公开(公告)号：US08257492B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12947777

申请日：2010-11-16

申请人： Masahiro Hoshino ,  Cheng C. Kao

发明人： Masahiro Hoshino ,  Cheng C. Kao

IPC分类号： C30B28/00

CPC分类号： C01B33/037 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： A method for purifying silicon bearing materials for photovoltaic applications includes providing metallurgical silicon into a crucible apparatus. The metallurgical silicon is subjected to at least a thermal process to cause the metallurgical silicon to change in state from a first state to a second state, the second stage being a molten state not exceeding 1500 Degrees Celsius. At least a first portion of impurities is caused to be removed from the metallurgical silicon in the molten state. The molten metallurgical silicon is cooled from a lower region to an upper region to cause the lower region to solidify while a second portion of impurities segregate and accumulate in a liquid state region. The liquid state region is solidified to form a resulting silicon structure having a purified region and an impurity region. The purified region is characterized by a purity of greater than 99.9999%.

摘要翻译： 用于光电应用的用于纯化硅轴承材料的方法包括将冶金硅提供到坩埚装置中。 对冶金硅进行至少一个热处理，使冶金硅从第一状态转变到第二状态，第二阶段是不超过1500摄氏度的熔融状态。 使至少第一部分杂质从熔融状态的冶金硅中除去。 熔融冶金硅从下部区域冷却到上部区域，导致下部区域固化，而第二部分杂质在液态区域中分离并积聚。 液态区域被固化，形成具有纯化区域和杂质区域的所得硅结构。 纯化区的特征在于纯度大于99.9999％。

公开(公告)号：US08222516B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12070742

申请日：2008-02-20

申请人： Peter John Cousins

发明人： Peter John Cousins

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A bipolar solar cell includes a backside junction formed by an N-type silicon substrate and a P-type polysilicon emitter formed on the backside of the solar cell. An antireflection layer may be formed on a textured front surface of the silicon substrate. A negative polarity metal contact on the front side of the solar cell makes an electrical connection to the substrate, while a positive polarity metal contact on the backside of the solar cell makes an electrical connection to the polysilicon emitter. An external electrical circuit may be connected to the negative and positive metal contacts to be powered by the solar cell. The positive polarity metal contact may form an infrared reflecting layer with an underlying dielectric layer for increased solar radiation collection.

摘要翻译： 双极太阳能电池包括由N型硅衬底和形成在太阳能电池的背面上的P型多晶硅发射体形成的背面结。 可以在硅衬底的纹理化前表面上形成抗反射层。 在太阳能电池的正面上的负极性金属接触与衬底电连接，而在太阳能电池的背面上的正极性金属接触与多晶硅发射极电连接。 外部电路可以连接到由太阳能电池供电的负极和正极金属触点。 正极性金属接触可以形成具有下层介电层的红外反射层，用于增加太阳辐射收集。

公开(公告)号：US20120129293A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13300829

申请日：2011-11-21

申请人： Sergey Potapenko ,  Balram Suman ,  Lili Tian ,  Alex Usenko

发明人： Sergey Potapenko ,  Balram Suman ,  Lili Tian ,  Alex Usenko

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/22

CPC分类号： C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： The invention relates to methods of making unsupported articles of semiconducting material using thermally active molds having an external surface temperature, Tsurface, and a core temperature, Tcore, whererin Tsurface>Tcore.

摘要翻译： 本发明涉及使用具有外表面温度Tsurface和核心温度Tcore，其中T表面> Tcore的热活性模具制造无支撑物品的半导体材料的方法。

公开(公告)号：US20120085332A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13325942

申请日：2011-12-14

申请人： Steven L. Kimbel

发明人： Steven L. Kimbel

IPC分类号： B28D5/04

CPC分类号： C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/106

摘要： Methods for cropping a cylindrical ingot and, in some particular embodiments, for cropping a multicrystalline ingot such as a multicrystalline silicon ingot.

