公开(公告)号：WO2010009553A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：PCT/CA2009/001039

申请日：2009-07-23

Applicant: ATI TECHNOLOGIES ULC ,  MCLELLAN, Neil ,  GUO, Fei ,  CHUNG, Daniel ,  CHEUNG, Terence

Inventor： MCLELLAN, Neil ,  GUO, Fei ,  CHUNG, Daniel ,  CHEUNG, Terence

IPC: H01G13/00 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01G4/008 ,  H01G4/01 ,  H01G4/33 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/642 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1133 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: Various on-chip capacitors and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing a capacitor is provided that includes forming a first conductor structure on a semiconductor chip and forming a passivation structure on the first conductor structure. An under bump metallization structure is formed on the passivation structure. The under bump metallization structure overlaps at least a portion of the first conductor structure to provide a capacitor.

Abstract translation: 公开了各种片上电容器及其制造方法。 一方面，提供一种制造电容器的方法，包括在半导体芯片上形成第一导体结构，并在第一导体结构上形成钝化结构。 在钝化结构上形成凹凸金属化结构。 凸起下金属化结构与第一导体结构的至少一部分重叠以提供电容器。

公开(公告)号：WO2009108707A2

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/US2009/035151

申请日：2009-02-25

Applicant: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION ,  CAROBOLANTE, Francesco ,  HAWKS, Douglas Alan

Inventor： CAROBOLANTE, Francesco ,  HAWKS, Douglas Alan

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01F10/00 ,  H01F27/00

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49826 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: Micromodules and methods of making them are disclosed. An exemplary micromodule includes a substrate having a thin film inductor, and a bumped die mounted on the substrate and over the thin film inductor.

Abstract translation: 公开了微型组件及其制造方法。 示例性的微型组件包括具有薄膜电感器的衬底和安装在衬底上并在薄膜电感器上的凸起裸片。

公开(公告)号：WO2003075393A1

公开(公告)日：2003-09-12

申请号：PCT/JP2003/002584

申请日：2003-03-05

Applicant: ソニー株式会社 ,  小瀬村 孝彦 ,  奥洞 明彦

Inventor： 小瀬村 孝彦 ,  奥洞 明彦

IPC: H01P3/02

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/49838 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/024 ,  H05K1/165 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/09336 ,  H05K2201/10674

Abstract: A high frequency module having a high frequency circuit part (3) formed on a base substrate part (2). The high frequency circuit part (3) having a multilayer wiring layer, each having a wiring pattern or a filming element formed on a dielectric insulation layer, where a large number of lands (22) and a ground pattern (20) are formed on the uppermost wiring layer (17) along with a wiring pattern and an inductor element (19), and a semiconductor chip (4) being mounted on the wiring layer (17) at the high frequency circuit part (3) are provided on a planarized buildup forming plane (16) at the base substrate part (2). A transmission line (24) formed in the wiring layer (17) and connecting between the inductor element (19) and specified lands (22) is led through a punched pattern region (20c) formed in the ground pattern (20), thus constituting a coplanar transmission line.

Abstract translation: 具有形成在基底部分（2）上的高频电路部分（3）的高频模块。 具有多层布线层的高频电路部分（3），每个具有布线图案或形成在介电绝缘层上的成膜元件，其中在该绝缘层上形成有多个焊盘（22）和接地图案（20） 最上面的布线层（17）以及布线图案和电感器元件（19），以及安装在高频电路部分（3）的布线层（17）上的半导体芯片（4）设置在平坦化的堆积 在基底部分（2）处形成平面（16）。 形成在布线层（17）中并且连接在电感器元件（19）和指定的焊盘（22）之间的传输线（24）被引导通过形成在接地图案（20）中的穿孔图案区域（20c），从而构成 共面传输线。

公开(公告)号：WO2016052221A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/JP2015/076419

申请日：2015-09-17

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 手島祐一郎 ,  中磯俊幸 ,  竹島裕

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13013

Abstract: 　インターポーザ（１）と、インターポーザ（１）の第１面に搭載された半導体素子（２）と、インターポーザ（１）の第２面に形成されたバンプ（３）と、インターポーザ（１）の第２面に搭載されたチップ部品（１０）と、を備える。インターポーザ（１）はシリコンインターポーザであり、半導体素子（２）はインターポーザ（１）の第１面にフリップチップ実装され、チップ部品（１０）は、シリコン基板上に薄膜プロセスで素子が形成され、単一面にパッドが形成される薄膜受動素子であり、チップ部品（１０）のパッドは、インターポーザ（１）の第２面に形成されたランドに導電性接合材を介して接続される。この構造により、小型でありながら、半導体パッケージのインターポーザ（１）とチップ部品（１０）との間の接合信頼性を確保する。

