公开(公告)号：CN112108453A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010556783.7

申请日：2020-06-17

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 林大和 ,  泷泽博胤 ,  古泽彰男 ,  北浦秀敏 ,  日根清裕

IPC: B08B3/12

Abstract: 本发明提供一种超声波处理装置以及超声波处理方法，能够有效且均匀地对被处理物进行超声波处理。超声波处理装置，用于对被处理物进行超声波处理，包含：处理槽，其装入第1液体；流路，其被配置成在所述处理槽内与所述第1液体接触，并且流过被处理物以及第2液体；以及超声波谐振器，其被设置于所述处理槽，所述流路具有间隔地与从所述超声波谐振器发出的超声波的行进方向至少相交2次，该间隔是该超声波的波长的1/2的整数倍±5％以内。

公开(公告)号：CN103563062A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280025481.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村太一 ,  北浦秀敏 ,  吉泽章央

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K35/14 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L23/49866 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/264 ,  B32B15/01 ,  B32B15/016 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/83205

Abstract: 在以Bi为主要成分的焊接材料的接合结构体中，改善应力缓和性，防止接合部中产生裂纹或剥离。在经由以Bi为主要成分的接合材料（104）将半导体元件（102）与Cu电极（103）相接合而构成的接合结构体（106）中，经由杨氏模量从接合材料（104）向被接合材料（半导体元件（102）、Cu电极（103））倾斜增大的层叠体（209a），将半导体元件（102）与Cu电极（103）相接合，从而确保与使用功率半导体模块时的温度周期中所产生的热应力相对的应力缓和性。

公开(公告)号：CN103958611A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280056764.1

申请日：2012-11-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中笃志 ,  西木直巳 ,  西川和宏 ,  北浦秀敏 ,  中谷公明 ,  岛中胜史 ,  畦地秋义

IPC: C08L101/00 ,  C08J5/18 ,  C08K3/04 ,  C08K7/00 ,  C09K5/08

CPC classification number: C09K5/14 ,  C08J5/18 ,  C08J2323/16 ,  C08K7/00 ,  C08K2201/001 ,  H05K9/0007 ,  H05K9/0083

Abstract: 本发明涉及一种各向异性导热组合物，其含有鳞片状石墨粒子、和使所述鳞片状石墨粒子分散的树脂成分，在鳞片状石墨粒子中，当设定基底面上的最大径为a、与所述基底面正交的厚度为c时，a/c以平均值计为30以上，鳞片状石墨粒子的含量多于40质量％且为90质量％以下。该各向异性导热组合物含有具有特有的形状的鳞片状石墨粒子，因此，在片材化时，能够高效地形成各向异性导热路径。所以，能够提供适合作为使热从高温部扩散到低温部的导热路径的片材状的成型品。

公开(公告)号：CN103493190A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280015910.6

申请日：2012-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村太一 ,  北浦秀敏

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/14 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/05 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/22 ,  B23K35/264 ,  B23K35/302 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/203 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种接合结构体，其具备：基板的电极；半导体元件的电极；和将基板的电极与半导体元件的电极之间接合的接合层，接合层从基板的电极朝向半导体元件的电极依次配置有：包含CuSn系的金属间化合物的第一金属间化合物层；Bi层；包含CuSn系的金属间化合物的第二金属间化合物层；Cu层；和包含CuSn系的金属间化合物的第三金属间化合物层。

公开(公告)号：CN102047398A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201080001751.5

申请日：2010-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52 ,  C22C12/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/264 ,  B23K35/325 ,  B32B15/01 ,  C22C12/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在半导体元件(102)的表面(102b)配置晶格与以Bi为主要成分的接合材料(106)不同的金属的层(105)，并且在晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)和半导体元件(102)的表面(102b)之间配置与接合材料(106)的化合物生成热为正值的元素的层(104)，藉此防止晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)的成分向半导体元件(102)扩散。

公开(公告)号：CN104250447A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410218491.7

