公开(公告)号：CN103093020A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210242408.0

申请日：2012-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈钦安 ,  吴培滋 ,  蔡宗杰 ,  吴俊毅 ,  丁至刚

IPC: G06F17/50 ,  G06F17/30

CPC classification number: G06F17/5081

Abstract: 本发明提供了用于设计集成电路或其他半导体器件同时通过与其上显示设计布局的GUI的交互直接访问设计规则和设计特征库的系统和方法。设计规则可以直接链接至图案库的设计特征并输入设计布局。设计规则可以在设计布局的同时或者在进行设计规则检测的同时被直接访问，并且在创建布局的过程中可以使用来自图案库的设计特征。

公开(公告)号：CN103035593A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210011507.8

申请日：2012-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  游明志 ,  林柏尧 ,  卢景睿 ,  吴俊毅

IPC: H01L23/44 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及的是一种封装结构上的封装件，该封装结构上的封装件通过在第一封装件和第二封装件之间引入刚性热连接件来改进导热性和机械强度。该第一封装件具有第一衬底和穿过第一衬底的通孔。第一组传导元件与第一衬底的通孔相对准并且与其相连接。刚性热连接件与第一组传导元件以及第二封装件的管芯相连接。第二组传导元件与管芯相连接，底部衬底与第二组传导元件相连接。散热连接件可以是，例如，中介层、散热器或导热层。本发明还提供了一种封装结构上的封装件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102054811A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010158589.X

申请日：2010-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧景文 ,  吴俊毅 ,  黄儒瑛 ,  陈承先

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种集成电路结构，包括：一第一工作部件及一第二工作部件。第一工作部件包括一半导体基底以及位于半导体基底上方的一铜凸块。第二工作部件包括一接合垫。一焊料邻接于第一工作部件与第二工作部件之间，其中焊料将铜凸块电性连接至接合垫。焊料包括钯。本发明使焊料的可靠度有明显的改善。

公开(公告)号：CN100562991C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200710100856.6

申请日：2007-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊毅

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L23/142 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种半导体封装结构，包括：基板层，其成分包括合金42材料；芯片，附着于基板层的第一侧面上；及互连线结构，位于芯片上，其中互连线结构包括插塞及连接芯片的导线。本发明的优点在于合金42材料和半导体芯片有近似的热膨胀系数，因此由封装体施加给芯片的应力可以减少。

公开(公告)号：CN101339910A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810096240.0

申请日：2008-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭祖宽 ,  许国经 ,  李建勋 ,  吴俊毅 ,  梁裕民

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/3178 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明公开一种晶片级芯片尺寸封装(wafer－level chip－scale package)的制造方法，包括：形成多个导电柱于一半导体晶片的一第一表面上，该半导体晶片中具有多个裸片；以干蚀刻形成至少一沟槽于该半导体晶片的该第一表面中，其中该沟槽定义至少一分界线于所述多个裸片间；沉积一包覆材料于该第一表面上；穿过该包覆材料切割一凹陷于该沟槽中，其中该切割留下一部分半导体材料于该半导体晶片的一第二面上；以及研磨该第二面以移除该部分半导体材料，并分离所述多个裸片。本发明的优点为借由使用干蚀刻在沟槽中产生较平坦的侧壁，减低了破裂或形成缺口的风险。

公开(公告)号：CN112086443B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN201910993012.1

申请日：2019-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊毅 ,  余振华

IPC: H10D80/20 ,  H01L21/98 ,  H10D80/30 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装体及其形成方法。在实施例中，一种封装体包括：衬底；第一管芯，设置在衬底内；重布线结构，位于衬底及第一管芯之上；以及经包封器件，位于重布线结构之上，重布线结构将第一管芯耦合到所述经包封器件。

公开(公告)号：CN113140471B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202110053609.5

申请日：2021-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊毅 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/538

Abstract: 一种器件包括：互连器件，连接至再分布结构，其中，互连器件包括导电布线，所述导电布线连接至设置在互连器件的第一侧上的导电连接器；模制材料，至少横向地围绕互连器件；金属化图案，位于模制材料和互连器件的第一侧上方，其中，金属化图案电连接至导电连接器；第一外部连接器，连接至金属化图案；以及半导体器件，连接至第一外部连接器。本申请的实施例还涉及封装件和半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN119065075A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411079589.9

申请日：2024-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  夏兴国 ,  曾智伟 ,  吴俊毅

IPC: G02B6/42

Abstract: 光子组件包括复合管芯。复合管芯包括：其中包括波导和光子器件的光子集成电路(PIC)管芯；其中包括半导体器件的电子集成电路(EIC)管芯；以及接触PIC管芯的顶表面并与EIC管芯横向间隔开的嵌入式光学连接器管芯。本申请的实施例还涉及形成光子组件的方法。

公开(公告)号：CN112687651B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202010212267.2

申请日：2020-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建勋 ,  余振华 ,  吴俊毅

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本揭露提供一种封装结构及其形成方法，所述方法包含：形成第一重布线；形成聚合物层，聚合物层包含环绕第一重布线的第一部分以及交叠第一重布线的第二部分；形成在聚合物层上方且接触聚合物层的一对差分传输线；以及将所述一对差分传输线模制于第一模制化合物中。模制化合物包含环绕所述一对差分传输线的第一部分以及交叠所述一对差分传输线的第二部分。电连接件形成在所述一对差分传输线上方且电耦合到所述一对差分传输线。

公开(公告)号：CN118818664A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410801295.6

申请日：2024-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁佳宁 ,  周佑铭 ,  梁世纬 ,  吴念芳 ,  吴俊毅 ,  余振华

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/293 ,  G02B6/124 ,  G02B6/125

Abstract: 本文的实施例提出了光学器件及其制造方法。在实施例中，提供了光学器件，该光学器件包括：第一衬底，该第一衬底包括光学器件层和半导体管芯；第一波导结构，位于第一衬底上方，第一波导结构包括由包层材料围绕的第一光学组件，其中第一波导结构具有顶面，该顶面包括与第一衬底相距第一距离的第一部分、与第一衬底相距第二距离的第二部分以及位于第一部分和第二部分之间的过渡部分，其中第二距离大于第一距离；以及第一反射结构，位于第一部分和过渡部分上方，其中过渡部分上方的第一反射结构的部分是弯曲表面。