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    PATTERNING OF ELECTROLESS METALS BY SELECTIVE DEACTIVATION OF CATALYSTS
    1.
    发明申请
    PATTERNING OF ELECTROLESS METALS BY SELECTIVE DEACTIVATION OF CATALYSTS 有权
    通过催化剂的选择性还原来形成电解金属

    公开(公告)号：US20160113121A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：US14918227

    申请日：2015-10-20

    申请人： Averatek Corporation

    发明人： Mihir Reddy ,  Michael Riley Vinson ,  Sunity K. Sharma

    IPC分类号： H05K3/18 ,  H05K1/09

    CPC分类号： H05K3/184 ,  C23C18/00 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1817 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1865 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2033 ,  C23C18/208 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  H05K2203/0565 ,  H05K2203/125

    摘要： Methods and devices for patterning electroless metals on a substrate are presented. An active catalyst layer on the substrate can be covered with a patterned mask and treated with a deactivating chemical reagent, which deactivates the catalyst layer not covered by the mask. Once the patterned mask is removed, the electroless metal layer can be placed to have a patterned electroless metals. Alternatively, a substrate can be coated with a blocking reagent in a pattern first to inhibit formation of the catalyst layer before a catalyst layer can be placed over the blocking agent layer and then electroless metal layer is placed on the catalyst layer. The pattern of the blocking reagent acts as a negative pattern of the final conductive line pattern.

    摘要翻译： 介绍了在基板上图案化无电金属的方法和装置。 衬底上的活性催化剂层可以用图案化掩模覆盖并用钝化化学试剂处理，其使未被掩模覆盖的催化剂层失活。 一旦图案化掩模被去除，化学金属层可被放置成具有图案化的无电金属。 或者，可以在将催化剂层置于封闭剂层之上，然后将无电金属层放置在催化剂层上之前，首先以模式首先用封装剂涂覆底物以抑制催化剂层的形成。 封闭试剂的图案作为最终导电线图案的负图案。

    PRE-TREATMENT METHOD OF PLATING, STORAGE MEDIUM, AND PLATING SYSTEM
    3.
    发明申请
    PRE-TREATMENT METHOD OF PLATING, STORAGE MEDIUM, AND PLATING SYSTEM 有权
    镀层，储存介质和镀层系统的预处理方法

    公开(公告)号：US20150247242A1

    公开(公告)日：2015-09-03

    申请号：US14633319

    申请日：2015-02-27

    申请人： Tokyo Electron Limited

    发明人： Kazutoshi Iwai ,  Nobutaka Mizutani ,  Mitsuaki Iwashita

    IPC分类号： C23C18/18

    CPC分类号： C23C18/1865 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/1817 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893

    摘要： A pre-treatment method of plating and a plating system can perform a uniform plating process in which sufficient adhesivity on a surface of a substrate is obtained. The pre-treatment method of plating includes a coupling layer forming process of forming a titanium-based coupling layer 21b on the surface of the substrate with a titanium coupling agent; and a coupling layer modification process of modifying a surface of the titanium-based coupling layer 21b with a modifying liquid after the coupling layer forming process.

    摘要翻译： 电镀和电镀系统的预处理方法可以进行均匀的电镀工艺，其中获得在基板表面上的足够的粘合性。 电镀的预处理方法包括：用钛偶联剂在基板的表面上形成钛基结合层21b的结合层形成工序; 以及在耦合层形成工艺之后用改性液体改性钛基偶联层21b的表面的耦合层改性方法。

    Methods of Filling Voids in Copper Structures
    4.
    发明申请
    Methods of Filling Voids in Copper Structures 审中-公开
    在铜结构中填充空隙的方法

    公开(公告)号：US20130108779A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13285380

    申请日：2011-10-31

    申请人： Torsten Huisinga ,  Jens Hahn

    发明人： Torsten Huisinga ,  Jens Hahn

    IPC分类号： B05D5/12

    CPC分类号： C25D5/50 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1817 ,  C23C18/50 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Disclosed herein are various methods of filing voids in copper conductive structures on integrated circuit devices. In one example, the method includes the steps of forming a conductive copper structure in a layer of insulating material and performing an electroless deposition process to selectively form a fill layer comprised of a conductive material on the copper containing structure, the fill layer being adapted to at least partially fill any voids that may exist in the conductive copper structure.

    摘要翻译： 这里公开了在集成电路器件上的铜导电结构中填充空隙的各种方法。 在一个实例中，该方法包括以下步骤：在绝缘材料层中形成导电铜结构，并执行无电沉积工艺以选择性地在含铜结构上形成由导电材料构成的填充层，所述填充层适于 至少部分地填充可能存在于导电铜结构中的任何空隙。