公开(公告)号：WO2003075340A2

公开(公告)日：2003-09-12

申请号：PCT/BE2003/000038

申请日：2003-03-03

申请人： INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ,  BANDA, Pedro ,  HO, Meng ,  WHELAN, Caroline

发明人： BANDA, Pedro ,  HO, Meng ,  WHELAN, Caroline

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  B82Y30/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48678 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48878 ,  H01L2224/85011 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85355 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/85395 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H05K3/282 ,  H05K3/328 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2224/48778 ,  H01L2924/00015

摘要： A method for obtaining metal-to-metal contact between a bonding surface of a metallic bonding area and a second metal surface is disclosed. The method comprises the steps of : - coating said bonding surface of said metallic bonding area with a chemical composition that forms a self-assembled monolayer on said bonding surface of said metallic bonding area, and - bonding said second metal surface on said coated bonding surface through said self­assembled monolayer. The combination of the coating step and the bonding step result in a metal to metal contact between the bonding surface of he metallic bonding area and the second metal surface. The metallic bonding area can be a semiconductor bond pad, e.g. of a semiconductor device.

摘要翻译： 公开了一种用于在金属接合区域的接合表面和第二金属表面之间获得金属对金属接触的方法。 该方法包括以下步骤： - 在所述金属接合区的所述接合表面上，用形成自组装单层的化学组合物涂覆所述金属接合区的所述接合表面，以及 - 将所述第二金属表面粘结在所述涂覆的接合表面上 通过所述自组装的单层。 涂覆步骤和粘合步骤的组合导致金属接合区域的接合表面和第二金属表面之间的金属与金属的接触。 金属接合区域可以是半导体接合焊盘，例如， 的半导体器件。

公开(公告)号：WO2013006209A2

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/US2012/000316

申请日：2012-07-03

申请人： EOPLEX LIMITED ,  ROGREN, Philip, E.

发明人： ROGREN, Philip, E.

CPC分类号： H01L21/4828 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85469 ,  H01L2224/85484 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A lead carrier provides support for a semiconductor device during manufacture. The lead carrier includes a temporary support member with multiple package sites. Each package site includes a die attach pad surrounded by a plurality of terminal pads. The pads are formed of a fusible fixing material on a lower portion. A chip is mounted upon the die attach pad and wire bonds extend from the chip to the terminal pads. The pads, chip and wire bonds are all encapsulated within a mold compound. The temporary support member can be heated above a melting temperature of the fusible fixing material and peeled away and then the individual package sites can be isolated from each other to provide completed packages including multiple surface mount joints for mounting within an electronics system board.

摘要翻译： 引线载体在制造期间为半导体器件提供支持。 引线架包括具有多个封装位置的临时支撑构件。 每个包装部位包括由多个端子焊盘包围的管芯附接焊盘。 焊盘由下部的可熔固定材料形成。 芯片安装在管芯附着焊盘上，引线接合从芯片延伸到端子焊盘。 焊盘，芯片和引线键都被封装在模具化合物中。 临时支撑构件可以被加热到可熔固定材料的熔化温度以上并被剥离，然后将各个封装位置彼此隔离，以提供包括用于安装在电子系统板内的多个表面安装接头的完整的封装。

公开(公告)号：WO2014034411A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/JP2013/071622

申请日：2013-08-09

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 藤野　純司 ,  米田　裕 ,  大西　良孝 ,  菅原　済文

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

CPC分类号： H05K1/0203 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/4024 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16172 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/92252 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2076

摘要： 　絶縁層(8)を介して放熱部材(9)が接合される伝熱板(4)と、伝熱板(4)に対して、所定の間隔をあけて配置され、外側面に形成された電極パターン(32)の近傍に開口部(3a)が設けられたプリント基板(3)と、伝熱板(4)とプリント基板(3)との間に配置され、裏面が伝熱板(4)に接合された電力用半導体素子(2)と、電力用半導体素子(2)の表面に形成された主電力用電極(21C)の第１の接合部に一端が接合され、他端が第２の接合部(32p)に接合された配線部材(5)と、を備え、主電力用電極(21C)からプリント基板(3)に向かって垂直方向に延びる空間に、第２の接合部(32p)の少なくとも一部が入るとともに、開口部(3a)から垂直方向に延びる空間に、第１の接合部が包含されるように構成した。

摘要翻译： 本发明提供一种电力半导体装置，其特征在于，包括：散热构件（9）与隔着绝缘层（8）接合的传热板（4）; 印刷基板（3），其以与传热板（4）相同的间隔布置，并且在外侧表面上具有位于电极图案（32）附近的开口（3a） 布置在所述传热板（4）和所述印刷基板（3）之间并具有与所述传热板（4）接合的背面的电力半导体元件（2）。 以及其一端接合到形成在所述电力半导体元件（2）的表面上的主电力电极（21C）的第一接合部的配线构件（5），并且其另一端接合到 第二接合部（32p）。 该装置被配置为使得第二接合部分（32p）的至少一部分落在从主电力电极（21C）朝向印刷基板（3）沿垂直方向延伸的空间中，并且同时 第一接合部分包括在从开口（3a）沿垂直方向延伸的空间中。

公开(公告)号：WO2013006209A3

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：PCT/US2012000316

申请日：2012-07-03

申请人： EOPLEX LTD ,  ROGREN PHILIP E

发明人： ROGREN PHILIP E

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L21/4828 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85469 ,  H01L2224/85484 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A lead carrier provides support for a semiconductor device during manufacture. The lead carrier includes a temporary support member with multiple package sites. Each package site includes a die attach pad surrounded by a plurality of terminal pads. The pads are formed of a fusible fixing material on a lower portion. A chip is mounted upon the die attach pad and wire bonds extend from the chip to the terminal pads. The pads, chip and wire bonds are all encapsulated within a mold compound. The temporary support member can be heated above a melting temperature of the fusible fixing material and peeled away and then the individual package sites can be isolated from each other to provide completed packages including multiple surface mount joints for mounting within an electronics system board.

