公开(公告)号：US20070086496A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11357408

申请日：2006-02-21

申请人： Akira Tanaka ,  Chie Hongo ,  Yoshiyuki Harada ,  Hideto Sugawara ,  Masaaki Onomura ,  Hiroshi Katsuno

发明人： Akira Tanaka ,  Chie Hongo ,  Yoshiyuki Harada ,  Hideto Sugawara ,  Masaaki Onomura ,  Hiroshi Katsuno

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3407 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor light emitting device comprises: a first cladding layer made of nitride semiconductor of a first conductivity type; an active layer provided on the first cladding layer, the active layer including a first barrier layer made of nitride semiconductor, a second barrier layer made of nitride semiconductor, and a well layer made of nitride semiconductor, the well layer being provided between the first barrier layer and the second barrier layer; and a second cladding layer provided on the active layer, the second cladding layer being made of nitride semiconductor of a second conductivity type. The first and second barrier layers and the well layer contain indium. At least one of the first barrier layer and the second barrier layer has a thickness of 30 nm or more.

摘要翻译： 一种半导体发光器件包括：由第一导电类型的氮化物半导体制成的第一覆层; 设置在所述第一包层上的有源层，所述有源层包括由氮化物半导体制成的第一势垒层，由氮化物半导体制成的第二阻挡层，以及由氮化物半导体制成的阱层，所述阱层设置在所述第一栅极 层和第二阻挡层; 以及设置在所述有源层上的第二覆层，所述第二覆层由第二导电类型的氮化物半导体制成。 第一和第二阻挡层和阱层含有铟。 第一阻挡层和第二阻挡层中的至少一个具有30nm以上的厚度。

公开(公告)号：US5696389A

公开(公告)日：1997-12-09

申请号：US402659

申请日：1995-03-13

申请人： Masayuki Ishikawa ,  Hideto Sugawara ,  Yukie Nishikawa ,  Masaaki Onomura ,  Shinji Saito ,  Peter James Parbrook ,  Genichi Hatakoshi ,  Koichi Nitta ,  John Rennie ,  Hiroaki Yoshida ,  Atsushi Kamata

发明人： Masayuki Ishikawa ,  Hideto Sugawara ,  Yukie Nishikawa ,  Masaaki Onomura ,  Shinji Saito ,  Peter James Parbrook ,  Genichi Hatakoshi ,  Koichi Nitta ,  John Rennie ,  Hiroaki Yoshida ,  Atsushi Kamata

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/56 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/40 ,  H01L29/41 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01L33/38 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/20 ,  H01S5/18341 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/382 ,  H01S2301/203 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/347 ,  H01S5/4087

摘要： A light-emitting semiconductor device comprising an n-type cladding layer provided on a surface of a substrate and having concentric first and second parts, a first electrode mounted on the first part of the n-type cladding layer, a p-type cladding layer provided above the surface of the substrate and surrounding the first electrode and the second part of the n-type cladding layer, and a second electrode provided on the p-type cladding layer.

摘要翻译： 一种发光半导体器件，包括设置在基板的表面上并具有同心的第一和第二部分的n型覆层，安装在n型覆层的第一部分上的第一电极，p型覆层 设置在基板的表面上并且包围n型包覆层的第一电极和第二部分，以及设置在p型覆层上的第二电极。

公开(公告)号：US20120153439A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13102204

申请日：2011-05-06

申请人： Hideto Sugawara ,  Masaaki Onomura

发明人： Hideto Sugawara ,  Masaaki Onomura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

摘要： According to one embodiment, stacked layers of a nitride semiconductor include a substrate, a single crystal layer and a nitride semiconductor layer. The substrate does not include a nitride semiconductor and has a protrusion on a major surface. The single crystal layer is provided directly on the major surface of the substrate to cover the protrusion, and includes a crack therein. The nitride semiconductor layer is provided on the single crystal layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，氮化物半导体的堆叠层包括衬底，单晶层和氮化物半导体层。 基板不包括氮化物半导体，并且在主表面上具有突起。 单晶层直接设置在基板的主表面上以覆盖突起，并且在其中包括裂纹。 氮化物半导体层设置在单晶层上。

公开(公告)号：US07333523B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US11484006

申请日：2006-07-11

申请人： Akira Tanaka ,  Hideto Sugawara ,  Chie Hongo ,  Yoshiyuki Harada ,  Masaaki Onomura

发明人： Akira Tanaka ,  Hideto Sugawara ,  Chie Hongo ,  Yoshiyuki Harada ,  Masaaki Onomura

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3054

摘要： A semiconductor laser device comprising: a first cladding layer of a first conductivity type; an active layer provided on the first cladding layer and having a quantum well structure; an overflow blocking layer of a second conductivity type provided on the overflow blocking layer. The active layer includes a region having an impurity concentration is 3×1017 cm−3 or more and having a thickness of 30 nm or less between the overflow blocking layer and a well layer in the active layer closet to the overflow blocking layer.

