公开(公告)号：US20060237850A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11110283

申请日：2005-04-20

申请人： Yuan Yuan ,  Kevin Hess ,  Chu-Chung Lee ,  Tu-Anh Tran ,  Alan Woosley ,  Donna Woosley

发明人： Yuan Yuan ,  Kevin Hess ,  Chu-Chung Lee ,  Tu-Anh Tran ,  Alan Woosley ,  Donna Woosley

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3185 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An integrated circuit has a semiconductor substrate and an interconnect layer that mechanically relatively weak and susceptible to cracks and delamination. In the formation of the integrated circuit from a semiconductor wafer, a cut is made through the interconnect layer to form an edge of the interconnect layer. This cut may continue completely through the wafer thickness or stop short of doing so. In either case, after cutting through the interconnect layer, a reconditioning layer is formed on the edge of the interconnect layer. This reconditioning layer seals the existing cracks and delaminations and inhibits the further delamination or cracking of the interconnect layer. The sealing layer may be formed, for example, before the cut through the wafer, after the cut through the wafer but before any packaging, or after performing wirebonding between the interconnect layer and an integrated circuit package.

摘要翻译： 集成电路具有机械相对较弱并易于产生裂纹和分层的半导体衬底和互连层。 在从半导体晶片形成集成电路的过程中，通过互连层进行切割以形成互连层的边缘。 该切割可以完全延续晶片厚度，或者停止这样做。 在任一情况下，在切穿互连层之后，在互连层的边缘上形成再生层。 该修复层密封现有的裂纹和分层，并且抑制互连层的进一步分层或破裂。 密封层可以例如在经过晶片切割之后，经过晶片切割之后，但在任何包装之前，或者在互连层和集成电路封装之间进行引线键合之后形成。

公开(公告)号：US06921979B2

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：US10304416

申请日：2002-11-26

申请人： Susan H. Downey ,  Peter R. Harper ,  Kevin Hess ,  Michael V. Leoni ,  Tu-Anh Tran

发明人： Susan H. Downey ,  Peter R. Harper ,  Kevin Hess ,  Michael V. Leoni ,  Tu-Anh Tran

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/58 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L22/32 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A bond pad (200) has a first wire bond region (202) and a second wire bond region (204). In one embodiment, the first wire bond region (202) extends over a passivation layer (18). In an alternate embodiment, a bond pad (300) has a probe region (302), a first wire bond region (304), and a second wire bond region (306). In one embodiment, the probe region (302) and the wire bond region (304) extend over a passivation layer (18). The bond pads may have any number of wire bond and probe regions and in any configuration. The ability for the bond pads to have multiple wire bond regions allows for multiple wire connections to a single bond pad, such as in multi-chip packages. The ability for the bond pads to extend over the passivation layer also allows for reduced integrated circuit die area.

摘要翻译： 接合焊盘（200）具有第一引线接合区域（202）和第二引线接合区域（204）。 在一个实施例中，第一引线接合区域（202）在钝化层（18）上延伸。 在替代实施例中，接合焊盘（300）具有探针区域（302），第一引线接合区域（304）和第二引线接合区域（306）。 在一个实施例中，探针区域（302）和引线接合区域（304）在钝化层（18）上延伸。 接合焊盘可以具有任何数量的引线键合和探针区域并且具有任何构造。 接合焊盘具有多个引线接合区域的能力允许多个电线连接到单个接合焊盘，例如在多芯片封装中。 接合焊盘在钝化层上延伸的能力也允许减小集成电路管芯面积。

公开(公告)号：US20070194460A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11360336

申请日：2006-02-23

申请人： Chu-Chung Lee ,  Kevin Hess

发明人： Chu-Chung Lee ,  Kevin Hess

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/01202

摘要： A bond pad for an electronic device such as an integrated circuit makes electrical connection to an underlying device via an interconnect layer. The bond pad has a first layer of a material that is aluminum and copper and a second layer, over the first layer, of a second material that is aluminum and is essentially free of copper. The second layer functions as a cap to the first layer for preventing copper in the first layer from being corroded by residual chemical elements. A wire such as a gold wire may be bonded to the second layer of the bond pad.

