公开(公告)号：US07372126B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11096235

申请日：2005-03-31

申请人： John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

发明人： John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01G4/236 ,  H01G4/33 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15312 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09718 ,  Y10T29/435 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A thin-film capacitor assembly includes two plates that are accessed through deep and shallow vias. The thin-film capacitor assembly is able to be coupled with a spacer and an interposer. The thin-film capacitor assembly is also able to be stacked with a plurality of thin-film capacitor assemblies. The thin-film capacitor assembly is also part of computing system.

摘要翻译： 薄膜电容器组件包括通过深和浅通孔访问的两个板。 薄膜电容器组件能够与间隔件和插入件耦合。 薄膜电容器组件也能够与多个薄膜电容器组件堆叠。 薄膜电容器组件也是计算系统的一部分。

公开(公告)号：US09572258B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US11027386

申请日：2004-12-30

申请人： Sriram Srinivasan ,  John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev ,  Joel A. Auernheimer

发明人： Sriram Srinivasan ,  John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev ,  Joel A. Auernheimer

IPC分类号： H05K3/36 ,  H05K1/16 ,  H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H05K3/42 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K1/162 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4611 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09309 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a substrate core by attaching a first dielectric layer to a second conductive layer of a thin film capacitor, and attaching a second dielectric layer to a first conductive layer of the thin film capacitor.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过将第一电介质层附着到薄膜电容器的第二导电层并且将第二电介质层附接到薄膜电容器的第一导电层来形成衬底芯。

公开(公告)号：US07636231B2

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：US12055467

申请日：2008-03-26

申请人： John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

发明人： John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01G4/236 ,  H01G4/33 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15312 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09718 ,  Y10T29/435 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A thin-film capacitor assembly includes two plates that are accessed through deep and shallow vias. The thin-film capacitor assembly is able to be coupled with a spacer and an interposer. The thin-film capacitor assembly is also able to be stacked with a plurality of thin-film capacitor assemblies. The thin-film capacitor assembly is also part of computing system.

摘要翻译： 薄膜电容器组件包括通过深和浅通孔访问的两个板。 薄膜电容器组件能够与间隔件和插入件耦合。 薄膜电容器组件也能够与多个薄膜电容器组件堆叠。 薄膜电容器组件也是计算系统的一部分。

公开(公告)号：US20080174938A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US12055467

申请日：2008-03-26

申请人： John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

发明人： John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

IPC分类号： H01G4/38 ,  H01G7/00

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01G4/236 ,  H01G4/33 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15312 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09718 ,  Y10T29/435 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A thin-film capacitor assembly includes two plates that are accessed through deep and shallow vias. The thin-film capacitor assembly is able to be coupled with a spacer and an interposer. The thin-film capacitor assembly is also able to be stacked with a plurality of thin-film capacitor assemblies. The thin-film capacitor assembly is also part of computing system.

摘要翻译： 薄膜电容器组件包括通过深和浅通孔访问的两个板。 薄膜电容器组件能够与间隔件和插入件耦合。 薄膜电容器组件也能够与多个薄膜电容器组件堆叠。 薄膜电容器组件也是计算系统的一部分。

公开(公告)号：US07224571B2

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：US11218357

申请日：2005-09-02

申请人： Sriram Srinivasan ,  John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev ,  Joel A. Auernheimer

发明人： Sriram Srinivasan ,  John S. Guzek ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev ,  Joel A. Auernheimer

IPC分类号： H01G4/228

CPC分类号： H05K1/162 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4611 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09309 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a substrate core by attaching a first dielectric layer to a second conductive layer of a thin film capacitor, and attaching a second dielectric layer to a first conductive layer of the thin film capacitor.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过将第一电介质层附着到薄膜电容器的第二导电层并且将第二电介质层附接到薄膜电容器的第一导电层来形成衬底芯。

公开(公告)号：US07176575B2

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：US10955944

申请日：2004-09-30

申请人： Larry E. Mosley ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

发明人： Larry E. Mosley ,  Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/50 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19106 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/10378 ,  H01L2224/0401

摘要： An electronic device includes a material having a first dielectric constant (K) value, and a material having a second dielectric constant (K) value. The first dielectric constant (K) value is lower than the second dielectric constant (K) value. The electronic device also includes input/output connection conductors for transmitting signals to and from a die. The input/output connection conductors are routed through the material of the interposer having the first dielectric constant. The electronic device also includes power connection conductors for delivering power to the die, and ground connection conductors. The power and ground connection conductors are routed through the material having the second dielectric constant.

摘要翻译： 电子器件包括具有第一介电常数（K）值的材料和具有第二介电常数（K）值的材料。 第一介电常数（K）值低于第二介电常数（K）值。 电子设备还包括用于向模具传送信号和从模具传送信号的输入/输出连接导体。 输入/输出连接导体通过具有第一介电常数的插入件的材料布线。 电子设备还包括用于向模具输送功率的电力连接导体和接地连接导体。 电源和接地连接导体穿过具有第二介电常数的材料。

公开(公告)号：US07209366B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US10804800

申请日：2004-03-19

申请人： Victor Prokofiev ,  Cengiz A. Palanduz

发明人： Victor Prokofiev ,  Cengiz A. Palanduz

IPC分类号： H05K1/11

CPC分类号： H05K7/1092 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/112 ,  H05K1/141 ,  H05K1/147 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/094 ,  H05K2201/10325 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit (IC) package includes a chip carrier and a chip mounted to the chip carrier. The chip carrier has a centrally located power delivery region and a peripherally located input-output (I/O) delivery region disposed in partially surrounding relationship to the power delivery region. Power and ground paths are disposed in the power delivery region and I/O signal paths are disposed in the I/O delivery region.

