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公开(公告)号：CN100461449C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200380110455.9
申请日：2003-10-23
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 姉崎彻
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括具有阻挡特性的绝缘膜侧壁间隔体。该半导体装置包括：形成在半导体基底上的栅氧化物膜和栅极；形成在半导体基底中的源/漏区；以及形成在栅极的侧壁上的第一多层侧壁间隔体。所述第一多层侧壁间隔体具有两层或更多层，并包括氮化物膜作为除最外层以外的层。侧壁间隔体的最外层由氧化物膜或氮氧化合物膜制成，且其底面与所述半导体基底、所述栅氧化物膜或侧壁间隔体的除所述氮化物膜层以外的层接触。该半导体装置还可以包括非易失性存储器的多层栅极结构、和形成在所述多层栅极结构的侧壁上的第二多层侧壁间隔体。所述第二多层侧壁间隔体具有三层或更多层，并包括作为不与所述半导体基底接触的中间层的氮化物膜。
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公开(公告)号：CN100461403C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510076387.X
申请日：2005-06-10
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/13021 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/15174 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05099 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开一种半导体器件，包括：支撑衬底；第一半导体元件，安装在该支撑衬底的一侧上；第二半导体元件，包括安装在该支撑衬底的所述一侧上的高频电极；通孔，设置在与该高频电极相关联的该支撑衬底上；以及外部连接电极，设置在与该通孔相关联的该支撑衬底的另一侧上。
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公开(公告)号：CN100461186C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200380110480.7
申请日：2003-10-31
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 庄司稔
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5022 , G06F17/504
Abstract: 在验证支持装置(1500)中，输入部(1502)受理由未验证模型要素构成的、表示未验证设计对象的未验证规格描述的输入。搜索部(1503)从由验证完成模型要素构成的、表示验证完成设计对象的验证完成规格描述中，根据未验证模型要素和验证完成模型要素，搜索与通过输入部(1502)输入的未验证规格描述相同或相似的验证完成规格描述。逻辑验证内容提取部(1504)根据通过搜索部(1503)搜索到的搜索结果，提取对验证完成设计对象进行的逻辑验证内容。输出部(1505)输出通过逻辑验证内容提取部(1504)提取的逻辑验证内容。
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公开(公告)号：CN100459476C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN02154563.4
申请日：2002-12-06
Applicant: 富士通微电子株式会社
Abstract: 在此提供一种半导体器件，其停止不必要的电路操作，以减少由于泄漏电流所造成的功耗。该器件被功能性地分为模块。该模块的电源系统被分为电源总是开启的非控制电源组和可以独立地开启/关闭每个电源的受控制电源组。当非控制电源组的电源系统控制部分输出用于通电的控制信号时，电源开关部分被导通，以使得受控制电源组从休眠状态释放，从而第一处理部分开始间断操作。仅仅当第一下一个处理必要性确定部分确定下一个处理的必要性时，产生一个控制信号，以激活下一个电源组。不必用于处理的模块不被提供电能，从而没有泄漏电流流过，因此可以减少功耗。
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公开(公告)号：CN100459133C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200710078922.4
申请日：2002-03-21
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/105
Abstract: 一种半导体集成电路器件，包括衬底(11)，形成在衬底(11)的存储单元区域中的非易失性存储器件，和形成在衬底(11)的器件区域中的半导体器件。非易失性存储器件具有多层栅电极结构(16F)，包括隧道隔离膜(12A)和形成在其上的浮栅电极(13A)。浮栅电极(13A)具有覆盖上保护隔离膜(18)的侧面。半导体器件具有栅隔离膜(12B，12C)以及形成在它们上面的栅电极(16B，16C)。在隧道隔离膜(12A)和浮栅电极(13A)的界面处由热氧化膜形成鸟嘴结构，该结构沿着界面浮栅电极(13A)侧面穿透到浮栅电极(13A)中，并且栅隔离膜(12B，12C)被插入到衬底(11)和栅电极(16B，16C)之间以具有基本均匀的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101352033A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580052448.7
申请日：2005-12-27
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 樋口刚
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/37455 , H03M1/0604 , H03M1/123 , H03M1/56 , H04N5/361
Abstract: 不降低AD转换时的分辨率而从像素信号中除去由于温度而发生改变的暗电流分量。DA转换器(11)生成从规定的初始信号电平以固定的斜率增加的基准信号，比较器(12)对基准信号和像素信号进行比较，计数器(13)进行与基准信号的增加同步的计数，锁存电路(14)保持像素信号的量化值，平均值计算部(15)计算出从多个遮光像素读出的像素信号的量化值的平均值，基准信号调整部(16)以平均值为基础，设定与从受光像素读出的像素信号进行比较的基准信号的初始信号电平。
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公开(公告)号：CN101345081A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810126880.1
申请日：2008-07-10
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 富田浩由
IPC: G11C11/406 , H03B19/00
CPC classification number: G11C11/406 , G11C2211/4061
Abstract: 本发明提供了振荡装置、调节振荡装置的方法和存储器。振荡装置包括：振荡器，其根据使能信号生成振荡信号；计数器，其对振荡信号的振荡数进行计数，并且能够在由第一信号所指示的振荡数处复位；以及比较器，其将所计数的振荡数与参考数进行比较。
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公开(公告)号：CN100447897C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN03152662.4
申请日：2003-08-05
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 中川佑之
IPC: G11C11/401 , G11C29/00
CPC classification number: G11C29/50016 , G11C11/401 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C29/46
Abstract: 本发明提供一种用于容易地和精确地评估器件的半导体储存器及其测试方法。该储存器具有第一存取模式和第二存取模式。该储存器包括转变检测信号发生电路(20)，以合成输入信号和产生用于进入第一存取模式的第一入口信号(mtds)。控制电路(27)响应第一入口信号产生第一模式触发信号(rw-start)，还接收用于进入第二存取模式的第二入口信号(ref-req)和响应第二入口信号产生第二模式触发信号(ref-start)。代码发生电路(30)连接到转变检测信号发生电路以产生选择控制信号(en-code)。转变检测信号发生电路根据选择控制信号以选择方式逻辑地合成输入信号以产生第一入口信号。
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公开(公告)号：CN101326623B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200580052252.8
申请日：2005-12-06
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L21/673 , B65D85/86
CPC classification number: H01L21/6732 , Y10S206/832
Abstract: 一种半导体晶片容置盒(10A)，由多个支承构件(12)和弹性构件(14)构成，所述多个支承构件(12)与各半导体晶片(1)的第一主面的外周端部附近的区域相接触，并支承该半导体晶片(1)，所述弹性构件(14)弹性支承在上述支承构件之间，并且通过弹性变形与各半导体晶片(1)的第二主面相接触，并将该半导体晶片(1)按压在上述支承构件(12)上。
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公开(公告)号：CN1941348B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200510137573.X
申请日：2005-12-30
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/5382 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48475 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/85951 , H01L2225/0651 , H01L2225/06527 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 一种设置于半导体器件中的继电板，包括第一端子和多个第二端子，第二端子通过布线连接至第一端子。连接至该第一端子的布线在途中分叉，从而该布线连接至第二端子中的每个端子。使用本发明，可任意选择设置于继电板上的多个焊盘和/或可任意选择连接焊盘或焊线的布线的连接方式，因此该继电板可应用于不同功能或结构的半导体器件。
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