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    半導体装置
    61.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2014196309A1

    公开(公告)日：2014-12-11

    申请号：PCT/JP2014/062389

    申请日：2014-05-08

    Applicant: 富士電機株式会社

    Inventor： 梨子田　典弘 ,  中村　瑶子

    IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

    CPC classification number: H01L23/053 ,  H01L23/08 ,  H01L24/01 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　スルーホールが設けられているプリント基板の位置決め精度を確保するとともに、外部端子が傾いていても確実にスルーホールに外部端子を挿入することができる。　半導体素子（６）が接合されたＤＣＢ基板（４）と、ＤＣＢ基板（４）に設けられた凹部（１２）に挿入された外部端子（１０）と、スルーホール（１３）及びＤＣＢ基板（４）に対向するよう配置されたポスト電極（８）を有するプリント基板（９）とを備えた半導体装置（５０）において、外部端子（１０）を挿入されているプリント基板（９）のスルーホール（１３）の周縁領域にスリット（１５）が形成されている。

    Abstract translation: 本发明的目的是确保设置有通孔的印刷基板的定位精度，并且即使当外部端子倾斜时也能够将外部端子可靠地插入到通孔中。 半导体器件（50）具有与半导体元件（6）接合的DCB基板（4），插入到设置在DCB基板（4）上的凹部（12）中的外部端子（10）和印刷基板 9）具有设置成面对DCB基板（4）的通孔（13）和柱状电极（8）。 狭缝（15）形成在印刷基板（9）的插入外部端子（10）的通孔（13）的周边区域上。

    パワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器
    63.
    发明申请
    パワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器 审中-公开
    功率半导体模块及其制造方法和功率转换器

    公开(公告)号：WO2014175062A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：PCT/JP2014/060178

    申请日：2014-04-08

    Applicant: 富士電機株式会社

    Inventor： 岡本　健次

    IPC: H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

    CPC classification number: H01L23/045 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/52 ,  H01L23/08 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19107 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　上部に凸状の段差部（１２）を有する金属ブロック（１）の上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層（２）が直接形成された絶縁層付金属ブロック（３）の素子実装領域にパワー半導体素子（４）を接合し、この絶縁層付金属ブロック（３）を金属板（５）の庇付貫通孔（１７）内に嵌合して固定することにより、低コストで放熱性に優れたパワー半導体モジュール（１００）を製作できる。また、このパワー半導体モジュール（１００）と、ヒートシンク（１１）とを備え、金属ブロック（１）の下面が絶縁層（２）を介してヒートシンク（１１）に当接するようにしてパワー半導体モジュール（１００）をヒートシンク（１１）に固定することにより、低コストで小型の電力変換器（３００）を製作できる。

    Abstract translation: 功率半导体元件（4）接合到绝缘层附着金属块（3）的元件安装区域，其中由金属块（1）外的金属块（1）之外的金属直接形成由陶瓷材料构成的绝缘层（2） 所述金属块在其上部具有突出的台阶部分（12），并且在除了元件安装区域之外的上表面部分上，并且所述绝缘层附着金属块（3）通过将金属 阻挡在金属板（5）的檐附接通孔（17）中，从而可以以低成本制造具有优异散热特性的功率半导体模块（100）。 此外，通过提供功率半导体模块（100）和散热器（11），并且将功率半导体模块（100）固定到散热器（11），可以以低成本制造小功率转换器（300），使得 金属块（1）的下表面经由绝缘层（2）与散热器（11）接触。

    パワー半導体モジュール及びこれを用いた電力変換装置
    65.
    发明申请
    パワー半導体モジュール及びこれを用いた電力変換装置 审中-公开
    功率半导体模块和功率转换装置使用相同

    公开(公告)号：WO2014091608A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/JP2012/082403

