公开(公告)号：US09219144B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US13571455

申请日：2012-08-10

申请人： Anton Mauder ,  Reinhard Ploss ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Reinhard Ploss ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L23/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L23/00 ,  H01L21/74 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L23/36 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate. A first trench extends into or through the semiconductor substrate from a first side. A semiconductor layer adjoins the semiconductor substrate at the first side. The semiconductor layer caps the first trench at the first side. The semiconductor device further includes a contact at a second side of the semiconductor substrate opposite to the first side.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底。 第一沟槽从第一侧延伸进入或穿过半导体衬底。 半导体层在第一侧邻接半导体衬底。 半导体层在第一侧覆盖第一沟槽。 半导体器件还包括在与第一侧相对的半导体衬底的第二侧的接触。

公开(公告)号：US09070789B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US13048544

申请日：2011-03-15

申请人： Anton Mauder ,  Giulliano Aloise

发明人： Anton Mauder ,  Giulliano Aloise

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L21/20 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0634

摘要： A semiconductor device has a semiconductor body with a semiconductor device structure including at least a first electrode and a second electrode. Between the two electrodes, a drift region is arranged, the drift region including charge compensation zones and drift zones arranged substantially parallel to one another. At least one charge carrier storage region which is at least partially free of charge compensation zones is arranged in the semiconductor body.

摘要翻译： 半导体器件具有半导体器件结构，半导体器件结构至少包括第一电极和第二电极。 在两个电极之间布置漂移区域，漂移区域包括电荷补偿区域和漂移区域彼此基本平行布置。 至少部分没有电荷补偿区域的至少一个电荷载体存储区域被布置在半导体本体中。

公开(公告)号：US08860025B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13227206

申请日：2011-09-07

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Hans-Peter Felsl ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Hans-Peter Felsl ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/02576 ,  H01L21/302 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor diode. The semiconductor diode includes a drift region and a first semiconductor region of a first conductivity type formed in or on the drift region. The first semiconductor region is electrically coupled to a first terminal via a first surface of a semiconductor body. The semiconductor diode includes a channel region of a second conductivity type electrically coupled to the first terminal, wherein a bottom of the channel region adjoins the first semiconductor region. A first side of the channel region adjoins the first semiconductor region.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体二极管。 半导体二极管包括形成在漂移区中或漂移区上的漂移区和第一导电类型的第一半导体区。 第一半导体区域经由半导体本体的第一表面电耦合到第一端子。 半导体二极管包括电耦合到第一端子的第二导电类型的沟道区，其中沟道区的底部与第一半导体区相邻。 沟道区的第一侧邻接第一半导体区。

公开(公告)号：US08809902B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13274411

申请日：2011-10-17

申请人： Holger Huesken ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Wolfgang Roesner

发明人： Holger Huesken ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Wolfgang Roesner

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0688 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： A power semiconductor diode is provided. The power semiconductor diode includes a semiconductor substrate having a first emitter region of a first conductivity type, a second emitter region of a second conductivity type, and a drift region of the first conductivity type arranged between the first emitter region and the second emitter region. The drift region forms a pn-junction with the second emitter region. A first emitter metallization is in contact with the first emitter region. The first emitter region includes a first doping region of the first conductivity type and a second doping region of the first conductivity type. The first doping region forms an ohmic contact with the first emitter metallization, and the second doping region forms a non-ohmic contact with the first emitter metallization. A second emitter metallization is in contact with the second emitter region.

摘要翻译： 提供功率半导体二极管。 功率半导体二极管包括具有第一导电类型的第一发射极区域，第二导电类型的第二发射极区域和布置在第一发射极区域和第二发射极区域之间的第一导电类型的漂移区域的半导体衬底。 漂移区域与第二发射极区域形成pn结。 第一发射极金属化与第一发射极区域接触。 第一发射极区域包括第一导电类型的第一掺杂区域和第一导电类型的第二掺杂区域。 第一掺杂区与第一发射极金属化形成欧姆接触，第二掺杂区与第一发射极金属化形成非欧姆接触。 第二发射极金属化与第二发射极区域接触。

公开(公告)号：US08742539B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13560626

申请日：2012-07-27

申请人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

发明人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L29/86

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with a semiconductor body with a top side and with a bottom side. A first coil that is monolithically integrated with the semiconductor body is arranged distant from the bottom side and comprises N first windings, wherein N≧1. The first coil has a first coil axis that extends in a direction different from a surface normal of the bottom side.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有顶侧和底侧的半导体本体的半导体部件。 与半导体本体整体地集成的第一线圈布置成远离底侧，并且包括N个第一绕组，其中N≥1。 第一线圈具有沿与底侧的表面法线不同的方向延伸的第一线圈轴线。

公开(公告)号：US20130249602A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13429579

申请日：2012-03-26

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers ,  Uwe Wahl

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers ,  Uwe Wahl

IPC分类号： H03K3/00 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor arrangement includes a semiconductor body and a power transistor including a source region, a drain region, a body region and a drift region arranged in the semiconductor body, a gate electrode arranged adjacent to the body region and dielectrically insulated from the body region by a gate dielectric. The semiconductor arrangement further includes a high voltage device arranged within a well-like dielectric structure in the semiconductor body and comprising a further drift region.

