公开(公告)号：CN104051406B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201310680445.4

申请日：2013-12-11

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 郑世杰 ,  卢东宝

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0655 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

摘要： 一半导体结构包括：一装置；在所述装置上的一导电衬垫；及在所述导电衬垫上方的一Ag1-xYx合金凸块。所述Ag1-xYx凸块的Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且所述Ag1-xYx合金凸块之的X在0.005至0.25的一范围内。一个标准差与所述Ag1-xYx合金凸块的一粒径分布的一均值之间的一差异在0.2μm至0.4μm的一范围内。所述Ag1-xYx合金凸块在一纵向横截面平面上的一平均粒径在0.5μm至1.5μm的一范围内。

公开(公告)号：CN103137596B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210301609.3

申请日：2012-08-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  林俊成

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/381

摘要： 所述的形成多芯片封装件的机制使具有不同凸块尺寸的芯片能够封装到公共基板。可以将具有较大凸块的芯片和基板上的两个或者两个以上的较小凸块接合起来。相反，可以将芯片上的两个或者两个以上的小凸块和基板上的大凸块接合起来。通过允许将具有不同尺寸的凸块接合在一起，可以将具有不同凸块尺寸的芯片封装在一起，从而形成多芯片封装件。本发明提供了用于多芯片封装的凸块结构。

公开(公告)号：CN102280423B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201110025101.0

申请日：2011-01-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  黄雅希 ,  陈新瑜 ,  蔡柏豪 ,  林彦甫 ,  黄震麟 ,  蔡方文 ,  邱文智

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/488 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/81805

摘要： 本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work？piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物，且为介电层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法，在裸片对晶片接合工艺中，即使工作件的温度高时，保护层也可避免铜凸块的氧化。

公开(公告)号：CN102201375A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201010257039.3

申请日：2010-08-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  吴逸文 ,  王俊杰 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种集成电路装置及封装组件，该集成电路装置包括：半导体基板；第一凸块底金属层形成于半导体基板之上；第二凸块底金属层形成于第一凸块底金属层之上且具有侧面；导电柱形成于第二凸块底金属层之上且具有侧面与顶面；保护结构形成于导电柱的侧面与第二凸块底金属层的侧面之上；其中保护结构由非金属材料所形成而导电柱由含铜层所形成。本发明提供了用于铜柱凸块技术的侧壁保护工艺，其于铜柱凸块的侧壁上形成由例如一介电材料层、一聚合物层或上述膜层的组合的至少一种非金属的材料膜层所形成的一保护结构。本发明可调整基板的应力，避免了于回焊工艺中沿着凸块底金属层的周围的铜柱的焊锡湿润情形，因此适用于精细间距凸块技术。

公开(公告)号：CN100492607C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200480027161.4

申请日：2004-09-17

申请人： 英特尔公司

发明人： M·玻尔 ,  S·巴拉克利施南 ,  V·杜宾

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 涉及管芯封装的方法、技术和结构。在一个典型实现中，管芯封装互连结构包括半导体衬底以及与所述半导体衬底接触的第一导电层。该第一导电层可包括基极层金属(230)。所述基极层金属可包括Cu。该典型实现还包括与所述第一导电层接触的扩散阻挡物(225)以及在所述扩散阻挡物之上的润湿层。凸起层(215)可位于所述润湿层之上，其中所述凸起层包括Sn并且Sn可被电镀。此外，所述扩散阻挡物还适于抑制凸起层中类晶须的形成。

公开(公告)号：CN103681614B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310218344.5

申请日：2013-06-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈冠宇 ,  林育蔚 ,  曾裕仁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种迹线上凸块（BOT）结构包括由集成电路支撑的接触元件、电连接到接触元件的凸块下金属化（UBM）部件、位于凸块下金属化部件上的金属凸块以及位于基板上的基板迹线。基板迹线通过焊料接点和介面合金共化物连接到金属凸块；介面合金共化物的第一横截面积和焊料接点的第二横截面积的比率大于40%。

公开(公告)号：CN104051406A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310680445.4

申请日：2013-12-11

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 郑世杰 ,  卢东宝

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0655 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

摘要： 一半导体结构包括：一装置；在所述装置上的一导电衬垫；及在所述导电衬垫上方的一Ag1-xYx合金凸块。所述Ag1-xYx凸块的Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且所述Ag1-xYx合金凸块之的X在0.005至0.25的一范围内。一个标准差与所述Ag1-xYx合金凸块的一粒径分布的一均值之间的一差异在0.2μm至0.4μm的一范围内。所述Ag1-xYx合金凸块在一纵向横截面平面上的一平均粒径在0.5μm至1.5μm的一范围内。

公开(公告)号：CN103855115A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310163365.1

申请日：2013-05-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘浩君 ,  庄其达 ,  庄曜群 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/4821 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13601 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/112 ,  Y10T29/49149 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

摘要： 一种衬底焊盘结构，包括：第一焊盘，突出到封装衬底的顶面的上方，第一焊盘具有第一细长形状；第二焊盘，嵌入封装衬底，第二焊盘具有第二细长形状；以及通孔，连接在第一焊盘和第二焊盘之间。

公开(公告)号：CN103681590A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310428929.X

申请日：2013-09-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林彦良 ,  曾裕仁 ,  黄昶嘉 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供了一种凸块结构的实施例，包括：形成在衬底上的接触元件；覆盖衬底的钝化层，钝化层具有露出接触元件的钝化开口；覆盖钝化层的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层具有露出接触元件的聚酰亚胺开口；电连接至接触元件的凸块下金属化层（UBM）部件，凸块下金属化层部件具有UBM宽度；以及位于凸块下金属化层部件上的铜柱，铜柱的远端具有铜柱宽度，并且UMB宽度大于铜柱宽度。本发明还提供了一种形成凸块结构的方法。

公开(公告)号：CN102332435B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201110029421.3

申请日：2011-01-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈文维 ,  庄曜群 ,  陈承先 ,  陈明发

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种电子元件及其制作方法，其中一实施例提供一种电子元件，包括一第一基板，具有一接点；一凸块底部金属结构，电性接触接点；以及一凹陷的导电柱，位于凸块底部金属结构上并电性接触凸块底部金属结构，凹陷的导电柱具有一形成于其中的凹槽，凹槽具有大体上垂直的侧壁。本发明的实施例可减少接点之间对不准的问题发生，从而增加产能与可靠度。