摘要翻译： 一种半导体激光装置，包括：第一导电类型的第一包层; 设置在所述第一包层上并具有量子阱结构的有源层; 设置在溢出阻挡层上的第二导电类型的溢出阻挡层。 有源层包括杂质浓度为3×10 -3 -3 -3以上并且在溢流阻挡层和阱层之间具有30nm或更小的厚度的区域 在活动层衣柜中到溢出阻挡层。

公开(公告)号：US20070009000A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11484006

申请日：2006-07-11

申请人： Akira Tanaka ,  Hideto Sugawara ,  Chie Hongo ,  Yoshiyuki Harada ,  Masaaki Onomura

发明人： Akira Tanaka ,  Hideto Sugawara ,  Chie Hongo ,  Yoshiyuki Harada ,  Masaaki Onomura

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3054

摘要： A semiconductor laser device comprising: a first cladding layer of a first conductivity type; an active layer provided on the first cladding layer and having a quantum well structure; an overflow blocking layer of a second conductivity type provided on the overflow blocking layer. The active layer includes a region having an impurity concentration is 3×1017 cm−3 or more and having a thickness of 30 nm or less between the overflow blocking layer and a well layer in the active layer closet to the overflow blocking layer.

摘要翻译： 一种半导体激光装置，包括：第一导电类型的第一包层; 设置在所述第一包层上并具有量子阱结构的有源层; 设置在溢出阻挡层上的第二导电类型的溢出阻挡层。 有源层包括杂质浓度为3×10 -3 -3 -3以上并且在溢流阻挡层和阱层之间具有30nm或更小的厚度的区域 在活动层衣柜中到溢出阻挡层。

公开(公告)号：US08502350B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13102204

申请日：2011-05-06

申请人： Hideto Sugawara ,  Masaaki Onomura

发明人： Hideto Sugawara ,  Masaaki Onomura

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

摘要： According to one embodiment, stacked layers of a nitride semiconductor include a substrate, a single crystal layer and a nitride semiconductor layer. The substrate does not include a nitride semiconductor and has a protrusion on a major surface. The single crystal layer is provided directly on the major surface of the substrate to cover the protrusion, and includes a crack therein. The nitride semiconductor layer is provided on the single crystal layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，氮化物半导体的堆叠层包括衬底，单晶层和氮化物半导体层。 基板不包括氮化物半导体，并且在主表面上具有突起。 单晶层直接设置在基板的主表面上以覆盖突起，并且在其中包括裂纹。 氮化物半导体层设置在单晶层上。

公开(公告)号：US5780873A

公开(公告)日：1998-07-14

申请号：US689689

申请日：1996-08-13

申请人： Kazuhiko Itaya ,  Masahiro Yamamoto ,  Masaaki Onomura ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Genichi Hatakoshi ,  Hideto Sugawara ,  Masayuki Ishikawa ,  John Rennie ,  Shinji Saito

发明人： Kazuhiko Itaya ,  Masahiro Yamamoto ,  Masaaki Onomura ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Genichi Hatakoshi ,  Hideto Sugawara ,  Masayuki Ishikawa ,  John Rennie ,  Shinji Saito

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01L33/00 ,  H01L29/04 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32391 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/4087

摘要： A semiconductor light-emitting device comprises a semiconductor light-emitting device section of a hexagonal type; and an electrically conductive semiconductor substrate of a cubic type combined into the semiconductor light-emitting device, and having an orientation of its cleavage facet conformed to an orientation of the cleavage facet of one of semiconductor layers forming the semiconductor light-emitting device section. The substrate of the cubic type is cleaved so that the semiconductor light-emitting device section of the hexagonal type is induced to be cleaved, and that a mirror surface can be easily formed.

