公开(公告)号：WO2016019335A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/US2015/043283

申请日：2015-07-31

Applicant: KYOCERA AMERICA, INC. ,  LIEU, Dinah

Inventor： LIEU, Dinah

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1356 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16258 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/8149 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: Forming the chip attachment system includes obtaining a chip having a bump core on a die. The method also includes obtaining an intermediate structure having a transfer pad on a substrate. The method further includes transferring the transfer pad from the substrate to the bump core such that the transfer pad becomes a solder layer on the bump core.

Abstract translation: 形成芯片附接系统包括在芯片上获得具有凸块的芯片。 该方法还包括获得在基底上具有转移垫的中间结构。 该方法还包括将转移垫从衬底转移到凸起芯，使得转移垫变为凸点芯上的焊料层。

公开(公告)号：WO2015175554A3

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：PCT/US2015030410

申请日：2015-05-12

Applicant: INVENSAS CORP

Inventor： KATKAR RAJESH ,  UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

CPC classification number: H01L24/14 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0266 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/115 ,  H05K1/144 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/09572 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion (510) of a solder ball's (140) surface is melted when the connection is formed on one structure (110) and/or when the connection is being attached to another structure (HOB). The structure (110) may be an integrated circuit, an interposer, a rigid or flexible wiring substrate, a printed circuit board, some other packaging substrate, or an integrated circuit package. In some embodiments, solder balls (140.1, 140.2) are joined by an intermediate solder ball (140i), upon melting of the latter only. Any of the solder balls (140, 140i) may have a non-solder central core (140C) coated by solder shell (140S). Some of the molten or softened solder may be squeezed out, to form a "squeeze-out" region (520, 520A, 520B, 520.1, 520.2). In some embodiments, a solder connection (210) such as discussed above, on a structure (110A), may be surrounded by a dielectric layer (1210), and may be recessed in a hole (1230) in that layer (1210), to help in aligning a post (1240) of a structure (HOB) with the connection (210) during attachment of the structures (110A, HOB). The dielectric layer (1210) may be formed by moulding. The dielectric layer may comprise a number of layers (1210.1, 1210.2), "shaved" (partially removed) to expose the solder connection (210). Alternatively, the recessed solder connections (210) may be formed using a sublimating or vapourisable material (1250), placed on top of the solder (210) before formation of the dielectric layer (1210) or coating solder balls (140); in the latter case, the solder (140C) sinks within the dielectric material (1210) upon removal of the material (1250) and subsequent reflow. The solder connections (210.1, 210.2) may be used for bonding one or more structures (HOB, HOC) (e.g. an integrated circuit die or wafer, a packaging substrate or a package) to a structure (110A) (a wiring substrate) on which a die (HOB) is flip-chip connected. The solder connections (210.1, 210.2) may differ from each other, in particular in height.

Abstract translation: 在一些实施例中，为了增加将不同结构与一个或多个焊球连接的焊料连接的高度与间距比，当焊接球（140）表面的一部分（510）形成在 一个结构（110）和/或当连接被附接到另一个结构（HOB）时。 结构（110）可以是集成电路，插入器，刚性或柔性布线基板，印刷电路板，一些其它封装基板或集成电路封装。 在一些实施例中，焊料球（140.1,140.2）仅在熔化时被中间焊球（140i）连接。 任何焊球（140,140i）可以具有由焊料壳（140S）涂覆的非焊料中心芯（140C）。 一些熔融或软化的焊料可能被挤出，以形成“挤出”区域（520,520A，520B，520.1,520.2）。 在一些实施例中，在结构（110A）上的如上所述的焊料连接（210）可被电介质层（1210）包围，并且可以凹入该层（1210）中的孔（1230）中， 以在结构（110A，110B）的附接期间帮助将结构的柱（1240）与连接件（210）对齐。 电介质层（1210）可以通过模塑形成。 介电层可以包括多个层（1210.1,1212.2），“剃光”（部分去除）以暴露焊料连接（210）。 或者，可以在形成电介质层（1210）或涂覆焊球（140）之前使用升华或蒸发的材料（1250）形成凹陷的焊料连接（210），放置在焊料（210）的顶部上。 在后一种情况下，当去除材料（1250）和随后的回流时，焊料（140C）在电介质材料（1210）内下沉。 焊接连接（210.1,210.2）可以用于将一个或多个结构（HOB，HOC）（例如集成电路管芯或晶片，封装衬底或封装）结合到结构（110A）（布线基板）上 一个芯片（HOB）是倒装芯片连接的。 焊接连接（210.1,210.2）可能彼此不同，特别是高度不同。