摘要翻译： 用于诸如集成电路的电子器件的接合焊盘通过互连层电连接到下面的器件。 接合焊盘具有铝和铜的材料的第一层，在第一层上具有作为铝的第二材料的第二层，并且基本上不含铜。 第二层用作第一层的帽，以防止第一层中的铜被残留的化学元素腐蚀。 诸如金线的线可以结合到接合焊盘的第二层。

公开(公告)号：US20070023880A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11192525

申请日：2005-07-29

申请人： Kevin Hess ,  Chu-Chung Lee

发明人： Kevin Hess ,  Chu-Chung Lee

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/50 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/552 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor package (10) uses a plurality of thermal conductors (56-64) that extend upward within an encapsulant (16) from one or more thermal bond pads (22, 24, 26) on a die (14) to disperse heat. The thermal conductors may be bond wires or conductive stud bumps and do not extend beyond a lateral edge of the die. One or more of the thermal conductors may be looped within the encapsulant and exposed at an upper surface of the encapsulant. In one form a heat spreader (68) is placed overlying the encapsulant for further heat removal. In another form the heat spreader functions as a power or ground terminal directly to points interior to the die via the thermal conductors. Active bond pads may be placed exclusively along the die's periphery or also included within the interior of the die.

摘要翻译： 半导体封装（10）使用从模具（14）上的一个或多个热粘合垫（22,24,26）在密封剂（16）内向上延伸的多个热导体（56-64），以分散热量。 热导体可以是接合线或导电柱状凸起，并且不延伸超过模具的侧边缘。 一个或多个热导体可以环绕在密封剂内并暴露在密封剂的上表面。 在一种形式中，将散热器（68）放置在所述密封剂上方以进一步除热。 在另一种形式中，散热器用作电源或接地端子，直接通过热导体指向芯片的内部。 主动键合焊盘可以沿模具的周边排列，也可以包括在模具的内部。

公开(公告)号：US5695282A

公开(公告)日：1997-12-09

申请号：US606538

申请日：1996-02-23

申请人： Kevin Hess

发明人： Kevin Hess

IPC分类号： A47J43/27 ,  B01F11/00 ,  B01F13/00 ,  B01F15/00

CPC分类号： B01F11/0082 ,  A47J43/27 ,  B01F13/002 ,  B01F15/00681

摘要： A combination mixing pitcher having a mixer subassembly that incorporates an impeller which is reciprocally longitudinally slidably movable but not rotatable within the pitcher. The impeller is fixed to one end of a plunger rod that reciprocates slidably through a matingly engagable axial channel in a lid that peripherally closes the pitcher mouth. The impeller employs a plurality of flat, radially pitched, fan shaped blades that are in radially equally spaced relationship to each other and that extend between a central hub and a peripheral polygonally configured rim. The mixer subassembly maximizes mixing of a liquid in the pitcher with a minimum of time and energy and with no spillage.

摘要翻译： 一种具有混合器子组件的组合混合搅拌器，该混合器组件包括可往复地纵向可滑动地移动但不能在投手内旋转的叶轮。 叶轮被固定到柱塞杆的一端，柱塞杆的一端可滑动地往复运动，通过在盖子上的可配合地接合的轴向通道，该盖子周边地关闭投手口。 叶轮采用多个扁平的，径向倾斜的扇形叶片，其彼此处于径向等间隔的关系，并且在中心轮毂和外围多边形配置的轮缘之间延伸。 混合器组件最大限度地使投手中的液体与最少的时间和能量混合，并且不会溢出。

公开(公告)号：USD384237S

公开(公告)日：1997-09-30

申请号：US50370

申请日：1996-02-15

申请人： Kevin Hess

设计人： Kevin Hess

公开(公告)号：US20100252472A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12418557

申请日：2009-04-03

申请人： Michael E. Law ,  Kevin Hess

发明人： Michael E. Law ,  Kevin Hess

IPC分类号： A61F17/00

CPC分类号： A61F17/00

摘要： A portable wound care kit sized, shaped, and configured to carry only articles necessary for wound care treatment. In one embodiment, the wound care kit contains only a container of wound treatment medicament and two or more wound coverings. However, the wound care kit may also be configured to carry wound cleansing wipes or wound wash. The wound care kit is configured to permit ready and easy access to the wound care treatment articles.

