公开(公告)号：WO2012087556A3

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/US2011063409

申请日：2011-12-06

Applicant: INTEL CORP ,  HLAD MARK S ,  SALAMA ISLAM A ,  ROY MIHIR K ,  WU TAO ,  LIU YUELI ,  LEE KYU OH

Inventor： HLAD MARK S ,  SALAMA ISLAM A ,  ROY MIHIR K ,  WU TAO ,  LIU YUELI ,  LEE KYU OH

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/50 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/113 ,  H05K3/107 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/421 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Package substrates enabling reduced bump pitches and package assemblies thereof. Surface-level metal features are embedded in a surface-level dielectric layer with surface finish protruding from a top surface of the surface-level dielectric for assembly, without solder resist, to an IC chip having soldered connection points. Package substrates are fabricated to enable multiple levels of trace routing with each trace routing level capable of reduced minimum trace width and spacing.

Abstract translation: 封装衬底，能够减少凸起间距和封装组件。 表面级金属特征嵌入表面级电介质层中，其表面光洁度从表面电介质的顶表面突出，用于组装而无阻焊，具有焊接连接点的IC芯片。 制造封装衬底以实现多级跟踪路由，每个跟踪路由级别能够减少最小迹线宽度和间距。

公开(公告)号：WO2016156853A8

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：PCT/GB2016050910

申请日：2016-03-31

Applicant: ALPHA ASSEMBLY SOLUTIONS INC ,  ROHAN SETNA

Inventor： VENKATAGIRIYAPPA RAMAKRISHNA HOSUR ,  DE AVILA RIBAS MORGANA ,  DAS BARUN ,  SIDDAPPA HARISH HANCHINA ,  MUKHERJEE SUTAPA ,  SARKAR SIULI ,  SINGH BAWA ,  RAUT RAHUL ,  PANDHER RANJIT

IPC: B23K1/00 ,  B23K35/00 ,  C08K3/00 ,  C08K3/04 ,  C08K5/00 ,  C08K7/02 ,  C08L83/04 ,  H01L21/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: C08K3/04 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3602 ,  B23K2201/42 ,  C08K3/013 ,  C08K3/042 ,  C08K5/00 ,  C08K7/02 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11418 ,  H01L2224/11422 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/13393 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/13447 ,  H01L2224/13486 ,  H01L2224/13487 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27602 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81856 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81874 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/3841 ,  C08L63/00 ,  C08L83/04 ,  C08K5/092 ,  C08K5/18 ,  C08K5/49 ,  C08L2205/025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/07001 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01102 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01109 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/061 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103

Abstract: A composition for use in an electronic assembly process, the composition comprising a filler dispersed in an organic medium, wherein: the organic medium comprises a polymer; the filler comprises one or more of graphene, functionalised graphene, graphene oxide, a polyhedral oligomeric silsesquioxane, graphite, a 2D material, aluminium oxide, zinc oxide, aluminium nitride, boron nitride, silver, nano fibres, carbon fibres, diamond, carbon nanotubes, silicon dioxide and metal-coated particles, and the composition comprises from 0.001 to 40 wt.% of the filler based on the total weight of the composition.

Abstract translation: 一种用于电子装配过程的组合物，该组合物包含分散在有机介质中的填料，其中：有机介质包含聚合物; 填料包括石墨烯，官能化石墨烯，氧化石墨烯，多面体低聚倍半硅氧烷，石墨，2D材料，氧化铝，氧化锌，氮化铝，氮化硼，银，纳米纤维，碳纤维，金刚石，碳纳米管中的一种或多种 ，二氧化硅和金属包覆颗粒，并且所述组合物包含基于组合物总重量的0.001至40重量％的填料。

公开(公告)号：WO2010101236A1

公开(公告)日：2010-09-10

申请号：PCT/JP2010/053615

申请日：2010-03-05

Applicant: 田中貴金属工業株式会社 ,  小柏 俊典 ,  宮入 正幸

Inventor： 小柏　俊典 ,  宮入　正幸

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明に係るバンプは、基板上に形成され、金、銅、ニッケルのいずれかである第１の導電性金属のバルク体からなる第１バンプ層と、第１バンプ層上に形成され、金、銀のいずれかである第２の導電性金属の粉末の焼結体からなる第２バンプ層とからなる２層構造を有する。第１バンプ層を構成するバルク体は、メッキ法、スパッタリング法、ＣＶＤ法のいずれかにより形成されるものである。ここで、第２バンプ層を構成する焼結体は、純度が９９．９重量％以上であり、平均粒径が０．００５μｍ～１．０μｍである第２の導電性金属からなる金属粉末を焼結して形成されたものである。そして、第２バンプ層のヤング率は、第１バンプ層のヤング率の０．１～０．４倍とする。

Abstract translation: 公开了具有包括第一凸块层和第二凸块层的双层结构的凸块，其中所述第一凸块层形成在基板上并且包括大部分选自金，铜和镍的第一导电金属， 并且所述第二凸起层形成在所述第一凸块层上，并且包括选自金和银的第二导电金属的粉末的烧结体。 构成第一凸块层的体积由选自电镀技术，溅射技术和CVD技术的任何一种技术形成。 构成第二凸点层的烧结体通过烧结包含第二导电金属的金属粉末而形成，其中金属粉末的纯度为99.9重量％以上，平均粒径为0.005〜1.0μm。 第二凸点层的杨氏模量比第一凸点层的杨氏模量低0.1〜0.4倍。