公开(公告)号：WO2014088966A3

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/US2013072675

申请日：2013-12-02

Applicant: INVENSAS CORP

Inventor： UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

Abstract: A microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) includes a first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) having a first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a second substrate (14, 114, 214, 314, 414) having a second conductive element (26, 126, 226, 326, 426). The assembly further includes an electrically conductive alloy mass (16, 116) joined to the first and second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022), including a first, a second and a third material. First and second materials of the alloy mass (16, 116) each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) to a relatively lower amount toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426), and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426) to a relatively lower amount toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022). The microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) is formed by aligning the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912), having a first bond component (30, 230, 330, 430), with the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), having a second bond component (40, 240, 340, 440), such that the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components are in contact with each other, the first bond component (30, 230, 330, 430, 1030) including a first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936) adjacent the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a first protective layer (38, 538, 638, 738, 838, 938) overlying the first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936), the second bond component (40, 240, 340, 440) including a second material layer (46) adjacent the second conductive element (26) and a second protective layer (48) overlying the second material layer (46), and heating the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components such that at least portions of the first (36, 536, 636, 736, 836, 936) and second (46) material layers diffuse together to form the alloy mass (16, 116) joining the first (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and second (14, 114, 214, 314, 414) substrates with one another. There may be formed a plurality of first conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) on the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and a plurality of second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426) on the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), joined by a plurality of conductive alloy masses (16, 116). The conductive alloy mass (116) may also surround and hermetically seal an internal volume.

Abstract translation: 微电子组件（10,110,210,310,410）包括具有第一导电元件（26,126,226）的第一衬底（12,112,212,312,412,512,612,712,812,912） 具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414），以及具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414）。 组件还包括接合到第一和第二导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的导电合金块（16,116），包括第一， 第二和第三材料。 合金质量（16,116）的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到相对较低的量 朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）的量，并且第二材料的浓度在朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化 ，426）朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1012）相对较低的量。 微电子组件（10,110,210,310,410）通过使具有第一粘合组分（30,110,210,310,410）的第一粘合组分（30,110,210,310,410） 具有第二接合部件（40,42,340,440）的第二基板（14,114,214,314,414），使得所述第一基板（30,230,340,440） 所述第一接合部件（30,230,330,430,1030）包括第一材料层（36,536,630）和第二接合部件（40,42,340,440），所述第一接合部件 邻近第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的第一保护层（38,538,638,738,838），第三保护层 ，覆盖在第一材料层（36,536,636,736,836,936）上的第二结合部件（40,240,340,440）包括邻近第二导电元件（26）的第二材料层（46） ）和覆盖在第二材料层（46）上的第二保护层（48），并且加热第一（30,230,33 0,430,1030）和第二（40,42,340,440）粘合部件，使得第一（36,536,636,736,836,936）和第二（46）材料层的至少一部分一起扩散到 形成将第一（12,112,212,312,412,912）和第二（14,114,214,314,414）基板彼此接合的合金块（16,116） 。 可以在第一衬底（12,112,212,312,412,512,512）上形成多个第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022） 612,1112,812,912）以及由第二基片（14,114,214,314,414）上的多个第二导电元件（26,126,226,326,426）组成的多个导电合金块 （16,116）。 导电合金质量块（116）也可以围绕并气密地密封内部体积。

公开(公告)号：WO2014094629A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/CN2013/089940

申请日：2013-12-19

Applicant: MEDIATEK INC.

Inventor： LIN, Tzu-Hung ,  HSU, Wen-Sung ,  YU, Ta-Jen ,  CHANG, Andrew C.

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L28/00 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T29/41 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention provides a semiconductor package (500b) and a method for fabricating a base (200) for a semiconductor package (500b). The semiconductor package (500b) includes a conductive trace (202b) embedded in a base (200). A semiconductor devices (301) is mounted on the conductive trace (202b) via a conductive structure(222).