摘要翻译： 便携式伤口护理套件的尺寸，形状和配置仅携带伤口护理治疗所需的物品。 在一个实施方案中，伤口护理套件仅包含容器的伤口治疗药物和两个或更多个伤口覆盖物。 然而，伤口护理套件也可以被配置为携带伤口清洁擦拭物或伤口清洗。 伤口护理套件被配置为允许准备并容易地接近伤口护理治疗物品。

公开(公告)号：US20060022353A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10909100

申请日：2004-07-30

申请人： Sergio Ajuria ,  Kevin Hess ,  Yizhe Huang

发明人： Sergio Ajuria ,  Kevin Hess ,  Yizhe Huang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit die (10) includes a substrate (64), a plurality of metal interconnect layers (62) formed over the substrate (64), an insulating layer (58), a first pad (12), a second pad (14), and a probe pad (16). The first pad (12) is formed over the insulating layer (58) at an edge (11) of the integrated circuit die (10). The second pad (14) is formed over the insulating layer (58) adjacent to the first pad (12) on a side of the first pad (12) that is opposite to the edge (11). The probe pad (16) is formed over the insulating layer (58) on a side of the second pad (14) that is opposite to the edge (11), wherein the probe pad (16) is electrically connected to the first pad (12). The probe pad (16) may be formed over active circuitry of the substrate instead of over a peripheral area of the die (10), thus reducing the surface area of the die (10).

摘要翻译： 集成电路管芯（10）包括衬底（64），形成在衬底（64）上的多个金属互连层（62），绝缘层（58），第一焊盘（12），第二焊盘（14） ）和探针垫（16）。 第一焊盘（12）在集成电路管芯（10）的边缘（11）处形成在绝缘层（58）上。 第二焊盘（14）形成在与第一焊盘（12）相邻的绝缘层（58）的第一焊盘（12）的与边缘（11）相对的一侧上。 探针焊盘（16）形成在第二焊盘（14）的与边缘（11）相对的一侧上的绝缘层（58）上，其中探针焊盘（16）电连接到第一焊盘 12）。 探针焊盘（16）可以形成在衬底的有源电路上，而不是在管芯（10）的周边区域上方，从而减小管芯（10）的表面积。

公开(公告)号：USD386940S

公开(公告)日：1997-12-02

申请号：US050369

申请日：1996-02-15

申请人： Kevin Hess

设计人： Kevin Hess

公开(公告)号：US20060154470A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11033009

申请日：2005-01-11

申请人： Scott Pozder ,  Kevin Hess ,  Pak Leung ,  Edward Travis ,  Brett Wilkerson ,  David Wontor ,  Jie-Hua Zhao

发明人： Scott Pozder ,  Kevin Hess ,  Pak Leung ,  Edward Travis ,  Brett Wilkerson ,  David Wontor ,  Jie-Hua Zhao

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/522 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A technique for alleviating the problems of defects caused by stress applied to bond pads (32) includes, prior to actually making an integrated circuit (10), adding dummy metal lines (74, 76) to interconnect layers (18, 22, 26) to increase the metal density of the interconnect layers. These problems are more likely when the interlayer dielectrics (16, 20, 24) between the interconnect layers are of a low-k material. A critical area or force area (64) around and under each bond pad defines an area in which a defect may occur due to a contact made to that bond pad. Any interconnect layer in such a critical area that has a metal density below a certain percentage can be the cause of a defect in the interconnect layers. Any interconnect layer that has a metal density below that percentage in the critical area has dummy metal lines added to it.

摘要翻译： 减轻施加到接合焊盘（32）的应力引起的缺陷的问题的技术包括：在实际制造集成电路（10）之前，将互连层（18,22,26）中的虚设金属线（74,76） 以增加互连层的金属密度。 当互连层之间的层间电介质（16,20,24）为低k材料时，这些问题更有可能。 在每个接合垫周围和之下的临界区域或力区域（64）限定了由于与该接合焊盘的接触而可能发生缺陷的区域。 金属密度低于某一百分比的这样关键区域中的任何互连层可能是互连层中缺陷的原因。 在临界区域中具有低于该百分比的金属密度的任何互连层都添加有虚拟金属线。