Abstract translation: 本发明提供：插入件（1）; 安装在所述插入件（1）的第一表面上的半导体元件（2）; 形成在插入件（1）的第二表面上的凸起（3）; 以及安装在所述插入件（1）的第二表面上的芯片部件（10）。 插入器（1）是硅插入器，半导体元件（2）被倒装安装在插入件（1）的第一表面上，芯片部件（10）是薄膜无源元件，其中元件形成在 通过薄膜工艺的硅衬底，并且在单个表面上形成焊盘，并且通过在其间具有导电接合材料将所述芯片部件（10）的焊盘连接到焊盘，所述焊盘已经形成在所述第二表面上 的插入件（1）。 利用这种结构，确保半导体封装中的插入件（1）和芯片部件（10）之间的接合可靠性小，同时具有小尺寸。

公开(公告)号：WO2011008562A2

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/US2010040488

申请日：2010-06-29

Applicant: QUALCOMM INC ,  KLEMENS GUY ,  MYERS THOMAS A ,  FREDERICK JR NORMAN L ,  ZHAO YU ,  NEJATI BABAK ,  PLETCHER NATHAN M ,  HADJICHRISTOS ARISTOTELE

Inventor： KLEMENS GUY ,  MYERS THOMAS A ,  FREDERICK JR NORMAN L ,  ZHAO YU ,  NEJATI BABAK ,  PLETCHER NATHAN M ,  HADJICHRISTOS ARISTOTELE

IPC: H01L23/64 ,  H03F3/195

CPC classification number: H03F3/195 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: A compact integrated power amplifier is described herein. In an exemplary design, an apparatus includes (i) an integrated circuit (IC) die having at least one transistor for a power amplifier and (ii) an IC package having a load inductor for the power amplifier. The IC die is mounted on the IC package with the transistor(s) located over the load inductor. In an exemplary design, the IC die includes a transistor manifold that is placed over the load inductor on the IC package. The transistor(s) are fabricated in the transistor manifold, have a drain connection in the center of the transistor manifold, and have source connections on two sides of the transistor manifold. The IC die and the IC package may include one or more additional power amplifiers. The transistor(s) for each power amplifier may be located over the load inductor for that power amplifier.

Abstract translation: 这里描述了紧凑的集成功率放大器。 在示例性设计中，装置包括（i）具有用于功率放大器的至少一个晶体管的集成电路（IC）管芯，以及（ii）具有用于功率放大器的负载电感器的IC封装。 IC芯片安装在IC封装上，晶体管位于负载感应器上方。 在示例性设计中，IC管芯包括放置在IC封装上的负载电感器上的晶体管歧管。 晶体管制造在晶体管歧管中，在晶体管歧管的中心具有漏极连接，并且在晶体管歧管的两侧具有源极连接。 IC芯片和IC封装可以包括一个或多个附加的功率放大器。 每个功率放大器的晶体管可以位于该功率放大器的负载电感上。

公开(公告)号：WO2010062946A2

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/US2009065898

申请日：2009-11-25

Applicant: QUALCOMM INC ,  CHANDRASEKARAN ARVIND ,  KASKOUN KENNETH ,  GU SHIQUN

Inventor： CHANDRASEKARAN ARVIND ,  KASKOUN KENNETH ,  GU SHIQUN

IPC: H04W72/12

CPC classification number: H01Q1/2283 ,  G06K19/07775 ,  G06K19/07779 ,  H01L23/481 ,  H01L23/585 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0657 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19015 ,  H01Q7/00 ,  Y10T29/49016 ,  H01L2924/00

Abstract: An antenna structure is integrated in a semiconductor chip. The antenna structure is formed by at least one of: a) one or more through-silicon vias (TSVs), and b) one or more crack stop structures. In certain embodiments, the antenna structure includes an antenna element formed by the TSVs. The antenna structure may further include a directional element formed by the crack stop structure. In certain other embodiments, the antenna structure includes an antenna element formed by the crack stop structure, and the antenna structure may further include a directional element formed by the TSVs.

Abstract translation: 天线结构集成在半导体芯片中。 天线结构由以下至少一种形成：a）一个或多个穿硅通孔（TSV），以及b）一个或多个裂纹停止结构。 在某些实施例中，天线结构包括由TSV形成的天线元件。 天线结构还可以包括由裂纹停止结构形成的方向元件。 在某些其他实施例中，天线结构包括由裂缝停止结构形成的天线元件，并且天线结构还可以包括由TSV形成的定向元件。

公开(公告)号：WO2009088869A3

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/US2008088554

申请日：2008-12-30

Applicant: SUN MICROSYSTEMS INC ,  CHOW ALEX ,  HOPKINS R DAVID ,  DROST ROBERT J

Inventor： CHOW ALEX ,  HOPKINS R DAVID ,  DROST ROBERT J

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/48 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L24/06 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H04B5/0012 ,  H04B5/0031 ,  H04B5/0075 ,  H04B5/0081

Abstract: A multiple access Proximity Communication system in which electrical elements on an integrated circuit chip provide the multiplexing of multiple signals to a single electrical receiving element on another chip. Multiple pads formed on one chip and receiving separate signals may be capacitively coupled to one large pad on the other chip. Multiple inductive coils on one chip may be magnetically coupled to one large coil on another chip or inductive coils on three or more chips may be used for either transmitting or receiving. The multiplexing may be based on time, frequency, or code.