摘要翻译： 在一些具体实施方案中，用于裁切圆柱形锭的方法，用于切割多晶锭例如多晶硅锭。

公开(公告)号：US20120070738A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13232022

申请日：2011-09-14

申请人： Yasunori YOSHIDA

发明人： Yasunori YOSHIDA

IPC分类号： H01M4/58 ,  B32B5/16 ,  C01B33/02 ,  H01L31/036

CPC分类号： C01B33/06 ,  C01P2004/04 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/075 ,  H01L31/182 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M10/0525 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/2982

摘要： A needle-like structure of silicon is provided. A crystalline silicon region is formed over a metal substrate by an LPCVD method, whereby whisker-like crystalline silicon which is a polycrystalline body and grows in the direction or the direction with {111} the plane as a twin boundary can be obtained. Whisker-like crystalline silicon grows while forming a twin crystal (introducing stacking faults), and an initial nucleus is provided so that the normal direction of the twin boundary is always included in the plane perpendicular to the growth direction of whisker-like crystalline silicon (in a transverse cross section). Such a material is used as a negative electrode active material of a lithium-ion secondary battery and for a photoelectric conversion device such as a solar battery.

摘要翻译： 提供硅的针状结构。 通过LPCVD方法在金属衬底上形成晶体硅区域，其中晶须状结晶硅是多晶体，并且以{111}平面作为双边界在<110>方向或<211>方向上生长 可以获得。 晶须状结晶硅在形成双晶的同时生长（引入堆垛层错），并且提供初始核，使得双边界的法线方向始终包含在与晶须的生长方向垂直的平面中 晶体硅（横截面）。 这种材料用作锂离子二次电池的负极活性物质和太阳能电池等光电转换装置。

公开(公告)号：US20120032168A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13258404

申请日：2009-04-30

申请人： Hans S. Cho ,  Theodore I. Kamins ,  Nathaniel J. Quitoriano

发明人： Hans S. Cho ,  Theodore I. Kamins ,  Nathaniel J. Quitoriano

IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/182 ,  H01L31/0352 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： A photonic device (200) and method (100) of making the photonic device (200) employs preferential etching of grain boundaries of a polycrystalline semiconductor material layer (210). The method (100) includes growing (110) the polycrystalline layer (210) on a substrate (201). The polycrystalline layer includes a transition region (212) of variously oriented grains and a region (214) of columnar grain boundaries (215) adjacent to the transition region. The method further includes preferentially etching (120) the colunmar grain boundaries to provide tapered structures (220) of the semiconductor material that are continuous (217) with respective aligned grains (213) of the transition region. The tapered structures are predominantly single crystal. The method further includes forming (140) a conformal semiconductor junction (240) on the tapered structures and providing (160) first and second electrodes. The first electrode (201, 262) is adjacent to the transition region and the second electrode (260) is adjacent to a surface layer of the conformal semiconductor junction.

摘要翻译： 制造光子器件（200）的光子器件（200）和方法（100）采用对多晶半导体材料层（210）的晶界的优先蚀刻。 方法（100）包括在衬底（201）上生长（110）多晶层（210）。 多晶层包括不同取向晶粒的过渡区域（212）和与过渡区域相邻的柱状晶界（215）的区域（214）。 该方法还包括优先蚀刻（120）晶体晶粒边界以提供与过渡区域的相应对准晶粒（213）连续（217）的半导体材料的锥形结构（220）。 锥形结构主要是单晶。 该方法还包括在锥形结构上形成（140）共形半导体结（240）并提供（160）第一和第二电极。 第一电极（201,262）与过渡区域相邻，第二电极（260）与保形半导体结的表面层相邻。

公开(公告)号：US08067297B2

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：US11642167

申请日：2006-12-20

申请人： Michael A. Todd

发明人： Michael A. Todd

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C16/0272 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32055 ,  H01L28/84 ,  H01L29/127 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66242 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933

摘要： Chemical vapor deposition processes utilize higher order silanes and germanium precursors as chemical precursors. The processes have high deposition rates yet produce more uniform films, both compositionally and in thickness, than films prepared using conventional chemical precursors. In preferred embodiments, trisilane is employed to deposit SiGe-containing films that are useful in the semiconductor industry in various applications such as transistor gate electrodes.

