-
1.发明申请
公开(公告)号：WO2013013956A2
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/EP2012/063224
申请日：2012-07-06
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/29 , B22F1/0018 , B22F9/20 , B22F2007/042 , H01B1/02 , H01L23/3735 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27422 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27502 , H01L2224/2908 , H01L2224/29339 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73265 , H01L2224/83011 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/01029 , H05K3/30 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H05K2203/121 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047
摘要： Die Erfindung betrifft einen Schichtverbund, wobei der Schichtverbund mindestens eine elektrische oder elektronische Komponente und eine Schichtanordnung aus mehreren Schichten umfasst. Die Schichtanordnung ist aus zumindest einer ersten Schicht gebildet, welche zumindest eine organische Metallverbindung und/oder ein Edelmetalloxid enthält, wobei die organische Metallverbindung und/oder das Edelmetalloxid bei einer Temperaturbehandlung des Schichtverbundes oder der Schichtanordnung in das zugrunde liegende elementare Metall und/oder Edelmetall umgewandelt werden. Ferner weist die Schichtanordnung zumindest eine an die erste Schicht angrenzende zweite Schicht auf. Kennzeichnend für die Erfindung ist, dass die zumindest zweite Schicht ein Reduktionsmittel enthält, mittels welchem die Reduktion der organischen Metallverbindung und/oder des Edelmetalloxids zu dem elementaren Metall und/oder Edelmetall bei einer Temperatur unterhalb der Sintertemperatur des elementaren Metalls und/oder Edelmetalls erfolgt. Insgesamt ist nach Abschluss der Temperaturbehandlung innerhalb des Schichtverbundes eine Sinterverbindung ausgebildet.
摘要翻译：
本发明涉及一种复合层，所述包含至少一个电气或电子组件和多个层的层压组件复合层。 层布置由至少包含至少一种有机金属化合物和/或贵金属氧化物包含保持第一层，其中所述有机金属化合物和/或在一定温度下处理所述层压的或在下面的单质金属层布置和/或贵金属氧化物形成 贵金属将被转换。 此外，层布置具有至少一个邻接第一层的第二层。 用f导航用途，其特征在于r为发明是至少第二层含有还原剂BEAR LT装置，该装置的有机金属化合物和/或贵金属氧化物的元素金属和/或贵金属的在低于元素金属的烧结温度的温度的降低和/ 或贵金属发生。 总体而言，在完成复合层内的温度处理之后，形成烧结连接。
-
公开(公告)号：WO2012079855A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/EP2011069662
申请日：2011-11-08
发明人： WOLDE-GIORGIS DANIEL , KALICH THOMAS , SUESKE ERIK
IPC分类号： H01L23/492
CPC分类号： H01L23/13 , H01L23/49513 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/26175 , H01L2224/29011 , H01L2224/29015 , H01L2224/29018 , H01L2224/29023 , H01L2224/29083 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32221 , H01L2224/33181 , H01L2224/8384 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/1203 , H01L2924/15747 , H01L2924/3512 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
摘要： The invention relates to an electronic assembly comprising a base part (2), in particular a substrate, at least one electronic component (3), in particular a chip that is located on the base part (2), and a sinter connection (4) that connects the electronic component (3) to the base part (2). The sinter connection (4) is provided in sheet form between the base part (2) and the electronic component (3) and one edge (3) of the component is at least partially devoid of the sinter connection (4).
摘要翻译： 本发明涉及一种电子组件，包括特别是其中设置在基座部分（2）的芯片，和烧结化合物（4）含有（2），特别是衬底，至少一个电子元件（3），一个基体部分 电子元件（3）与所述基体部分（2），其中，所述烧结化合物（4）是基座部分（2）和电子部件（3），并且其中一个部件的边缘（3）至少部分地暴露之间平（从烧结化合物 4）。
-
3.发明申请
公开(公告)号：WO2013013956A3
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012063224
申请日：2012-07-06
IPC分类号： H01L21/60 , B22F1/00 , B22F9/20 , B22F9/24 , H01L23/48 , H05K1/02 , H05K3/26 , H05K3/30 , H05K3/38 , H05K7/20
CPC分类号： H01L24/29 , B22F1/0018 , B22F9/20 , B22F2007/042 , H01B1/02 , H01L23/3735 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27422 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27502 , H01L2224/2908 , H01L2224/29339 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73265 , H01L2224/83011 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/01029 , H05K3/30 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H05K2203/121 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047
摘要： The invention relates to a layer composite, wherein the layer composite comprises at least one electrical or electronic component and a layer arrangement composed of a plurality of layers. The layer arrangement is formed from at least one first layer containing at least one organic metal compound and/or a noble metal oxide, wherein the organic metal compound and/or the noble metal oxide are/is converted into the underlying elemental metal and/or noble metal during a thermal treatment of the layer composite or of the layer arrangement. Furthermore, the layer arrangement comprises at least one second layer adjoining the first layer. The invention is characterized by the fact that the at least second layer contains a reducing agent, by means of which the organic metal compound and/or the noble metal oxide are/is reduced to the elemental metal and/or noble metal at a temperature below the sintering temperature of the elemental metal and/or noble metal. Overall, a sintering connection is formed after the conclusion of the thermal treatment within the layer composite.