Abstract translation: 一种多址接近通信系统，其中集成电路芯片上的电气元件将多个信号复用到另一芯片上的单个电接收元件。 形成在一个芯片上并接收单独信号的多个焊盘可以电容耦合到另一个芯片上的一个大焊盘。 一个芯片上的多个感应线圈可以磁耦合到另一个芯片上的一个大线圈，或者三个或更多个芯片上的感应线圈可用于发送或接收。 复用可以基于时间，频率或代码。

公开(公告)号：WO2004064140A1

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：PCT/EP2003/014346

申请日：2003-12-16

Applicant: EPCOS AG ,  HEIDE, Patric ,  REHME, Frank

Inventor： HEIDE, Patric ,  REHME, Frank

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H03H9/1078 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/315 ,  H01L23/562 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H03H9/0557 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/1085 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Die Erfindung betrifft insbesondere ein Höchstfrequenzmodul, insbesondere einen Mikrowellen- bzw. Millimeterwellenmodul sowie Häusungstechnik solcher Bauteile. Das Höchstfrequenzmodul enthält z. B. a) eine aktive Einzelkomponente, die insbesondere eine Diode, einen Transistor oder eine integrierte Schaltung umfasst, und b) ein Substrat mit Vielschichtaufbau und integrierten Schaltungselementen, wobei die Einzelkomponenten auf der Oberseite des Substrats angeordnet werden. Zum Schutz der Höchstfrequenz-Einzelkomponenten wird vorgeschlagen, eine Filmabdeckung anzuwenden.

Abstract translation: 本发明特别地涉及一种高频模块，特别是微波或毫米波模块和Häusungstechnik这样的组件。 高频模块包括这样的。 B. a）活性单个组件，其包括尤其是二极管，晶体管或集成电路和b）具有多层结构和集成电路元件，其中所述衬底的所述顶表面上的各个组件被布置在衬底上。 为了保护高频分量，提出了应用薄膜覆盖。

公开(公告)号：WO2016004245A1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：PCT/US2015/038895

申请日：2015-07-01

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： LEE, Jong-Hoon ,  SONG, Young Kyu ,  YOON, Jung Ho ,  JOW, Uei Ming ,  ZHANG, Xiaonan ,  LANE, Ryan David

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H05K1/16 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L23/645 ,  H01F17/0013 ,  H01F2017/0086 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/525 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/111 ,  H05K1/165 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/014

Abstract: Some implementations provide an integrated device that includes a capacitor and an inductor. The inductor is electrically coupled to the capacitor. The inductor and the capacitor are configured to operate as a filter for an electrical signal in the integrated device. The inductor includes a first metal layer of a printed circuit board (PCB), a set of solder balls coupled to the PCB, and a second metal layer in a die. In some implementations, the capacitor is located in the die. In some implementations, the capacitor is a surface mounted passive device on the PCB. In some implementations, the first metal layer is a trace on the PCB. In some implementations, the inductor includes a third metal layer in the die. In some implementations, the second metal layer is an under bump metallization (UBM) layer of the die, and the third metal is a redistribution layer of the die.

Abstract translation: 一些实施方案提供了包括电容器和电感器的集成器件。 电感器电耦合到电容器。 电感器和电容器被配置为在集成器件中用作电信号的滤波器。 电感器包括印刷电路板（PCB）的第一金属层，耦合到PCB的一组焊球，以及管芯中的第二金属层。 在一些实施方案中，电容器位于管芯中。 在一些实现中，电容器是PCB上的表面安装无源器件。 在一些实施方案中，第一金属层是PCB上的痕迹。 在一些实施方案中，电感器包括管芯中的第三金属层。 在一些实施方案中，第二金属层是管芯的凸块下金属化（UBM）层，第三金属是管芯的再分布层。

公开(公告)号：WO2009108707A3

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/US2009035151

申请日：2009-02-25

Applicant: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ,  CAROBOLANTE FRANCESCO ,  HAWKS DOUGLAS ALAN

Inventor： CAROBOLANTE FRANCESCO ,  HAWKS DOUGLAS ALAN

IPC: H01L23/48 ,  H01F10/00 ,  H01F27/00 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49826 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: Micromodules and methods of making them are disclosed. An exemplary micromodule includes a substrate having a thin film inductor, and a bumped die mounted on the substrate and over the thin film inductor.

Abstract translation: 公开了微模块及其制造方法。 示例性微模块包括具有薄膜电感器的衬底，以及安装在衬底上和薄膜电感器上的凸起裸片。