Abstract translation: 本发明提供半导体封装（500b）和用于制造用于半导体封装（500b）的基极（200）的方法。 半导体封装（500b）包括嵌入基座（200）中的导电迹线（202b）。 半导体器件（301）经由导电结构（222）安装在导电迹线（202b）上。

公开(公告)号：WO2013051463A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：PCT/JP2012/074955

申请日：2012-09-27

Applicant: オムロン株式会社

Inventor： 藤原　剛史 ,  奥野　敏明 ,  井上　勝之 ,  山本　淳也 ,  日沼　健一 ,  芦原　義樹 ,  宮地　孝明

IPC: H01L23/02 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/05 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　ウエハ１の表面に密着層４を形成し、密着層４の上方にＡｕＳｎとの濡れ性の悪い材料からなる拡散防止層７を積層する。さらに、拡散防止層７の縁よりも引っ込めて拡散防止層７の表面に接着層８を形成し、ウエハ１の表面に接合部３を形成する。一方、ウエハ１１の下面に接合部１３を設け、接合部１３の下にＡｕＳｎハンダ層１９を設ける。ウエハ１とウエハ１１とを向かい合わせ、ＡｕＳｎハンダ層１９を溶融させて接合部３と接合部１３をＡｕＳｎハンダ２２によってＡｕＳｎ共晶接合させる。

Abstract translation: 在晶片（1）的表面上形成粘合层（4），并且在粘合剂层（4）的顶部上沉积由相对于AuSn具有差的润湿性的材料制成的防扩散层（7）。 此外，在扩散防止层（7）的表面上形成从扩散防止层（7）的边缘更靠内侧的粘合剂层（8），在晶片的表面上形成接合部（3） 1）。 另外，在晶片（11）的下表面上设置接合部（13），在接合部（13）的下方设置AuSn焊料层（19）。 晶片（1）和晶片（11）彼此相对定位，AuSn焊料层（19）熔化，接合部分（3）和接合部分（13）通过AuSn进行AuSn共晶接合 焊料（22）。

公开(公告)号：WO2010137442A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2010/057594

申请日：2010-04-28

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  永井 朗 ,  大久保 恵介

Inventor： 永井　朗 ,  大久保　恵介

IPC: C09J201/00 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/293 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2400/226 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/295 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11444 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/93 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13099

Abstract: （Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）有機微粒子と、を含む、接着剤組成物。

Abstract translation: 一种粘合剂组合物，其包含（A）热塑性树脂，（B）可热固化树脂，（C）潜伏性固化剂，（D）无机填料和（E）有机微粒。

公开(公告)号：WO2010094315A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：PCT/EP2009/009116

申请日：2009-12-18

Applicant: ESPROS PHOTONICS AG ,  LEIPOLD, Dirk ,  DIETZ, Wolfram ,  DE COI, Beat

Inventor： LEIPOLD, Dirk ,  DIETZ, Wolfram ,  DE COI, Beat

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Lötverfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips (1) mit einer Leiterplatte (2) über wenigstens einen Lötkontakt (7) und zum Herstellen einer Schaltung (14), wobei der Halbleiterchip wenigstens ein elektrisch leitendes Pad (5) aufweist und die Leiterplatte wenigstens einen Leiterbahnabschnitt (9) zur Kontaktierung mit wenigstens einem der Pads des Halbleiterchips umfasst, umfassend: eine Auftragung von Lötpaste (10) auf den wenigstens einen Leiterbahnabschnitt, einen Bondingprozess, bei dem ein Höcker (7) aus wenigstens einem Materialabschnitt (6) auf wenigstens eines der Pads gebondet wird, einen Bestückungsvorgang, bei dem die Leiterplatte so mit wenigstens einem der Halbleiterchips bestückt wird, dass wenigstens einer der Lötkontakte mit der Lötpaste in Berührung kommt, einen Heizprozess, bei dem eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Leiterbahnabschnitt und dem Pad hergestellt wird. Zur Verbesserung des Lötverfahrens wird als Lötkontakt ausschließlich der Höcker verwendet, wobei dieser aus einem homogenen Metall oder einer homogenen Metalllegierung besteht. Ferner wird eine nach dem Lötverfahren hergestellte Schaltung (14) vorgeschlagen.

Abstract translation: 提供了一种焊接方法，将半导体芯片（1）与印刷电路板（2）连接经由至少一个焊接触点（7）和用于制造电路（14），所述具有至少一个导电垫（5）和所述印刷电路板的至少一个半导体芯片 导体轨道部分（9）用于接触所述半导体芯片的焊盘中的至少一个，包括：焊膏的所述至少一个导体轨迹部分的应用程序（10），键合工艺，其中，凸块（7）的至少一种材料部分（6）上的至少一个 焊盘接合，安装方法，其中所述电路板是这样配备的半导体芯片中的至少一个，使焊料中的至少一种带有焊膏与加热过程中，在其上制备导体部与垫之间的导电连接的接触 ， 为了提高钎焊工艺被用作焊料接触仅凸块，由此这由均相金属或均相金属合金制成。 此外，通过焊接（14）所产生的电路，提出了