摘要翻译： 半导体发光器件包括六边形的半导体发光器件部分; 以及组合到半导体发光器件中的立方体的导电半导体衬底，并且其解理面的取向符合形成半导体发光器件部分的半导体层之一的解理面的取向。 立方体的基板被切割，使得六方型的半导体发光器件部分被诱导被切割，并且可以容易地形成镜面。

公开(公告)号：US07554127B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US10917521

申请日：2004-08-13

申请人： Akira Tanaka ,  Masaaki Onomura

发明人： Akira Tanaka ,  Masaaki Onomura

IPC分类号： H01L31/0304

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34333

摘要： Disclosed is a semiconductor light-emitting element, comprising an n-type cladding layer; a light guide layer positioned on the n-type cladding layer; a multiple quantum well structure active layer positioned on the light guide layer; a p-type carrier overflow prevention layer positioned on the active layer and having an impurity concentration of 5×1018 cm−3 to not more than 3×1019 cm−3; a p-type light guide layer positioned on the p-type carrier overflow prevention layer and having an impurity concentration of 1×1018 cm−3 or more and less than that of the p-type carrier overflow prevention layer; and a p-type cladding layer positioned on the p-type light guide layer and having a band gap narrower than the p-type carrier overflow prevention layer, and a method of manufacturing the same.

摘要翻译： 公开了一种半导体发光元件，包括n型覆层; 定位在n型包覆层上的导光层; 位于导光层上的多量子阱结构有源层; 位于有源层上并且杂质浓度为5×10 18 cm -3至3×10 19 cm -3以下的p型载流子溢出防止层; p型导光层，位于p型载流子溢流防止层上，杂质浓度为1×10 18 cm -3以上且小于p型载流子溢出防止层的杂质浓度; 以及位于p型导光层上并具有比p型载流子溢流防止层窄的带隙的p型覆层，及其制造方法。

公开(公告)号：US07531397B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11969079

申请日：2008-01-03

申请人： Koichi Tachibana ,  Chie Hongo ,  Shinya Nunoue ,  Masaaki Onomura

发明人： Koichi Tachibana ,  Chie Hongo ,  Shinya Nunoue ,  Masaaki Onomura

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

摘要： A semiconductor substrate encompasses a GaN substrate and a single-crystal layer formed of III-V nitride compound semiconductor epitaxially grown on the GaN substrate. The GaN substrate has a surface orientation defined by an absolute value of an off-angle of the surface from {0001} plane towards direction lying in a range of 0.12 degree to 0.35 degree and by an absolute value of an off-angle of the surface from {0001} plane towards direction lying in a range of 0.00 degree to 0.06 degree.

摘要翻译： 半导体衬底包括GaN衬底和由在GaN衬底上外延生长的III-V族氮化物化合物半导体形成的单晶层。 GaN衬底具有由从{0001}面朝向<1-100>方向的表面偏离角绝对值定义在0.12度至0.35度的范围内的表面取向和绝对值 表面从{0001}面向<11-20>方向的角度位于0.00度至0.06度的范围内。

公开(公告)号：US20080181275A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11545756

申请日：2006-10-11

申请人： Takayuki Matsuyama ,  Masaaki Onomura

发明人： Takayuki Matsuyama ,  Masaaki Onomura

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02224 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

摘要： According to an aspect of the embodiment, there is provided a semiconductor light emitting device including: a gallium nitride substrate; a multilayer film of nitride semiconductors provided on the gallium nitride substrate; a first film including a first silicon nitride layer; and a second film including a second silicon nitride layer and a laminated film provided on the second silicon nitride layer. The gallium nitride substrate and the multilayer film have a laser light emitting facet and a laser light reflecting facet. The first silicon nitride layer is provided on the laser light emitting facet. The multilayer film includes a light emitting layer, and the multilayer film has a laser light emitting facet and a laser light reflecting facet. The second silicon nitride layer is provided on the laser light reflecting facet, and the laminated film includes oxide layer and silicon nitride layer which are alternately laminated.

摘要翻译： 根据实施例的一个方面，提供了一种半导体发光器件，包括：氮化镓衬底; 设置在氮化镓衬底上的氮化物半导体的多层膜; 包括第一氮化硅层的第一膜; 以及包括第二氮化硅层和设置在第二氮化硅层上的层叠膜的第二膜。 氮化镓衬底和多层膜具有激光发射面和激光反射面。 第一氮化硅层设置在激光发射面上。 多层膜包括发光层，多层膜具有激光发射面和激光反射面。 第二氮化硅层设置在激光反射面上，层叠膜包括交替层叠的氧化物层和氮化硅层。