ポリイミド前駆体及びそれを用いた樹脂組成物
    61.
    发明申请
    ポリイミド前駆体及びそれを用いた樹脂組成物 审中-公开
    聚酰亚胺前体和树脂组合物

    公开(公告)号:WO2013111241A1

    公开(公告)日:2013-08-01

    申请号:PCT/JP2012/008271

    申请日:2012-12-25

    摘要: 下記式(I)で示される構成単位を有し、末端基の一部にアミノ基を有するポリイミド前駆体であって、前記アミノ基が結合した炭素原子の隣の炭素原子に結合する水素原子を示す 1 H-NMRスペクトルのピーク(A)の積分値が、ポリイミド前駆体のアミド結合が有する水素原子を示す 1 H-NMRスペクトルのピーク(B)の積分値の3~8%であるポリイミド前駆体。式(I)中、A 1 及びA 2 はそれぞれ、ベンゼン環、2個のベンゼン環が単結合で結合した基、又は2個以上の芳香環が、-O-、-S-、又は-CO-のいずれかで結合した基を示す。Rは、それぞれ水素原子又はアルキル基を示す。A 1 及びA 2 はそれぞれ置換基を有していてもよい。

    摘要翻译: 本发明提供一种聚酰亚胺前体,其具有由式(I)表示的结构单元,在一部分末端具有氨基,其中1H-NMR光谱中的峰(A)的积分值表示氢 与氨基相邻的碳原子附近的碳原子连接的原子是1H-NMR光谱中峰(B)的积分值的3〜8%,表示酰胺键中的氢原子 的聚酰亚胺前体。 在式(I)中,A1和A2各自为苯环,其中两个苯环通过单键连接的基团,或其中两个或更多个芳环通过-O - , - S-或 -CO-。 R各自为氢原子或烷基。 A1和A2可以各自具有取代基。 (一世)

    ELEKTRONISCHE BAUGRUPPE MIT HOCHTEMPERATURSTABILEM SUBSTRATGRUNDWERKSTOFF, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND IHRE VERWENDUNG IN EINER LEISTUNGSELEKTRONIK

    公开(公告)号:WO2013045367A3

    公开(公告)日:2013-04-04

    申请号:PCT/EP2012/068666

    申请日:2012-09-21

    摘要: Die Erfindung betrifft eine elektronische Baugruppe (10) umfassend ein elektronisches Leistungsbauteil (11) und mindestens ein Substrat (12), - wobei das Substrat (12) Aluminium, Magnesium oder Mangan oder eine Aluminium-, Magnesium- oder Manganlegierung als Substratgrundwerkstoff umfasst, - wobei das Substrat (12) mit einer Oberflächenbeschichtung aus Ag, Au, Pd, Sn oder aus einer Ag-, Au-, Pd- oder Sn-Legierung oder mit einer Schichtabfolge (14a, 14b) mindestens zweier dieser Metalle oder Legierungen auf der dem Leistungsbauteil (11) zugewandten Seite zumindest teilweise versehen ist, und - wobei das Leistungsbauteil (11) mittels einer Silbersinterverbindungsschicht (20) an das Substrat (12) angebunden ist. Die Baugruppe (10) kann mindestens ein erstes und ein zweites Substrat (12, 12a) umfassen, wobei das Leistungsbauteil (11) auf zwei gegenüberliegenden Seiten jeweils mittels einer Sinterverbindungsschicht (20) an das erste Substrat (12) und an das zweite Substrat (12a) angebunden ist. Die Baugruppe kann auch ein erstes Leistungsbauteil und ein zweites Leistungsbauteil umfassen, wobei die Leistungsbauteile auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats aufgebracht und jeweils mit einer Sinterverbindungsschicht an das Substrat angebunden sind. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe (10) sowie die Verwendung einer erfindungsgemäßen elektronischen Baugruppe (10) in einer Leistungselektronik, z.B. als Teil einer Einpressdiode, beispielsweise an einem Generatorschild. Der Gegenstand der vorliegenden Erfindung kann vorteilhafterweise eine verbesserte Zuverlässigkeit bei Temperaturwechseln zeigen, insbesondere bei Baugruppen, in denen Fügeverbindungen bei hohen Einsatztemperaturen verwendet werden. Aufgrund der geringeren Materialkosten des Substratgrundwerkstoffs kann insgesamt die Herstellung von hochtemperaturstabilen Leistungsbauteilen kostengünstiger gestaltet werden.

    放熱基板
    67.
    发明申请
    放熱基板 审中-公开

    公开(公告)号:WO2012147610A9

    公开(公告)日:2012-11-01

    申请号:PCT/JP2012/060585

    申请日:2012-04-19

    摘要:  本放熱基板(1)は、第1の金属ダイヤモンド複合層(11)と、第2の金属ダイヤモンド複合層(12)と、第1の金属ダイヤモンド複合層(11)と第2の金属ダイヤモンド複合層(12)との間に配置された芯材層(10)と、を含み、第1の金属ダイヤモンド複合層(11)および第2の金属ダイヤモンド複合層(12)は、それぞれのダイヤモンド含有率が50体積%未満であり、芯材層(10)は、主面に平行な方向の熱膨張係数が4.5×10 -6 K -1 以上13×10 -6 K -1 以下で、厚さ方向の熱伝導率が140W・m -1 ・K -1 以上である。これにより、半導体素子を搭載または保持するために適した熱膨張係数と高い熱伝導率とを有する低価格の放熱基板が提供される。