    申请日：2012-12-13

    Applicant: 株式会社 日立製作所

    Inventor： 国広　真実 ,  石川　勝美 ,  畑中　歩 ,  増田　徹 ,  景山　寛 ,  小川　和俊

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18

    CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/427 ,  H01L23/467 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　パワー半導体モジュールのインダクタンスを低減し、且つ多数並列に実装した半導体素子間の電流バランスを改善すること。　複数の金属層間４，６に絶縁層８を介在させて積層構造とした矩形状の回路基板１と、正極側端子２と、負極側端子５と、上層金属層に載置された半導体素子３と、を備え、上層金属層４は半導体素子３の外に正極側端子２と下層金属層６と電気的接続され、下層金属層６は負極側端子５と電気的接続され、正極側端子２と負極側端子５とは近接した位置で対として配置され、正極側端子２及び負極側端子５と半導体素子３とを通る電流経路は、回路基板１の短辺方向に沿って形成され、正極側端子２と負極側端子５の対が回路基板１の長辺方向に沿って複数設置されること。半導体素子３は上層金属層４の短辺方向に沿って複数並列して配置されること。また、複数の半導体素子３に流れる電流通路は互いに略同一の電流通路長さを有すること。

    Abstract translation: 根据本发明，功率半导体模块的电感减小，并且提高了多个并联安装的半导体元件之间的电流平衡。 本发明提供有：具有层叠结构的矩形电路板（1），绝缘层（8）插入在多个金属层（4,6）之间; 正电极侧端子（2）; 负电极侧端子（5）; 和安装在顶层金属层上的半导体元件（3）。 顶层金属层（4）与半导体元件（3），底层金属层（6）之间的底层金属层（6）和正极侧端子（2）电连接， 电连接到负极侧端子（5），正极侧端子（2）和负极侧端子（5）成对配置在相邻的位置，电流通路 正电极侧端子（2）和负极侧端子（5）和半导体元件（3）沿电路板（1）的短边方向形成， 电极侧端子（2）和负极侧端子（5）沿着电路基板（1）的长边方向多次配置。 半导体元件（3）沿着顶层金属层（4）的短边方向平行地配置。 此外，流过多个半导体元件（3）的电流通路具有全部基本相同的电流通路长度。

    スイッチング素子ユニット
    68.
    发明申请
    スイッチング素子ユニット 审中-公开
    开关元件单元

    公开(公告)号：WO2014021112A1

    公开(公告)日：2014-02-06

    申请号：PCT/JP2013/069492

    申请日：2013-07-18

    Applicant: アイシン・エィ・ダブリュ株式会社

    Inventor： 戸谷浩久

    IPC: H01L25/07 ,  H01G4/40 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

    CPC classification number: H03K17/687 ,  H01G4/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40265 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M7/003 ,  Y02T10/7022 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

    Abstract: 　ユニット全体の小型化を図りつつ、平滑コンデンサを備えることが可能なスイッチング素子ユニットを実現する。　平滑コンデンサ５０は、誘電体部分５３がセラミック材料で形成されたセラミックコンデンサであり、その外面には、誘電体部分５３と一体的に形成された素子配置面Ｓ１が含まれている。素子配置面Ｓ１に、平滑コンデンサ５０の正極端子５１に電気的に接続される正極側接続電極Ｐ１と、平滑コンデンサ５０の負極端子５２に電気的に接続される負極側接続電極Ｐ２とが形成されている。直列素子ユニットを構成するスイッチング素子１０とダイオード素子とが素子配置面Ｓ１に配置されていると共に、当該直列素子ユニットの正極側端子部３１と正極側接続電極Ｐ１とが電気的に接続され、当該直列素子ユニットの負極側端子部３２と負極側接続電極Ｐ２とが電気的に接続されている。

    Abstract translation: 为了实现能够包括平滑电容器的开关元件单元，同时作为整体的尺寸减小。 平滑电容器（50）是具有由陶瓷材料形成的电介质部（53）的陶瓷电容器。 平滑电容器（50）的外表面包括与电介质部分（53）整体形成的元件布置表面（S1）。 与平滑电容器（50）的正极端子（51）电连接的正极侧连接电极（P1）和与负极端子电连接的负极侧连接电极（P2） 平滑电容器（50）的电极（52）形成在元件配置面（S1）上。 构成串联元件单元的开关元件（10）和二极管元件设置在元件配置面（S1）上，串联元件单元的正极侧端子部（31）和正极侧连接 电极（P1）彼此电连接，而串联元件单元和负极侧连接电极（P2）的负极侧端子部分（32）彼此电连接。