公开(公告)号：WO2016156853A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/GB2016/050910

申请日：2016-03-31

Applicant: ALPHA METALS, INC. ,  ROHAN, Setna

Inventor： VENKATAGIRIYAPPA, Ramakrishna Hosur ,  DE AVILA RIBAS, Morgana ,  DAS, Barun ,  SIDDAPPA, Harish Hanchina ,  MUKHERJEE, Sutapa ,  SARKAR, Siuli ,  SINGH, Bawa ,  RAUT, Rahul ,  PANDHER, Ranjit

IPC: B23K1/00 ,  B23K35/00 ,  C08K3/00 ,  C08K3/04 ,  C08K5/00 ,  C08K7/02 ,  C08L83/04 ,  H01L21/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: B23K35/3613 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3602 ,  B23K2201/42 ,  C08K3/013 ,  C08K3/04 ,  C08K3/042 ,  C08K5/00 ,  C08K5/549 ,  C08K7/02 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11418 ,  H01L2224/11422 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/13393 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/13447 ,  H01L2224/13486 ,  H01L2224/13487 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27602 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81856 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81874 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3841 ,  C08L63/00 ,  C08L83/04 ,  C08K5/092 ,  C08K5/18 ,  C08K5/49 ,  C08L2205/025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/07001 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01102 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01109 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/061 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103

Abstract: A composition for use in an electronic assembly process, the composition comprising a filler dispersed in an organic medium, wherein: the organic medium comprises a polymer; the filler comprises one or more of graphene, functionalised graphene, graphene oxide, a polyhedral oligomeric silsesquioxane, graphite, a 2D material, aluminium oxide, zinc oxide, aluminium nitride, boron nitride, silver, nano fibres, carbon fibres, diamond, carbon nanotubes, silicon dioxide and metal-coated particles, and the composition comprises from 0.001 to 40 wt.% of the filler based on the total weight of the composition.

Abstract translation: 一种用于电子组装方法的组合物，所述组合物包含分散在有机介质中的填料，其中：所述有机介质包含聚合物; 填料包括一个或多个石墨烯，官能化石墨烯，氧化石墨烯，多面体低聚倍半硅氧烷，石墨，二维材料，氧化铝，氧化锌，氮化铝，氮化硼，银，纳米纤维，碳纤维，金刚石，碳纳米管 ，二氧化硅和金属涂覆的颗粒，并且所述组合物包含基于组合物总重量的0.001至40重量％的填料。

公开(公告)号：WO2014170994A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/JP2013/061531

申请日：2013-04-18

Applicant: 千住金属工業株式会社

Inventor： 立花　賢 ,  野村　光

IPC: C22C13/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/264 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01109 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15701 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　低融点で延性に優れ引張強度が高く、接合界面のＰリッチ層の生成を抑制して高いせん断強度を有することにより、基板の歪みを抑制して優れた接続信頼性を有するＳｎ－Ｂｉ－Ｃｕ－Ｎｉ系鉛フリーはんだ合金を提供する。　電極のＣｕやＮｉの拡散を抑制するとともにはんだ合金の伸びや濡れ性を確保するため、質量％で、Ｂｉ：３１～５９％、Ｃｕ：０．３～１．０％、Ｎｉ：０．０１～０．０６％、残部Ｓｎからなる合金組成を有する。

Abstract translation: 提供一种Sn-Bi-Cu-Ni无铅焊料合金，其具有低熔点，优异的延展性和高拉伸强度，同时通过抑制在接合界面处产生富磷层而具有高剪切强度， 从而抑制基板的变形，从而实现良好的连接可靠性。 为了抑制Cu和Ni从电极的扩散，并且为了确保焊料合金的伸长率和润湿性，该无铅焊料合金的合金成分以质量％计，Bi为31〜59％ -1.0％的Cu和0.01-0.06％的Ni，其余的由Sn组成。

公开(公告)号：WO2012087556A2

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/US2011/063409

申请日：2011-12-06

Applicant: INTEL CORPORATION ,  HLAD, Mark S. ,  SALAMA, Islam A. ,  ROY, Mihir K. ,  WU, Tao ,  LIU, Yueli ,  LEE, Kyu Oh

Inventor： HLAD, Mark S. ,  SALAMA, Islam A. ,  ROY, Mihir K. ,  WU, Tao ,  LIU, Yueli ,  LEE, Kyu Oh

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/50 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/113 ,  H05K3/107 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/421 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Package substrates enabling reduced bump pitches and package assemblies thereof. Surface-level metal features are embedded in a surface-level dielectric layer with surface finish protruding from a top surface of the surface-level dielectric for assembly, without solder resist, to an IC chip having soldered connection points. Package substrates are fabricated to enable multiple levels of trace routing with each trace routing level capable of reduced minimum trace width and spacing.

Abstract translation: 封装基板实现减小的凸点间距及其封装组件。 表面层金属特征被嵌入在表面层级介质层中，表面层从表面层级介质的顶表面突出，用于在没有阻焊层的情况下组装到具有焊接连接点的IC芯片上。 封装基板的制作能够实现多层次的走线布线，每条走线布线层次都能够减小最小走线宽度和间距。