摘要翻译： 本发明涉及一种复合层，所述复合物层包含至少一个电气或电子组件和多个层的叠层组件。 层布置是从含有至少一种有机金属化合物和/或贵金属氧化物的至少一个第一层，其中所述有机金属化合物和/或贵金属氧化物被转化的温度下处理所述层压的或层布置在底层元素金属和/或贵金属形成 是。 此外，层布置具有邻近所述第二层的至少一个第一层。 它是对本发明来说含有还原剂，通过该有机金属化合物和/或贵金属氧化物的金属元素和/或贵金属的还原发生在低于元素金属和/或贵金属的烧结温度的温度下至少在第二层特性。 总体而言，一个烧结键叠层内的热处理后形成的。
-
4.发明申请STARTER MATERIAL FOR A SINTERING COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING SAID SINTERING COMPOUND 审中-公开STARTING烧结连接和方法的材料用于生产烧结矿CONNECTION
公开(公告)号：WO2012052252A2
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011066620
申请日：2011-09-23
CPC分类号： B23K35/24 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B22F9/20 , B22F2998/00 , B23K1/0016 , B32B7/12 , B32B15/01 , C22C1/05 , C22C5/06 , C22C9/00 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/27332 , H01L2224/27334 , H01L2224/29194 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29686 , H01L2224/2969 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/8384 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/351 , H05K3/32 , H05K3/321 , H05K2201/0224 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H05K2203/121 , H05K2203/122 , Y10T403/477 , Y10T428/12063 , H01L2924/01007 , B22F3/001 , B22F3/10 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a starter material for a sintering compound, said starter material comprising first particles of at least one metal having a first coating which is applied to the first particles and consists of an organic material, and second particles which contain an organic metal compound and/or a precious metal oxide, the organic metal compound and/or the precious metal oxide being converted during heat treatment of the starter material into the fundamental elemental metal and/or precious metal. The invention is characterized in that the second particles have a core of at least one metal and a second coating which is applied to the core and contains the organic metal compound and/or precious metal oxide. Furthermore, the first coating contains a reducing agent by means of which the organic metal compound and/or the precious metal oxide is/are reduced to the elemental metal and/or precious metal at a temperature below the sintering temperature of the elemental metal and/or precious metal.
摘要翻译： 包括至少一种金属的第一粒子的烧结接头的本发明的起始材料具有施加到所述第一颗粒，有机材料的第一涂层，和第二颗粒含有有机金属化合物和/或贵金属氧化物，其中所述有机金属化合物和/或贵金属氧化物的产物 在底层的元素金属和/或贵金属的温度下处理起始材料的转化。 本发明的特征是，所述第二颗粒包含至少一种金属的核心，并施加到含有有机金属化合物和/或贵金属氧化物的芯的第二涂层。 此外，第一涂层含有还原剂，通过该有机金属化合物和/或贵金属氧化物的金属元素和/或贵金属的还原发生在低于元素金属和/或贵金属的烧结温度的温度。
-
5.发明申请
公开(公告)号：WO2012052251A3
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011/066613
申请日：2011-09-23
摘要： Der erfindungsgemäße Ausgangswerkstoff einer Sinterverbindung umfasst Partikel, die zumindest anteilig eine organische Metallverbindung und/oder ein Edelmetalloxid enthalten, wobei die organische Metallverbindung und/oder das Edelmetalloxid bei einer Temperaturbehandlung des Ausgangswerkstoffes in das elementare Metall und/oder Edelmetall umgewandelt wird. Kennzeichnend für die Erfindung ist, dass die Partikel eine Beschichtung enthaltend ein Reduktionsmittel aufweisen, mittels welchem die Reduktion der organischen Metallverbindung und/oder des Edelmetalloxids zu dem elementaren Metall und/oder Edelmetall bei einer Temperatur unterhalb der Sintertemperatur des elementaren Metalls und/oder Edelmetalls erfolgt.