    半導体モジュール
    69.
    发明申请
    半導体モジュール 审中-公开
    半导体模块

    公开(公告)号：WO2013132644A1

    公开(公告)日：2013-09-12

    申请号：PCT/JP2012/056078

    申请日：2012-03-09

    Applicant: 三菱電機株式会社 ,  羽鳥 憲司

    Inventor： 羽鳥　憲司

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L23/3672 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　パワー半導体チップ（１０ａ，２０ｂ）と、パワー半導体チップ（１０ａ）に比べて消費電力が低い低電力部（９０ｃ）とが、導電性を有するヒートシンク（６０）の所定面（６１）の側に設けられている。パワー半導体チップ（１０ａ，２０ｂ）とヒートシンク（６０）との間に第１の板状絶縁部材（３０ａｂ）が延在している。低電力部（９０ｃ）とヒートシンク（６０）との間に第２の板状絶縁部材（３０ｃ）が延在している。第２の板状絶縁部材（３０ｃ）のうちで低電力部（９０ｃ）に面する部分（３３ｃ）は、第１の板状絶縁部材（３０ａｂ）のうちでパワー半導体チップ（１０ａ，２０ｂ）に面する部分（３３ａｂ）に比べて厚い。

    Abstract translation: 与功率半导体芯片（10a）相比，其功率消耗低的功率半导体芯片（10a，20b）和低功率部分（90c）被布置在导电散热器（60）的给定表面（61）上 ）。 第一带状绝缘构件（30ab）在功率半导体芯片（10a，20b）和散热片（60）之间延伸。 第二带状绝缘构件（30c）在低功率部分（90c）和散热器（60）之间延伸。 面对低功率部分（90c）的第二带状绝缘构件（30c）的部分（33c）比面向功率半导体芯片（10a）的第一带状绝缘构件（30ab）的部分（33ab）厚 ，20b）。

    パワー半導体モジュールおよびその製造方法
    70.
    发明申请
    パワー半導体モジュールおよびその製造方法 审中-公开
    功率半导体模块及其制造方法

    公开(公告)号：WO2012172862A1

    公开(公告)日：2012-12-20

    申请号：PCT/JP2012/060278

    申请日：2012-04-16

    Applicant: 富士電機株式会社 ,  柳川 克彦 ,  池田 良成

    Inventor： 柳川　克彦 ,  池田　良成

    IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    CPC classification number: H01L23/08 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/053 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3135 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/162 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 【目的】炭化シリコン素子を用いたパワー半導体モジュールの素子近傍の温度と、外周部の温度に適した封止材を使用したパワー半導体モジュールを提供する。 【解決手段】絶縁層と、前記絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第１銅ブロックと第２銅ブロックとを備える銅ベース基板と、前記第１銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、前記パワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、前記インプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第１の封止材と、前記第１の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第２の封止材と、を備えるパワー半導体モジュール。

    Abstract translation: [目的]提供一种功率半导体模块，其中使用适合于使用碳化硅元件的功率半导体模块元件附近的温度及其外部周围温度的密封材料。 功率半导体模块包括：绝缘层; 铜基基板，还包括分别固定在所述绝缘层的一个面和另一个面上的第一铜块和第二铜块; 使用碳化硅的多个功率半导体元件，其一面通过导电接合层锚定在第一铜块上; 多个植入销，其通过导电结合层锚固到每个相应的功率半导体元件的另一个面上; 印刷基板，其被固定到所述注入针上并定位成面向所述功率半导体元件; 第一密封材料，其中不添加耐热材料并且至少位于功率半导体元件和印刷基板之间; 以及第二密封材料，其中加入耐热材料并且其被定位成覆盖第一密封材料。

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