公开(公告)号：CN1713395A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510008297.7

申请日：2005-02-21

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 金一旭 ,  赵俊熙 ,  朴圣彦 ,  安进弘 ,  李相敦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/763 ,  H01L21/764 ,  H01L21/765 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0214 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种具有硅衬底的半导体器件，其中有源区形成在两个器件隔离膜之间并且栅极形成在有源区的表面上。所述硅衬底具有在靠近所述器件隔离膜侧的所述有源区的表面下方的所述有源区中的横向蚀刻部分。绝缘膜形成在所述硅衬底的横向蚀刻部分上。导电电极形成在所述绝缘膜上，通过该导电电极施加外部电压以调整阈值电压。所述器件隔离膜形成在导电电极上。在所述器件隔离膜和所述导电电极之间不存在或存在一些空腔的袋状物。

公开(公告)号：CN1131558C

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN99109408.5

申请日：1999-06-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金奇南 ,  李宰圭 ,  沈载勋

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L27/10844 ,  H01L21/762 ,  H01L21/765 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873

摘要： 本发明通过采用浅槽隔离(STI)中的导电屏蔽层，为亚微米隔离间距的DRAM提供具有低掺杂衬底和与有源宽度无关的阈值电压的无窄沟道效应的DRAM单元晶体管结构。所得到的单元晶体管结构大大消除了从栅和邻近存储节点结经过浅槽隔离的寄生E场穿透，并且非常适用于Gbit规模DRAM技术。用负电压偏置导电屏蔽层，以便最小化衬底中的侧壁耗尽。

公开(公告)号：CN109786384A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811200304.7

申请日：2018-10-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林孟汉 ,  邱德馨 ,  吴伟成 ,  邓立峯 ,  张健宏

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531

CPC分类号： H01L27/11286 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/765 ,  H01L23/562 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66825

摘要： 本发明提供了一种包括半导体衬底和至少一个图案化的介电层的半导体结构。半导体衬底包括半导体部分、至少一个第一器件、至少一个第二器件和至少一个第一伪环。在通过半导体部分围绕的第一区上设置至少一个第一器件。在第二区上设置至少一个第二器件和至少一个第一伪环，并且第二区围绕第一区。至少一个图案化的介电层覆盖半导体衬底。本发明的实施例还提供了另一种半导体结构和一种制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN105280485B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201510301809.2

申请日：2015-06-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J.舒尔策 ,  H.舒尔策

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/26 ,  H01L21/328 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/765 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及制造包括场停止区的半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括通过利用激光束穿过半导体本体的第一表面照射半导体本体的一部分形成场停止区。所述部分具有在5x1016cm‑3和5x1017cm‑3的范围内的氧浓度。然后利用质子穿过第一表面照射半导体本体，并且在300℃到550℃的温度范围内使半导体本体退火。

公开(公告)号：CN104854702B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201380065488.X

申请日：2013-11-27

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 增田健良 ,  和田圭司

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： 碳化硅膜(90)具有第一和第二主表面(P1、P2)。第二主表面(P2)具有元件形成表面(PE)以及终端表面(PT)。碳化硅膜(90)具有构成第一主表面(P1)以及与第一主表面(P1)相反的中间表面(PM)的第一范围(RA)，以及提供在中间表面(PM)上并构成元件形成表面(PE)的第二范围(RB)。第一范围(RA)包括：第一击穿保持层(81A)；以及部分提供在终端部(TM)中的中间表面(PM)处的保护环区(73)。第二范围(RB)具有第二击穿保持层(81B)。第二范围(RB)具有在终端部(TM)中仅具有第二击穿保持层(81B)的结构以及仅设置在元件部(CL)和终端部(TM)中的元件部(CL)中的结构。

公开(公告)号：CN104867871B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510084863.6

申请日：2015-02-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： I.格茨 ,  A.施门 ,  D.佐伊卡