-
6.发明申请ELEKTRISCHE SCHALTUNGSANORDNUNG MIT MINDESTENS EINEM LEISTUNGSHALBLEITER UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开与至少一个功率半导体和方法的电路装置及其
公开(公告)号：WO2009087037A2
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/EP2008/067839
申请日：2008-12-18
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L25/072 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/16245 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/32014 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079
摘要： Die Erfindung betrifft eine elektrische Schaltungsanordnung mit mindestens einem Leistungshalbleiter, der mit seiner Unterseite auf einem Trägersubstrat angeordnet ist und an seiner Unterseite mindestens einen elektrischen Anschluss aufweist, der mit mindestens einem Gegenanschluss des Trägersubstrats elektrisch kontaktverbunden ist. Es ist vorgesehen, dass der Leistungshalbleiter (1) mit seiner Oberseite (4) an einem Obersubstrat (11) anliegt und auf seiner Oberseite (4) mindestens einen weiteren elektrischen Anschluss (6) aufweist, der mit mindestens einem Gegenanschluss (14) des Obersubstrats (11) über eine elektrisch leitende Sinterverbindung (17) kontaktverbunden ist. Weiter betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleiters mit mindestens einem Substrat. Es ist vorgesehen, dass der Leistungshalbleiter zwischen zwei Substraten spaltfrei angeordnet wird und durch einen Sinterprozess mindestens einen elektrische Anschluss des Leistungshalbleiters mit mindestens einem elektrischen Gegenanschluss von mindestens einem der Substrate durch Sintern verbunden wird.
摘要翻译： 本发明涉及一种电路装置具有至少一个功率半导体，其布置成其在支撑基板上侧和在其底部，这是与载体衬底中的至少一个配合端子电接触连接的至少一个电连接。 可以设想，功率半导体（1），其上侧（4）的上板基板（11）搁置并在其上侧（4）具有至少一个另外的电端子（6），与上基板的至少一个配合端子（14） （11）通过导电烧结连接（17）是接触连接。 此外，本发明涉及一种用于功率半导体与至少一种底物接触。 可以设想，功率半导体被设置在两个基底，并与至少一个电配合连接器的功率半导体的至少一种无间隙的电连接之间是基板通过烧结通过烧结工艺中的至少一个。
-
7.发明申请LAYER COMPOSITE FOR CONNECTING ELECTRONIC COMPONENTS COMPRISING A COMPENSATION LAYER, LINKING LAYERS AND CONNECTION LAYERS 审中-公开复合层连接电子组件，包括补偿层，高层的连接与连接层
公开(公告)号：WO2013045345A2
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012068570
申请日：2012-09-20
发明人： WOLDE-GIORGIS DANIEL
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/60 , H01L23/373 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/29 , B23K35/0238 , B23K35/30 , H01L21/6836 , H01L23/3735 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68354 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2712 , H01L2224/2731 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27436 , H01L2224/27505 , H01L2224/27848 , H01L2224/2908 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/2918 , H01L2224/29224 , H01L2224/29387 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/8384 , H01L2924/01029 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/01023 , H01L2924/01015 , H01L2924/01042 , H01L2924/04642 , H01L2924/0461 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要： The present invention relates to a layer composite (10), more particularly for connecting electronic components (11, 12) comprising at least one compensation layer (40), at least two linking layers (30) and at least two connection layers (20), wherein the compensation layer (40) is formed from aluminium or molybdenum, an aluminium or molybdenum alloy, from a metal-matrix material composed of aluminium and silicon carbide or composed of aluminium and copper-carbon, or from a copper-molybdenum alloy, wherein a linking layer (30) composed of silver is in each case applied on at least two opposite sides of the compensation layer (40), and wherein a connection layer (20) is in each case applied on the linking layers (30), wherein the connection layers (20) are formed from sinterable and/or sintered metal powder. The invention furthermore relates to a method for forming a layer composite (10) according to the invention, and to a circuit arrangement (100) containing a layer composite (10) according to the invention.