摘要翻译： 半导体装置包括半导体本体和功率晶体管，功率晶体管包括布置在半导体本体中的源区域，漏极区域，体区域和漂移区域，与主体区域相邻布置并与身体区域介电绝缘的栅电极， 栅极电介质。 半导体装置还包括布置在半导体本体内的类似阱介质结构内的高电压装置，并且包括另外的漂移区域。

公开(公告)号：US08482029B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13117908

申请日：2011-05-27

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7831 ,  H03K2217/0036

摘要： A semiconductor device includes a source metallization and a semiconductor body. The semiconductor body includes a first field-effect structure including a source region of a first conductivity type electrically coupled to the source metallization. The semiconductor body also includes a second field-effect structure including a source region of the first conductivity type electrically coupled to the source metallization. A voltage tap including a semiconductor region within the semiconductor body is electrically coupled to a first gate electrode of the first field-effect structure by an intermediate inverter structure.

摘要翻译： 半导体器件包括源极金属化和半导体本体。 半导体本体包括第一场效应结构，其包括与源极金属化电耦合的第一导电类型的源极区域。 半导体本体还包括第二场效应结构，其包括与源极金属化电耦合的第一导电类型的源极区域。 包括半导体本体内的半导体区域的电压抽头通过中间逆变器结构电耦合到第一场效应结构的第一栅电极。

公开(公告)号：US08404562B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12894344

申请日：2010-09-30

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite core and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨芯和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US08367532B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13558467

申请日：2012-07-26

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Hille ,  Holger Schulze ,  Manfred Pfaffenlehner ,  Carsten Schäffer ,  Franz-Josef Niedernostheide

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Hille ,  Holger Schulze ,  Manfred Pfaffenlehner ,  Carsten Schäffer ,  Franz-Josef Niedernostheide

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

摘要： A semiconductor device in one embodiment has a first connection region, a second connection region and a semiconductor volume arranged between the first and second connection regions. Provision is made, within the semiconductor volume, in the vicinity of the second connection region, of a field stop zone for spatially delimiting a space charge zone that can be formed in the semiconductor volume, and of an anode region adjoining the first connection region. The dopant concentration profile within the semiconductor volume is configured such that the integral of the ionized dopant charge over the semiconductor volume, proceeding from an interface of the anode region which faces the second connection region, in the direction of the second connection region, reaches a quantity of charge corresponding to the breakdown charge of the semiconductor device only near the interface of the field stop zone which faces the second connection region.

摘要翻译： 一个实施例中的半导体器件具有布置在第一和第二连接区域之间的第一连接区域，第二连接区域和半导体体积。 在第二连接区域的附近，在半导体体积中形成空间电荷区域的场停止区域以及与第一连接区域相邻的阳极区域在半导体体积内设置。 半导体体积内的掺杂剂浓度分布被配置为使得从第二连接区域的面对第二连接区域的阳极区域的界面开始，离子化掺杂剂在半导体体积上的电荷积分到达第二连接区域的方向 与半导体器件的击穿电荷相对应的电荷量仅在靠近第二连接区域的场停止区的界面附近。

公开(公告)号：US20130009227A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13614479

申请日：2012-09-13

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carolin Tolksdorf ,  Winfried Kaindl ,  Armin Willmeroth

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carolin Tolksdorf ,  Winfried Kaindl ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0808 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/0811 ,  H01L27/088 ,  H01L29/7836

摘要： A semiconductor device with a dynamic gate drain capacitance. One embodiment provides a semiconductor device. The device includes a semiconductor substrate, a field effect transistor structure including a source region, a first body region, a drain region, a gate electrode structure and a gate insulating layer. The gate insulating layer is arranged between the gate electrode structure and the body region. The gate electrode structure and the drain region partially form a capacitor structure including a gate-drain capacitance configured to dynamically change with varying reverse voltages applied between the source and drain regions. The gate-drain capacitance includes at least one local maximum at a given threshold or a plateau-like course at given reverse voltage.

摘要翻译： 具有动态栅极漏极电容的半导体器件。 一个实施例提供一种半导体器件。 该器件包括半导体衬底，场效应晶体管结构，其包括源区，第一体区，漏区，栅电极结构和栅极绝缘层。 栅极绝缘层设置在栅电极结构和体区之间。 栅极电极结构和漏极区域部分地形成电容器结构，其包括栅极 - 漏极电容，该栅极 - 漏极电容被配置为随着施加在源极和漏极区域之间的变化的反向电压而动态地 栅极 - 漏极电容在给定的阈值下包括至少一个局部最大值，或者在给定的反向电压下包括平台状过程。