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L21/78 ,  H01L29/0649

摘要： 半导体器件及形成其的方法。根据本发明的实施例，一种用于形成半导体器件的方法包括在衬底中形成器件区。所述器件区从衬底的一个侧壁连续地延伸到衬底的相对侧壁。该方法还包括在衬底中形成沟槽，所述沟槽将所述器件区划分为各有源区。该方法还包括通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底。

公开(公告)号：CN105393363B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201480034461.9

申请日：2014-05-02

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 海老原洪平 ,  三浦成久 ,  浜田宪治 ,  大久野幸史

IPC分类号： H01L29/861 ,  G03F1/70 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

摘要： 本发明的目的在于，提供一种具备能够在抑制制造时的抗蚀剂垮塌的同时有效地缓和电场集中的终端区域的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：形成于由第1导电类型的碳化硅半导体构成的半导体基板的半导体元件(110)；以及在俯视时包围半导体元件(110)而形成于半导体基板(1)的第2导电类型的多个环状区域(2)，多个环状区域(2)中的至少一个具备使该环状区域(2)的在俯视时内侧和外侧的第1导电类型的区域在俯视时相互连通的一个以上的第1导电类型的隔开区域(5)。

公开(公告)号：CN105895701A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610082830.2

申请日：2016-02-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·迈泽尔 ,  F·希尔勒 ,  T·施勒塞尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/765 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66666

摘要： 本公开涉及包括晶体管阵列和终止区域的半导体器件及其制造方法。形成在具有第一主面的半导体衬底(100)中的半导体器件(1)包括晶体管阵列(10)和终止区域(20)。晶体管阵列(10)包括源极区域(201)、漏极区域(205)、本体区域(220)、漂移区(260)和本体区域(220)处的栅电极(210)。栅电极(210)被配置为控制形成在本体区域(220)中的沟道的导电性。栅电极(210)设置在第一沟槽(212)中。本体区域(220)和漂移区(260)在源极区域(201)和漏极区域(205)之间沿第一方向设置，第一方向平行于第一主面。本体区域(220)具有沿第一方向延伸的第一脊部的形状。终止区域(20)包括终止沟槽(272)，终止沟槽(272)的一部分沿第一方向延伸，终止沟槽(272)的长度大于第一沟槽(212)的长度，沿着第一方向测量长度。

公开(公告)号：CN105575812A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410548682.X

申请日：2014-10-16

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 杨广立 ,  蒲贤勇 ,  刘丽 ,  戴执中 ,  王刚宁 ,  孙泓

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/763 ,  H01L21/765 ,  H01L23/552

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：S101：提供包括嵌入式离子注入层的半导体衬底，通过刻蚀形成至少两个第一沟槽；S102：形成覆盖第一沟槽的侧壁的第一介电层；S103：形成覆盖第一介电层的侧面与第一沟槽的底壁的掺杂多晶硅层；S104：刻蚀去除掺杂多晶硅层覆盖第一沟槽的底壁的部分并继续刻蚀以形成贯穿嵌入式离子注入层的第二沟槽；S105：在第二沟槽内形成第二介电层以形成包括两个相邻的第二介电层与嵌入式离子注入层的隔离框，在隔离框内形成电子元件。由于该方法制得的器件包括该隔离框，因而可以降低器件的尺寸。该半导体器件同样具有上述优点。该电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。

公开(公告)号：CN105470290A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510633700.9

申请日：2015-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·施密特 ,  E·法尔克

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/063 ,  H01L21/761 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66325

摘要： 本申请的各实施例涉及软开关半导体器件及其生产方法。一种半导体器件，具有半导体主体，该半导体主体具有第一侧以及在第一垂直方向远离该第一侧而被布置的第二侧。该半导体器件具有整流结、第一导通类型的场停止区以及被布置在该整流结和场停止区之间的第一导通类型的漂移区。该半导体主体沿平行于该第一垂直方向的线具有净掺杂浓度。应用(a)和(b)中的至少一个：(a)该漂移区在第一深度具有电荷重心，其中在该整流结和该电荷重心之间的距离小于该漂移区在第一垂直方向的厚度的37％；(b)该净掺杂浓度的绝对值沿该直线并且在该漂移区之内包括局部最大值。