申请日：2014-05-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中笃志 ,  西木直巳 ,  西川和宏 ,  北浦秀敏 ,  中谷公明 ,  名和穗菜美

IPC: C08L101/00 ,  C08L23/16 ,  C09K5/14 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04

CPC classification number: C08K3/04 ,  C08K2201/003 ,  C08K2201/004

Abstract: 本发明的目的之一是提供热传导性和柔软性都优异的各向异性热传导组合物。本发明的各向异性热传导组合物是含有树脂、和分散在所述树脂内部的石墨填料的片状各向异性热传导组合物，将平行于所述石墨填料的基底面的方向的所述石墨填料的最大径的长度定为a，将正交于所述基底面的方向的所述石墨填料的长度定为c时，a/c的平均值在30以上，a的平均值为1μm～300μm；所述石墨填料的含有量为20质量％～40质量％；所述石墨填料的所述基底面与所述片状的各向异性热传导组合物的片的面所成的较小的角度的平均值小于15度。

公开(公告)号：CN104229778A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410276391.X

申请日：2014-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北浦秀敏 ,  西木直巳 ,  西川和宏 ,  中谷公明 ,  田中笃志

IPC: C01B31/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及石墨烯分离方法、石墨烯分离装置、石墨烯层形成方法及石墨烯层形成装置。本发明的石墨烯分离方法用于解决现有技术问题，其包括以下工序：对含石墨粒子、石墨烯和溶剂的容器施加磁场，利用所述磁场在所述溶剂中将所述石墨粒子和所述石墨烯分离到不同位置的分离工序；以及从所述容器所设置的喷出口取出所述溶剂和所述石墨烯的取出工序。

公开(公告)号：CN103503157A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020107.1

申请日：2012-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北浦秀敏 ,  吉田将希

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0516 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: 获得一种在背接触型的太阳能电池单元中降低在焊接部产生的载流子的再结合损失、能提高发电效率的太阳能电池单元及其接合结构体。包括：硅基板（112）；形成于硅基板的第1面（113）、分别与P型扩散层（117）及N型扩散层（118）相连接的一对指状电极（114p）、（114n）；将一对指状电极之间绝缘的内部钝化层（115）；一方的指状电极（114p）的指状部集结的集结部中的、用于与外部进行连接的连接区域（102）；以及在该连接区域内、形成在与连接区域的一方的指状电极的极性不同的另一方的指状电极（114n）的前端的壁垒部（101）。

公开(公告)号：CN103125027A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201280003076.9

申请日：2012-06-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田将希 ,  北浦秀敏

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0508 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0516 ,  H02S40/36 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池组件，包括：相邻的2个以上的太阳能电池单元（1a、1b）；连接部件（2），其将太阳能电池单元（1a、1b）之间电连接；以及焊锡层（5），其配置在太阳能电池单元（1）和连接部件（2）之间，连接部件（2）在与第一太阳能电池单元（1a）和第二太阳能电池单元（1b）的连接部相对应的部位以能够各自流入焊锡的方式形成有第一开孔（4a）和第二开孔（4b），在第一开孔（4a）和第二开孔（4b）各自的外周的一部分，朝向太阳能电池单元（1）一侧形成有第一突起部（3a）和第二突起部（3b）。根据本发明，能够稳定地确保足够的焊锡接合层厚度，并能够使长期使用下的可靠性提高。

公开(公告)号：CN102132390A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201080002443.4

申请日：2010-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B23K35/363 ,  C22C12/00

CPC classification number: C22C12/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K35/264 ,  B23K35/362 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明是例如具有接合结构体的半导体零部件(100)，该接合结构体具备半导体元件(102)、与半导体元件(102)对置的电极(103)、连接半导体元件(102)与电极(103)的以Bi为主成分的接合材料，通过接合材料(104)含有碳化合物，与现在相比可以降低接合部被半导体元件和电极的线膨胀系数之差破坏的程度。可以提供由以Bi为主成分的接合材料将半导体元件和电极接合的接合结构体等，该接合结构体与现有产品相比可以提高接合部的可靠性。