摘要翻译： 化学气相沉积工艺利用高阶硅烷和锗前体作为化学前体。 这些方法具有高的沉积速率，但是与使用常规化学前体制备的膜相比，在组成和厚度方面产生更均匀的膜。 在优选的实施方案中，使用丙硅烷沉积在诸如晶体管栅电极的各种应用中可用于半导体工业中的含SiGe的膜。

公开(公告)号：US20110280784A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13129313

申请日：2009-11-13

申请人： Birger Erik Ydstie ,  Sudhir Ranjan ,  Balaji Sukumar ,  Sridhar Seetharaman

发明人： Birger Erik Ydstie ,  Sudhir Ranjan ,  Balaji Sukumar ,  Sridhar Seetharaman

IPC分类号： C01B33/02 ,  C30B35/00 ,  C30B11/02

CPC分类号： B22D11/01 ,  C01B33/037 ,  C30B15/002 ,  C30B15/007 ,  C30B15/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/22 ,  C30B15/28 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  C30B29/64 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： A method for producing a solid layer material (42), comprising providing (70) a first layer (30); providing (72) a second liquid layer (32) on the first layer (30); providing (74) a third liquid layer (34) on the second liquid layer (32), wherein the third liquid layer has a melting point that is higher than a melting point of the second liquid layer, and wherein the second liquid layer is between the first and third layers; cooling (76) a surface of the third liquid layer to a temperature less than the melting point of the third liquid layer; forming (78) the solid layer from the third liquid layer while cooling the third layer liquid; and removing (80) the solid layer.

摘要翻译： 一种制备固体层材料的方法，包括提供（70）第一层（30）; 在第一层（30）上提供（72）第二液体层（32）; 在所述第二液体层（32）上提供（74）第三液体层（34），其中所述第三液体层具有高于所述第二液体层的熔点的熔点，并且其中所述第二液体层在 第一和第三层; 将第三液体层的表面冷却（76）至低于第三液体层的熔点的温度; 在冷却第三层液体的同时，从第三液体层形成（78）固体层; 并去除（80）固体层。

公开(公告)号：US08039051B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US11915918

申请日：2006-06-02

申请人： Mark John Keevers ,  Adrian Bruce Turner

发明人： Mark John Keevers ,  Adrian Bruce Turner

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01L21/67236 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： A method and apparatus is provided for hydrogenation of a target, such as a polycrystalline silicon film on a glass substrate, by using an atomic hydrogen source. The target is subjected to intermittent exposure of the atomic hydrogen field of the source until at least one area of the target has been subjected to the hydrogen field for a predetermined minimum period of time. The processing area of the source established by its atomic hydrogen field is smaller than the target, and after the target is moved into the high temperature processing zone it is translated within the high temperature processing zone to intermittently process successive areas of the target until the entire target has been processed for a predetermined minimum period of time. After the entire target has been processed, the target is cooled to a predetermined lower temperature while still intermittently subjecting the target to atomic hydrogen.

摘要翻译： 提供了通过使用原子氢源来氢化目标物如玻璃基底上的多晶硅膜的方法和装置。 对靶进行源极的原子氢场的间歇曝光，直到靶的至少一个区域经受了预定的最小时间段的氢场。 由其原子氢场建立的源的处理面积小于目标，并且在目标物移动到高温处理区域之后，其在高温处理区域内被翻译以间歇地处理目标的连续区域直到整个 目标已经处理了预定的最短时间。 在处理完整的目标物之后，将目标物冷却至预定的较低温度，同时仍然使目标物原子氢化。

公开(公告)号：US08003546B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12461502

申请日：2009-08-13

申请人： Jung-hyun Lee ,  Chang-soo Lee ,  Dong-joon Ma

发明人： Jung-hyun Lee ,  Chang-soo Lee ,  Dong-joon Ma

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  C01B33/03 ,  C01B33/035 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P20/544 ,  Y02P70/521

摘要： In a method of growing silicon (Si) using a reactor, a supercritical fluid including a silicon Si source and hydrogen flows in the reactor, and the Si source reacts with hydrogen. A base substrate of a solar cell may be formed with Si made using the method of growing silicon (Si). The supercritical fluid may be a fluid in which Si is not oxidized and may be, for example, a CO2 supercritical fluid with a pressure of about 60 to about 200 atm. The Si source may be TriChloroSilane (TCS) (SiCl3H) or SiH4.

摘要翻译： 在使用反应器生长硅（Si）的方法中，包括硅Si源和氢的超临界流体在反应器中流动，并且Si源与氢反应。 太阳能电池的基底可以由使用生长硅（Si）的方法制成的Si形成。 超临界流体可以是其中Si不被氧化的流体，并且可以是例如具有约60至约200atm压力的CO 2超临界流体。 Si源可以是三氯硅烷（TCS）（SiCl 3 H）或SiH 4。