the second metal layer is electrically insulated from the power transistor circuit and the second metal layer is arranged over an area of the power transistor circuit that comprises at least one of the plurality of active transistor cells.

摘要翻译： 半导体芯片包括具有多个有源晶体管单元的功率晶体管电路。 第一负载电极和控制电极设置在半导体芯片的第一面上，其中第一负载电极包括第一金属层。 第二负载电极设置在半导体芯片的第二面上。 第二金属层布置在第一金属层上，其中第二金属层与功率晶体管电路电绝缘，并且第二金属层布置在功率晶体管电路的包括多个活性物质中的至少一个的区域 晶体管单元。

公开(公告)号：US20090230535A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12046680

申请日：2008-03-12

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor module. In one embodiment, at least two semiconductor chips are placed on a carrier. The at least two semiconductor chips are then covered with a molding material. An exposed portion of the at least two semiconductor chips is provided. A first layer of conductive material is applied over the exposed portion of the at least two semiconductor chips to electrically connect to a contact pad on the exposed portion of the at least two semiconductor chips. The at least two semiconductor chips are singulated.

摘要翻译： 半导体模块。 在一个实施例中，至少两个半导体芯片放置在载体上。 然后用成型材料覆盖至少两个半导体芯片。 提供至少两个半导体芯片的暴露部分。 第一层导电材料施加在至少两个半导体芯片的暴露部分上，以电连接到至少两个半导体芯片的暴露部分上的接触焊盘。 将至少两个半导体芯片分割。

公开(公告)号：US20070138634A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11611498

申请日：2006-12-15

申请人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Josef Hoeglauer

发明人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Josef Hoeglauer

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device (1; 25) has a vertical semiconductor component (2), a first metalization (8) and a second metalization (13). The second metalization (13) has an integral film with a first end (14) with a first contact area (17), an intermediate region (15) and a second end (16) with a second contact area (19). The first contact area (17) is arranged on the rear side (6) of the semiconductor component (2) and the second contact area (19) is essentially arranged in the plane of the external contact area (12) of the first metalization (8) and provides an external contact area (12). The first contact area (17) and the second contact area (19) are arranged on opposite surfaces of the film of the second metalization (13).

摘要翻译： 半导体器件（1; 25）具有垂直半导体部件（2），第一金属化（8）和第二金属化（13）。 第二金属化（13）具有整体膜，其具有带有第一接触区域（17）的第一端（14），具有第二接触区域（19）的中间区域（15）和第二端部（16）。 第一接触区域（17）布置在半导体部件（2）的后侧（6）上，并且第二接触区域（19）基本上布置在第一金属化的外部接触区域（12）的平面中 8）并提供外部接触区域（12）。 第一接触区域（17）和第二接触区域（19）布置在第二金属化（13）的膜的相对表面上。

公开(公告)号：US20140063766A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13602597

申请日：2012-09-04

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Juergen Schredl ,  Xaver Schloegel ,  Schiess Klaus

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Juergen Schredl ,  Xaver Schloegel ,  Schiess Klaus

IPC分类号： H01L23/495 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0256 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/2072 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Representative implementations of devices and techniques provide isolation between a carrier and a component mounted to the carrier. A multi-layer device having lateral elements provides electrical isolation at a preset isolation voltage while maintaining a preselected thermal conductivity between the component and the carrier.

摘要翻译： 设备和技术的代表性实现提供载体和安装到载体的部件之间的隔离。 具有侧向元件的多层器件在预设的隔离电压下提供电隔离，同时保持部件和载体之间的预选导热性。

公开(公告)号：US20110215460A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13110372

申请日：2011-05-18

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Xaver Schloegel ,  Soon Hock Tong ,  Kwai Hong Wong

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Xaver Schloegel ,  Soon Hock Tong ,  Kwai Hong Wong

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/074 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29075

摘要： Stacked semiconductor chips. One embodiment provides a device having a first body. A first power semiconductor chip and first external contact elements is provides. A second body includes a second semiconductor chip and second external contact elements. The second body is placed over the first body. The first external contact elements and the second external contact elements define a first plane.

摘要翻译： 堆叠的半导体芯片。 一个实施例提供了具有第一主体的装置。 提供第一功率半导体芯片和第一外部接触元件。 第二主体包括第二半导体芯片和第二外部接触元件。 第二个身体放置在第一个身体上。 第一外部接触元件和第二外部接触元件限定第一平面。

公开(公告)号：US07969018B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12173444

申请日：2008-07-15

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Xaver Schloegel ,  Soon Hock Tong ,  Kwai Hong Wong

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Xaver Schloegel ,  Soon Hock Tong ,  Kwai Hong Wong

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/58 ,  H05K7/06

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/074 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29075

摘要： Stacked semiconductor chips. One embodiment provides a device having a first body. A first power semiconductor chip and first external contact elements is provides. A second body includes a second semiconductor chip and second external contact elements. The second body is placed over the first body. The first external contact elements and the second external contact elements define a first plane.

摘要翻译： 堆叠的半导体芯片。 一个实施例提供了具有第一主体的装置。 提供第一功率半导体芯片和第一外部接触元件。 第二主体包括第二半导体芯片和第二外部接触元件。 第二个身体放置在第一个身体上。 第一外部接触元件和第二外部接触元件限定第一平面。

公开(公告)号：US20090001562A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11768972

申请日：2007-06-27

申请人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Josef Hoeglauer ,  Erwin Huber

发明人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Josef Hoeglauer ,  Erwin Huber

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/41 ,  H01L24/24 ,  H01L24/31 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/94 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device is disclosed. One embodiment provides a module including a first carrier having a first mounting surface and a second mounting surface, a first semiconductor chip mounted onto the first mounting surface of the first carrier and having a first surface facing away from the first carrier, a first connection element connected to the first surface of the first semiconductor chip, a second semiconductor chip having a first surface facing away from the first carrier, a second connection element connected to the first surface of the second semiconductor chip, and a mold material covering the first connection element and the second connection element only partially.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个实施例提供一种模块，其包括具有第一安装表面和第二安装表面的第一载体，安装在第一载体的第一安装表面上并具有背离第一载体的第一表面的第一半导体芯片，第一连接元件 连接到第一半导体芯片的第一表面的第二半导体芯片，具有背离第一载体的第一表面的第二半导体芯片，连接到第二半导体芯片的第一表面的第二连接元件和覆盖第一连接元件的模具材料 而第二连接元件仅部分地。

公开(公告)号：US09786584B2

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：US13602597

申请日：2012-09-04

申请人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Juergen Schredl ,  Xaver Schloegel ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Juergen Schredl ,  Xaver Schloegel ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H05K7/00 ,  H01L23/495 ,  H05K1/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/467 ,  H05K1/02

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0256 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/2072 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Representative implementations of devices and techniques provide isolation between a carrier and a component mounted to the carrier. A multi-layer device having lateral elements provides electrical isolation at a preset isolation voltage while maintaining a preselected thermal conductivity between the component and the carrier.