放熱構造体及びそれを利用した半導体モジュール
    12.
    发明申请
    放熱構造体及びそれを利用した半導体モジュール 审中-公开
    使用相同的散热结构和半导体模块

    公开(公告)号:WO2016043095A1

    公开(公告)日:2016-03-24

    申请号:PCT/JP2015/075526

    申请日:2015-09-09

    Abstract:  熱的信頼性に優れた放熱構造体や半導体モジュールを提供することを目的とする。 上記課題を解決するために、本発明に係る放熱構造体は、金属、セラミック、半導体の何れかである第1部材と第2部材とを、ダイボンディング部材を介して接着した放熱構造体、或いは半導体チップと、金属配線と、セラミックス絶縁基板と、金属を含む放熱ベース基板とを、それぞれダイボンディング部材を介して接着した半導体モジュールであって、前記ダイボンディング部材のうち何れか1つ以上が無鉛低融点ガラス組成物と金属粒子とを含み、前記無鉛低融点ガラス組成物が、次の酸化物換算でV 2 O 5 、TeO 2 及びAg 2 Oを主要成分とし、これらの合計が78モル%以上であり、TeO 2 とAg 2 Oの含有量がV 2 O 5 の含有量に対して、それぞれ1~2倍であり、さらに副成分としてBaO、WO 3 又はP 2 O 5 のうち何れか一種以上を合計20モル%以下、及び追加成分としてY 2 O 3 、La 2 O 3 又はAl 2 O 3 のうち何れか一種以上を合計2.0モル%以下で含有することを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有优异的热可靠性的散热结构和半导体模块。 为了解决上述问题,本发明提供一种通过芯片接合部件将由金属,陶瓷和半导体构成的第一部件和第二部件接合而形成的散热结构体, 或通过将半导体芯片,金属线,陶瓷绝缘基板和包括金属的散热基底基板接合而形成的半导体模块,其间插入有芯片接合构件。 本发明的特征在于:至少一个芯片接合部件包括无铅低熔点玻璃组合物和金属颗粒; 以作为主要成分的氧化物V 2 O 5,TeO 2和Ag 2 O的总量计,无铅低熔点玻璃组合物占78摩尔%以上; TeO2和Ag2O的含量为V2O5含量的1〜2倍; BaO,WO3和P2O5中的至少一种作为辅助成分包含在总计20摩尔%以下的范围内。 并且包含Y 2 O 3,La 2 O 3和Al 2 O 3中的至少一种作为附加成分,总共为2.0摩尔%以下。

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