Abstract:
Sintering device (10) for sintering at least one electronic assembly (BG), having a lower die (20) and an upper die (30) which is slidable towards the lower die (20), or a lower die (20) which is slidable towards the upper die (30), wherein the lower die (20) forms a support for the assembly (BG) to be sintered and the upper die (30) comprises a receptacle which receives a pressure pad (32) for exerting pressure directed towards the lower die (20) and which comprises a delimitation wall (34) which laterally surrounds the pressure pad (32), and wherein the delimitation wall (34) has an outer delimitation wall (34a) and an inner delimitation wall (34b) which is surrounded in an adjacent manner by the outer delimitation wall (34a), and wherein the inner delimitation wall (34b) is mounted so as to be slidable towards the outer delimitation wall (34a) and, when pressure in the direction of the upper die (30) is exerted on the pressure pad (32), is mounted so as to be slid in the direction of the lower die (20), whereby, following the placing of the inner delimitation wall (34b) on the lower die (20), the pressure pad (32) is displaceable in the direction of the lower die (20).
Abstract:
An apparatus and a method for chip-to-wafer integration is provided. The apparatus includes a coating module, a bonding module and a cleaning module. The method includes the steps of placing at least one chip on a wafer to form an integrated product, forming a film on the integrated product, such that the integrated product is substantially fluid-tight, and exerting a predetermined positive pressure on the film during permanent bonding of the at least one chip to the wafer. The method further includes the step of removing the film from the integrated product after permanent bonding of the at least one chip to the wafer.
Abstract:
A method according to embodiments of the invention includes posi¬ tioning a flexible film (48) over a wafer of semiconductor light emit¬ ting devices, each semiconductor light emitting device including a semiconductor structure (13) including a light emitting layer sand¬ wiched between an n-type region and a p-type region. The wafer of semiconductor light emitting devices is bonded to a substrate (50) via the flexible film (48). After bonding, the flexible film (48) is in direct contact with the semiconductor structures (13). The method further includes dividing the wafer after bonding the wafer to the substrate (50).
Abstract:
Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zum insbesondere thermischen Verbinden mikro-elektromechanischer Bauteile (2, 3) in einem Prozessraum (8), mit einer unteren Auflageplatte (11) zur Aufnahme wenigstens eines ersten Bauteils (2) der zu verbindenden Bauteile (2, 3) und mit einer Anpresseinrichtung (15) zur Druckbeaufschlagung wenigstens eines zweiten Bauteils (3) der zu verbindenden Bauteile (2, 3) gegenüber dem wenigstens einen ersten Bauteil (2). Die Anpresseinrichtung (15) ist dabei mit einer zur Kontaktierung mit dem wenigsten einen zweiten Bauteil (3) vorgesehenen, dehnbaren Membran (19) ausgebildet. Diese Membran (19) ist auf ihrer den zu verbindenden Bauteilen (2, 3) abgewandten Seite mit Fluiddruck, insbesondere Gasdruck, beaufschlagbar.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers (10), insbesondere eines Verbundkörpers (10) zum Aufbau eines elektronischen Bauelements, der in einem fertiggestellten Zustand zumindest zwei stoffschlüssig miteinander verbundene Teilkörper (12, 14) umfasst, wobei der Stoffschluss durch zumindest eine in einer Fügerichtung (16) zwischen den Teilkörpern (12, 14) angeordnete Fügeschicht (18) herbeigeführt ist, die von einem gesinterten Werkstoff gebildet ist, gekennzeichnet durch folgende Schritte: a) Erstellen einer Anordnung der zumindest zwei Teilkörper (12, 14) und der in der Fügerichtung (16) zwischen den zumindest zwei Teilkörpern (12, 14) angeordneten, zumindest einen ungesinterten Fügeschicht (18) zu einem angeordneten Verbundkörper (10), b) Platzieren des angeordneten Verbundkörpers (10) in einen ersten Teilraum (36) einer im Wesentlichen gasdicht verschließbaren Sinterkammer (22) mit Kammerwänden (26) und einem im Wesentlichen gasundurchlässigen Raumteiler (32), der die Sinterkammer (22) in den ersten Teilraum (36) und zumindest einen zweiten Teilraum (38) aufteilt, in unmittelbarer Nähe des Raumteilers (32), wobei der Raumteiler (32) zumindest ein verformbares Teilelement (34) aufweist, dessen Position relativ zu den Kammerwänden (26) veränderbar ist, c) Herstellen einer positiven Raumdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum (38) und dem ersten Teilraum (36), und d) Erhitzen des angeordneten Verbundkörpers (10) zumindest bis auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbund körpers (10).