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公开(公告)号：CN103608908A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029262.X
申请日：2012-04-04
申请人： 株式会社藤仓
CPC分类号： B23K1/00 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3013 , C22C5/02 , C22C13/00 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/03444 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/75251 , H01L2224/83101 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01S5/02208 , H01S5/02272 , H01S5/02284 , H01S5/02476 , H05K3/3463 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供将二个部件（A、B）用Au-Sn焊料接合的接合方法。在本发明的接合方法中，使接合后的Au-Sn焊料（S’）中的Sn的重量％浓度在38.0％以上、82.3％以下。
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公开(公告)号：CN103608908B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280029262.X
申请日：2012-04-04
申请人： 株式会社藤仓
CPC分类号： B23K1/00 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3013 , C22C5/02 , C22C13/00 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/03444 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/75251 , H01L2224/83101 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01S5/02208 , H01S5/02272 , H01S5/02284 , H01S5/02476 , H05K3/3463 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供将二个部件（A、B）用Au‑Sn焊料接合的接合方法。在本发明的接合方法中，使接合后的Au‑Sn焊料（S’）中的Sn的重量％浓度在38.0％以上、82.3％以下。
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公开(公告)号：CN103582933A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280027691.3
申请日：2012-05-03
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03845 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941
摘要： 一些实施例包含形成穿过半导体衬底的互连的方法。开口可经形成以部分地延伸穿过半导体衬底，且互连的部分可形成于所述开口内。另一开口可经形成以从所述衬底的第二侧延伸到所述互连的第一部分，且所述互连的另一部分可形成于此开口内。一些实施例包含半导体构造，其具有：穿透衬底互连的第一部分，其从所述衬底的第一侧部分地延伸穿过半导体衬底；及所述穿透衬底互连的第二部分，其从所述衬底的第二侧延伸且具有全部延伸到所述互连的所述第一部分的多个单独导电指状部。
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公开(公告)号：CN103582933B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280027691.3
申请日：2012-05-03
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03845 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941
摘要： 一些实施例包含形成穿过半导体衬底的互连的方法。开口可经形成以部分地延伸穿过半导体衬底，且互连的部分可形成于所述开口内。另一开口可经形成以从所述衬底的第二侧延伸到所述互连的第一部分，且所述互连的另一部分可形成于此开口内。一些实施例包含半导体构造，其具有：穿透衬底互连的第一部分，其从所述衬底的第一侧部分地延伸穿过半导体衬底；及所述穿透衬底互连的第二部分，其从所述衬底的第二侧延伸且具有全部延伸到所述互连的所述第一部分的多个单独导电指状部。
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公开(公告)号：CN102187458B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN200980141580.3
申请日：2009-08-19
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L25/065
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/03444 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05011 , H01L2224/05012 , H01L2224/05017 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05551 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05611 , H01L2224/114 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1161 , H01L2224/1162 , H01L2224/1182 , H01L2224/11823 , H01L2224/11825 , H01L2224/11826 , H01L2224/11831 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13687 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73257 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81205 , H01L2224/81345 , H01L2224/81365 , H01L2224/81815 , H01L2224/81898 , H01L2224/831 , H01L2224/83141 , H01L2224/83193 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要： 本发明揭示包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构以及相关联的系统及方法。根据特定实施例，一种系统包含具有第一衬底材料的第一半导体衬底及由所述第一半导体衬底承载的穿透结构。所述系统进一步包含具有带有预形成的凹部的第二衬底材料的第二半导体衬底。所述第一半导体衬底的所述穿透结构接纳于所述第二半导体衬底的所述凹部中且与所述凹部机械啮合并紧固到所述第二半导体衬底。
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公开(公告)号：CN107210237A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580074691.2
申请日：2015-12-08
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/683 , H01L23/482
CPC分类号： H01L24/32 , H01L21/4825 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/482 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/28 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/31 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/03416 , H01L2224/03418 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05075 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/17106 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29171 , H01L2224/29565 , H01L2224/29582 , H01L2224/29655 , H01L2224/29666 , H01L2224/3003 , H01L2224/30505 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/81439 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/81825 , H01L2224/83439 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2224/8481 , H01L2224/8581 , H01L2224/8681 , H01L2224/94 , H01L2924/00015 , H01L2924/01327 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L2924/20642 , H01L2224/48
摘要： 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。
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公开(公告)号：CN102768964B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210135698.9
申请日：2012-05-03
申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司
CPC分类号： H01L21/568 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C4/134 , C23C4/18 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/93 , H01L2221/68327 , H01L2224/03002 , H01L2224/03418 , H01L2224/03442 , H01L2224/03444 , H01L2224/056 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/00014 , H01L2224/03
摘要： 本发明涉及一种借助下述步骤制造半导体部件的方法：制造晶片（2），-将部件（1）的结构施加在晶片（2）上从而形成晶片组件，将金属涂层（5）施加在晶片（2）上，移除部件（1）的非接触区域的金属涂层（5），将围绕层施加在部件（1）的边缘区域上，将晶片（2）布置在由夹持环保持的薄片（4）上，将由薄片（4）承载的晶片组合物（1）的部件彼此分离开，将遮盖的掩模（3）布置在由薄片（4）承载的分离的部件（1）的未被涂布的区域上，将金属涂层（5）施加在由掩模（3）遮盖的分离的部件（1）上，移除掩模（3），以及从薄片（4）移除部件（1）并且进一步处理分离的部件（1）。
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公开(公告)号：CN102768964A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210135698.9
申请日：2012-05-03
申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司
CPC分类号： H01L21/568 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C4/134 , C23C4/18 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/93 , H01L2221/68327 , H01L2224/03002 , H01L2224/03418 , H01L2224/03442 , H01L2224/03444 , H01L2224/056 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/00014 , H01L2224/03
摘要： 本发明涉及一种借助下述步骤制造半导体部件的方法：制造晶片（2），将部件（1）的结构施加在晶片（2）上从而形成晶片组件，将金属涂层（5）施加在晶片（2）上，移除部件（1）的非接触区域的金属涂层（5），将围绕层施加在部件（1）的边缘区域上，将晶片（2）布置在由夹持环保持的薄片（4）上，将由薄片（4）承载的晶片组合物（1）的部件彼此分离开，将遮盖的掩模（3）布置在由薄片（4）承载的分离的部件（1）的未被涂布的区域上，将金属涂层（5）施加在由掩模（3）遮盖的分离的部件（1）上，移除掩模（3），以及从薄片（4）移除部件（1）并且进一步处理分离的部件（1）。
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公开(公告)号：CN102187458A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141580.3
申请日：2009-08-19
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L25/065
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/03444 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05011 , H01L2224/05012 , H01L2224/05017 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05551 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05611 , H01L2224/114 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1161 , H01L2224/1162 , H01L2224/1182 , H01L2224/11823 , H01L2224/11825 , H01L2224/11826 , H01L2224/11831 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13687 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73257 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81205 , H01L2224/81345 , H01L2224/81365 , H01L2224/81815 , H01L2224/81898 , H01L2224/831 , H01L2224/83141 , H01L2224/83193 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要： 本发明揭示包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构以及相关联的系统及方法。根据特定实施例，一种系统包含具有第一衬底材料的第一半导体衬底及由所述第一半导体衬底承载的穿透结构。所述系统进一步包含具有带有预形成的凹部的第二衬底材料的第二半导体衬底。所述第一半导体衬底的所述穿透结构接纳于所述第二半导体衬底的所述凹部中且与所述凹部机械啮合并紧固到所述第二半导体衬底。
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