摘要翻译： 集成电路（IC）封装包括芯片载体和安装到芯片载体的芯片。 芯片载体具有位于中心的电力输送区域和以与电力输送区域部分环绕的关系布置的外围定位的输入输出（I / O）输送区域。 电源和接地路径设置在电力输送区域中，I / O信号路径设置在I / O传送区域中。

公开(公告)号：US06795296B1

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：US10677083

申请日：2003-09-30

申请人： Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

发明人： Cengiz A. Palanduz ,  Victor Prokofiev

IPC分类号： H01G406

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62805 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  H01G4/33 ,  Y10T29/43

摘要： A method for making, and a dielectric material is provided. A capacitor is provided that includes a lossy dielectric layer that is also not leaky. The lossy behavior dampens unwanted oscillations in power supplies or other electrical systems. A capacitor is further provided is tunable for an amount of lossy behavior over a broad range. A core dopant concentration can be varied, and a doped core grain fraction can be varied to control the extent of a desired lossy property in a capacitor. Dielectric materials having grains with doped shells reduce leakiness. Additionally in selected embodiments, undoped core grains mixed with doped core grains reduce leakiness.

摘要翻译： 提供了制造方法和电介质材料。 提供了一种电容器，其包括也不漏的有损介质层。 有损行为会抑制电源或其他电气系统中的不必要的振荡。 进一步提供的电容器可在一个宽范围内调节一定量的有损行为。 可以改变芯掺杂剂浓度，并且可以改变掺杂的芯晶粒分数以控制电容器中期望的有损性质的程度。 具有掺杂壳的晶粒的介电材料减少泄漏。 另外在选择的实施例中，与掺杂的芯颗粒混合的未掺杂的芯晶粒减少泄漏。

公开(公告)号：US20080157343A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11648220

申请日：2006-12-29

申请人： Sriram Dattaguru ,  Larry Binder ,  Cengiz A. Palanduz ,  Chris Jones ,  Dave Bach ,  Kaladhar Radhakrishnan ,  Timothe Litt

发明人： Sriram Dattaguru ,  Larry Binder ,  Cengiz A. Palanduz ,  Chris Jones ,  Dave Bach ,  Kaladhar Radhakrishnan ,  Timothe Litt

IPC分类号： H01L23/13

CPC分类号： H05K1/0262 ,  H01L23/642 ,  H01L25/162 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/19106 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10712 ,  H01L2224/0401

摘要： In some embodiments, a ceramic interposer with silicon voltage regulator and array capacitor combination for integrated circuit packages is presented. In this regard, an apparatus is introduced having a bowl-shaped ceramic interposer containing conductive traces, one or more silicon voltage regulator(s) coupled with contacts on a first surface of the ceramic interposer, and one or more array capacitor(s) coupled with contacts on a second surface of the ceramic interposer. Other embodiments are also disclosed and claimed.

摘要翻译： 在一些实施例中，提供了具有用于集成电路封装的硅电压调节器和阵列电容器组合的陶瓷插入器。 在这方面，引入了一种装置，其具有包含导电迹线的碗形陶瓷插入器，与陶瓷插入件的第一表面上的触点耦合的一个或多个硅电压调节器，以及一个或多个耦合的阵列电容器 在陶瓷插入件的第二表面上具有触点。 还公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US07099139B2

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US10803789

申请日：2004-03-17

申请人： Cengiz A. Palanduz ,  Larry E. Mosley

发明人： Cengiz A. Palanduz ,  Larry E. Mosley

IPC分类号： H01G4/228

CPC分类号： H05K1/162 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/642 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09309 ,  H01L2224/05599

摘要： A base structure is formed from a green material having first and second opposing sides and having a plurality of via openings therein. The green material is then sintered so that the green material becomes a sintered ceramic material and the base structure becomes a sintered ceramic base structure having the via openings. A conductive via is formed in each via opening of the sintered ceramic base structure. First and second capacitor structures are formed on the sintered ceramic base structure, each on a respective side of the sintered ceramic base structure. The power and ground planes of the capacitor structure are connected to the vias. As such, a capacitor structure can be formed and connected to the vias without the need to drill via openings in brittle substrates such as silicon substrates. Capacitor structures on opposing sides provide more capacitance without manufacturing complexities associated with the manufacture of one capacitor structure having a large number of power and ground planes.

摘要翻译： 基部结构由具有第一和第二相对侧并且其中具有多个通孔的绿色材料形成。 然后将生坯材料烧结，使得生坯成为烧结陶瓷材料，并且基体结构变成具有通路孔的烧结陶瓷基体结构。 导电通孔形成在烧结陶瓷基体结构的每个通孔中。 第一和第二电容器结构形成在烧结陶瓷基体结构上，每个在烧结陶瓷基体结构的相应侧上。 电容器结构的电源和接地平面连接到通孔。 因此，可以形成电容器结构并连接到通孔，而不需要在诸如硅衬底的脆性衬底中钻通孔。 相对侧的电容器结构提供更多的电容，而不需要制造与具有大量电源和接地层的一个电容器结构相关联的复杂性。