摘要翻译： 本发明是一种层状复合材料（10），尤其是用于连接包括至少一个补偿层（40）的电子元件（11，12），至少两个连接层（30）和至少两个连接层（20），其中所述平衡的铝层（40） 或钼，铝或钼合金，所述平衡层（40）的至少两个相对侧的铝和硅或铝和铜的羧酸，或铜 - 钼合金的金属基体材料的形成，每一个都具有 连接层（30）沉积的银，并且其中所述互连层（20）被烧结和/或烧结的金属粉末构成的连接层（30）每个都具有连接层（20）施加。 本发明还涉及一种用于形成本发明复合材料（10），并且包括根据本发明（10）的层复合电路组件（100）的层的方法。
-
8.发明申请
公开(公告)号：WO2012052252A3
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011/066620
申请日：2011-09-23
摘要： Der erfindungsgemäße Ausgangswerkstoff einer Sinterverbindung umfassend erste Partikel aus mindestens einem Metall mit einer auf den ersten Partikeln aufgetragenen ersten Beschichtung aus einem organischen Material, sowie zweite Partikel, die eine organische Metallverbindung und/oder ein Edelmetalloxid enthalten, wobei die organische Metallverbindung und/oder das Edelmetalloxid bei einer Temperaturbehandlung des Ausgangswerkstoffes in das zugrunde liegende elementare Metall und/oder Edelmetall umgewandelt werden. Kennzeichnend für die Erfindung ist, dass die zweiten Partikel einen Kern mindestens eines Metalls umfassen, sowie eine auf dem Kern aufgetragene zweite Beschichtung enthaltend die organische Metallverbindung und/oder das Edelmetalloxid. Ferner, dass die erste Beschichtung ein Reduktionsmittel enthält, mittels welchem die Reduktion der organischen Metallverbindung und/oder des Edelmetalloxids zu dem elementaren Metall und/oder Edelmetall bei einer Temperatur unterhalb der Sintertemperatur des elementaren Metalls und/oder Edelmetalls erfolgt.
-
9.发明申请
公开(公告)号：WO2010072667A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/EP2009/067498
申请日：2009-12-18
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , WOLDE-GIORGIS, Daniel , SUESKE, Erik , RITTNER, Martin , PETER, Erik , SCHWARZBAUER, Herbert , GUENTHER, Michael
发明人： WOLDE-GIORGIS, Daniel , SUESKE, Erik , RITTNER, Martin , PETER, Erik , SCHWARZBAUER, Herbert , GUENTHER, Michael
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/03505 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05639 , H01L2224/271 , H01L2224/27505 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29116 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29298 , H01L2224/30181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01063 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H05K2203/1131 , Y10T29/49002 , Y10T428/249953 , H01L2924/0105 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： Die Erfindung betrifft ein elektrisches und elektronisches Verbundbauteil (1), umfassend einen ersten Fügepartner (2) und mindestens einen zweiten Fügepartner (3). Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass zwischen dem ersten und dem zweiten Fügepartner (2, 3) ein offen poröses Sinterformteil (6, 7) aufgenommen ist, welches durch Versintern mittels Sinterpaste mit dem ersten und dem zweiten Fügepartner (2, 3) versintert ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren.
摘要翻译： 本发明涉及一种电动和电子的复合构件（1），包括：第一接合部件（2）和至少一个第二接合部件（3）。 根据本发明，它提供的是，第一和第二配合部分之间（图2，3）一个公开多孔烧结体（6，7）被容纳，其通过烧结由与第一和第二配合部分在烧结膏的装置烧结（2，3）。 此外，本发明涉及的制造方法。
-
10.发明申请
公开(公告)号：WO2009087037A3
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2008067839
申请日：2008-12-18
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L25/072 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/16245 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/32014 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079
摘要： The invention relates to an electric circuit arrangement comprising at least one power semiconductor, the bottom face of which is arranged on a support substrate and is fitted with at least one electric terminal that is connected in an electrically contacting manner to at least one opposite terminal of the support substrate. The top face (4) of the semiconductor (1) rests against a top substrate (11) and is fitted with at least one other electric terminal (6) which is connected in a contacting manner to at least one opposite terminal (14) of the top substrate (11) by means of an electrically conducting sintered connection (17). The invention further relates to a method for contacting a power semiconductor with at least one substrate. In said method, the power semiconductor is disposed between two substrates without leaving any gap, and at least one electric terminal of the power semiconductor is connected to at least one opposite electric terminal of at least one of the substrates in a sintering process.
摘要翻译： 本发明涉及一种电路装置具有至少一个功率半导体，其布置成其在支撑基板上侧和在其底部，这是与载体衬底中的至少一个配合端子电接触连接的至少一个电连接。 可以设想，功率半导体（1），其上侧（4）的上板基板（11）搁置并在其上侧（4）具有至少一个另外的电端子（6），与上基板的至少一个配合端子（14） （11）通过导电的烧结连接（17）接触连接。 此外，本发明涉及一种用于使功率半导体与至少一个衬底接触的方法。 假设功率半导体在两个衬底之间无间隙地布置，并且通过烧结功率半导体的至少一个电连接与至少一个衬底的至少一个电配合端子烧结而被连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
19 条记录 (耗时 0.01 秒)