公开(公告)号：WO2009061282A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：PCT/SG2008/000406

申请日：2008-10-21

Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH ,  NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY ,  WONG, Chee Khuen Stephen ,  PANG, Hock Lye John ,  FAN, Wei ,  LU, Haijing ,  LOK, Boon Keng

Inventor： WONG, Chee Khuen Stephen ,  PANG, Hock Lye John ,  FAN, Wei ,  LU, Haijing ,  LOK, Boon Keng

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/44 ,  H01L23/48 ,  B81C3/00 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/13 ,  B81C1/00095 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49149 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: An interconnect structure, an interconnect structure for interconnecting first and second components, an interconnect structure for interconnecting a multiple component stack and a substrate, and a method of fabricating an interconnect structure. The interconnect structure comprising a base portion formed on a mounting surface of a first component; a pillar portion extending from the base portion and substantially perpendicularly to the mounting surface; and a head portion formed on the pillar portion and having larger lateral dimensions than the pillar portion; wherein the base portion and the pillar portion are integrally formed of a homogeneous material.

Abstract translation: 互连结构，用于互连第一和第二组件的互连结构，用于互连多组分堆叠和衬底的互连结构，以及制造互连结构的方法。 所述互连结构包括形成在第一部件的安装表面上的基部; 从所述基部延伸并基本上垂直于所述安装表面的柱部; 以及头部，形成在所述柱部上并且具有比所述柱部更大的横向尺寸; 其中所述基部和所述柱部由均质材料一体地形成。

公开(公告)号：WO2008125440A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：PCT/EP2008/053527

申请日：2008-03-26

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  BUCHWALTER, Stephen, Leslie ,  FURMAN, Bruce, Kenneth ,  GRUBER, Peter, Alfred ,  NAH, Jae-Woong ,  SHIH, Da-Yuan

Inventor： BUCHWALTER, Stephen, Leslie ,  FURMAN, Bruce, Kenneth ,  GRUBER, Peter, Alfred ,  NAH, Jae-Woong ,  SHIH, Da-Yuan

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/31 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0379 ,  H05K2201/094 ,  H05K2201/10234 ,  H05K2201/10242 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: An electrical structure and method of forming. The electrical structure includes a first substrate comprising a first- electrically conductive pad, a second substrate comprising a second electrically conductive pad, and an interconnect structure electrically and mechanically connecting the first electrically conductive pad to the second electrically conductive pad. The interconnect. structure comprises a non-solder metallic core structure with a cylindrical or spherical shape, a first solder structure, and a second solder structure.. The first solder structure electrically and mechanically connects a first portion of the non- solder metallic core structure to the first electrically conductive pad. The second solder structure electrically and mechanically connects a second portion of the non- solder metallic core structure to the second electrically conductive pad.

Abstract translation: 一种电气结构和成型方法。 电结构包括第一基板，其包括第一导电焊盘，第二基板，包括第二导电焊盘，以及将第一导电焊盘电连接和机械连接到第二导电焊盘的互连结构。 互连。 结构包括具有圆柱形或球形形状的非焊料金属芯结构，第一焊料结构和第二焊料结构。第一焊料结构将非焊料金属芯结构的第一部分电气和机械地连接到第一 导电垫。 第二焊料结构将非焊料金属芯结构的第二部分电连接并机械连接到第二导电焊盘。

公开(公告)号：WO2008118774A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/US2008/057802

申请日：2008-03-21

Applicant: INTEL CORPORATION ,  ZHONG, Ting ,  DUBIN, Valery ,  BOHR, Mark

Inventor： ZHONG, Ting ,  DUBIN, Valery ,  BOHR, Mark

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: Embodiments of the invention include apparatuses and methods relating to copper die bumps with electromigration cap and plated solder. In one embodiment, an apparatus comprises an integrated circuit die, a plurality of copper bumps on a surface of the die, electromigration (EM) caps substantially covering a mating surface of the copper bumps capable of controlling intermetallic formation between the copper bumps and a solder, and solder plating on the EM caps capable of protecting the EM caps from oxidation prior to packaging.

Abstract translation: 本发明的实施例包括与具有电迁移帽和电镀焊料的铜芯凸块相关的装置和方法。 在一个实施例中，一种装置包括集成电路管芯，模具表面上的多个铜凸块，电迁移（EM）盖，基本覆盖铜凸块的配合表面，能够控制铜凸块和焊料之间的金属间形成 ，并且在包装之前能够保护EM帽免受氧化的EM帽上的焊料镀层。