摘要翻译： 引线载体在制造期间为半导体器件提供支撑。 引导载体包括具有多个封装部位的临时支撑部件。 每个封装部位包括由多个端子焊盘围绕的管芯附连焊盘。 垫在下部由可熔固定材料形成。 芯片安装在芯片连接焊盘上，引线键合从芯片延伸到端子焊盘。 焊盘，芯片和引线键合都封装在模具化合物内。 临时支撑构件可以被加热到易熔固定材料的熔化温度以上并且被剥离，然后各个封装位置可以彼此隔离以提供包括用于安装在电子系统板内的多个表面安装接头的完整封装。

公开(公告)号：WO2012049893A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：PCT/JP2011/065487

申请日：2011-07-06

申请人： 田中電子工業株式会社 ,  三上 道孝 ,  中島 伸一郎 ,  宮崎 兼一 ,  松尾 寛

发明人： 三上　道孝 ,  中島　伸一郎 ,  宮崎　兼一 ,  松尾　寛

IPC分类号： H01L21/60 ,  B21B1/22 ,  B23K20/04 ,  B32B15/01

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K20/10 ,  B23K2203/08 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/18 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004

摘要： 【課題】高温半導体素子用銀クラッド銅リボンにおけるパッド電極界面との接合信頼性の向上、クラッド界面のクラッド層剥がれの抑制。 【解決手段】高純度の銀クラッド層と高純度の銅芯材テープからなる銀クラッド銅リボンにおいて、クラッド加工後に４５０～７５０℃で熱処理してクラッド層の加工組織を解消しておくことにより、ボンディング時にパッド界面に形成されるクラッド層の高歪の微細な結晶組織からなる加工組織の発達を抑制して、クラッド層の他の領域との硬さの差を小さくしてクラック発生を防止すると共に高温使用環境下で微細な粒状結晶組織を形成して、パッド層からのＡｌなどの拡散を抑制し、パッド界面及びクラッド界面の金属間化合物 の生成を抑制し、接合強度と信頼性向上する。

摘要翻译： [问题]在用于高温半导体器件的银包覆钢带中，提高与焊盘电极界面的接合可靠性并抑制在包层界面处的覆层剥离。 [解决方案]本发明的镀银钢带包括高纯银包覆层和高纯度钢芯材料带。 包覆后，通过在450〜750℃的热处理来除去包层处理结构，由此抑制了在接合时在焊盘界面形成的包覆层的高度变形的微细结晶结构构成的处理结构的发展， 与包覆层的其它区域的硬度的差异降低，防止发生龟裂。 通过在高热使用环境下形成精细的晶体结构，可以抑制从焊盘层扩散A1等，抑制焊盘界面和包层界面的金属间化合物的产生，结合强度和可靠性 改进。

公开(公告)号：WO2004093186A1

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：PCT/JP2004/005365

申请日：2004-04-15

申请人： 電気化学工業株式会社 ,  米村 直己 ,  八島 克憲 ,  辻村 好彦 ,  石倉 秀則 ,  齊木 高志

发明人： 米村 直己 ,  八島 克憲 ,  辻村 好彦 ,  石倉 秀則 ,  齊木 高志

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85466 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/0224 ,  H05K1/024 ,  H05K1/025 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09745 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2224/4866

摘要： 混成集積回路の高周波動作時に発生する半導体の誤動作時を大幅に低減し、熱放散性に優れた金属ベース回路基板を提供する。　金属板上に絶縁層（Ａ、Ｂ）を介して設けられた回路と、前記回路上に実装される出力用半導体と、前記出力用半導体を制御し、前記回路上に設けられる制御用半導体とからなる混成集積回路に用いられる金属ベース回路基板であって、前記制御用半導体を搭載する回路部分（パッド部分）の下部に低静電容量部分を埋設していることを特徴とする金属ベース回路基板であり、好ましくは、低静電容量部分が、無機質充填材を含有してなる樹脂からなり、しかも誘電率が２～９であることを特徴とする前記の金属ベース回路基板。

摘要翻译： 金属基电路板能够显着降低在混合集成电路的高频工作中发生的半导体器件的故障，并且具有优异的散热能力。 用于混合集成电路的金属基底电路板包括：设置在绝缘层（A，B）之间的金属片上的电路，安装在电路上的输出半导体器件和用于控制输出半导体器件的控制半导体器件 并安装在电路上。 金属基电路板的特征在于，在安装有控制半导体器件的电路部分（焊盘部分）的下方埋设有小电容部分，优选地，小电容部分由含有无机填料的树脂 并且具有2至9的介电常数。