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公开(公告)号：CN102576705B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201080044718.0
申请日：2010-09-28
申请人： ABB技术有限公司
CPC分类号： H01L24/01 , H01L23/4985 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/48229 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/37099
摘要： 本发明涉及其中安装功率功能器件(16)和导体元件(18)的电路装置(10)，该装置(10)包括衬底(12)、提供在衬底(12)上并电连接到功能器件(16)和导体元件(18)的布线层(14)以及中间电接触器件，其安装在布线层(14)上以在与布线层相对侧上提供用于接触导体元件(18)的接触区。根据本发明，导体元件(18)正在接触与如下区域相对的接触区中的中间电接触器件，该区域中电接触器件固定到布线层。本发明还涉及电路装置的对应制造方法。
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公开(公告)号：CN101499450B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910005255.6
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明使得介在于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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公开(公告)号：CN101699623B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910179290.X
申请日：2007-06-26
申请人： 三洋电机株式会社
发明人： 秋庭隆史
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/49 , H01L23/492
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/451 , H01L2224/48247 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体装置。在以往的半导体装置中，存在有DC-DC转换电路的电源能量转换效率被MOSFET特性影响的问题。本发明的半导体装置(1)，在芯片焊盘(5)上固定有三个MOSFET元件(2～4)。MOSFET元件(2～4)的源极电极(9～11)通过导电板(24)而共同连接。MOSFET元件(2～4)的漏极电极(26、28、29)共同连接。MOSFET(2～4)的栅极电极(6～8)个别地连接。通过该结构，MOSFET元件(2～4)可根据目的而个别地驱动。
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公开(公告)号：CN1967817A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610143623.X
申请日：2006-11-02
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3142 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L24/91 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 在一个实施例中，通过向封装基片的期望部分添加一层微粒而形成半导体封装。这层微粒形成了裂隙的矩阵，这些裂隙提供了用于机械锁定或接合包装材料的微观锁特征部件。
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公开(公告)号：CN102768965B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210214671.9
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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公开(公告)号：CN101673729B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200910147421.6
申请日：2009-06-10
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/48 , H01L23/482 , H02M3/10
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/91 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85439 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12044 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件。在半导体器件(SM1)的封装(PA)内包装了形成有功率金氧半场效晶体管的半导体芯片(4PH，4PL)、和形成有控制其动作的控制电路的半导体芯片(4D)，半导体芯片(4PH，4PL，4D)各自被搭载在印模焊垫(7D1，7D2，7D3)上。高边的半导体芯片(4PH)的源电极用的接合焊垫(12S1，12S2)，经由金属板(8A)与印模焊垫(7D2)电连接。在印模焊垫(7D2)的上表面设有形成于搭载了半导体芯片(4PL)的区域的电镀层(9b)、以及形成于接合有金属板(8A)的区域的电镀层(9c)，电镀层(9b)和电镀层(9c)经由未形成有电镀层的区域被隔开。本发明可提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101673729A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910147421.6
申请日：2009-06-10
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/48 , H01L23/482 , H02M3/10
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/91 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85439 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12044 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件。在半导体器件(SM1)的封装(PA)内包装了形成有功率金氧半场效晶体管的半导体芯片(4PH，4PL)、和形成有控制其动作的控制电路的半导体芯片(4D)，半导体芯片(4PH，4PL，4D)各自被搭载在印模焊垫(7D1，7D2，7D3)上。高边的半导体芯片(4PH)的源电极用的接合焊垫(12S1，12S2)，经由金属板(8A)与印模焊垫(7D2)电连接。在印模焊垫(7D2)的上表面设有形成于搭载了半导体芯片(4PL)的区域的电镀层(9b)、以及形成于接合有金属板(8A)的区域的电镀层(9c)，电镀层(9b)和电镀层(9c)经由未形成有电镀层的区域被隔开。本发明可提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN100576477C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610142387.X
申请日：2006-10-11
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 威廉·F·博格奥特 , 弗朗西斯·J·卡尔尼 , 乔斯弗·K·弗蒂 , 詹姆斯·P·莱特曼 , 杰·A·尤德
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/561 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 一种用于形成有引脚模块阵列封装的方法，在一种实施方案中，包括将引脚框架组件放置到具有引脚腔的成型装置中。该方法还包括在引脚框架组件中的导电引脚和引脚腔之间形成密封，以及灌封引脚框架组件以形成模块阵列组件。然后，将模块阵列组件分离成单独的有引脚模块封装。
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公开(公告)号：CN101097908A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126273.0
申请日：2007-06-26
申请人： 三洋电机株式会社
发明人： 秋庭隆史
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/451 , H01L2224/48247 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体装置。在以往的半导体装置中，存在有DC-DC转换电路的电源能量转换效率被MOSFET特性影响的问题。本发明的半导体装置(1)，在芯片焊盘(5)上固定有三个MOSFET元件(2～4)。MOSFET元件(2～4)的源极电极(9～11)通过导电板(24)而共同连接。MOSFET元件(2～4)的漏极电极(26、28、29)共同连接。MOSFET(2～4)的栅极电极(6～8)个别地连接。通过该结构，MOSFET元件(2～4)可根据目的而个别地驱动。
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公开(公告)号：CN1649146A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410104839.6
申请日：2004-12-29
申请人： 株式会社瑞萨科技
CPC分类号： H01L24/40 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16245 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/40249 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48599 , H01L2224/49111 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明的课题是谋求封入了多个半导体芯片的半导体器件的散热性的提高。在输入侧板状引线部5上配置了控制用功率MOSFET芯片2，在该芯片的背面上形成了漏极端子DT1，另一方面，在主面上形成了源极端子ST1和栅极端子GT1，该源极端子ST1与源极用板状引线部12连接，此外，在输出侧板状引线部6上配置了同步用功率MOSFET芯片3，在该芯片的背面上形成了漏极端子DT2，将输出侧板状引线部6连接到该漏极端子DT2上，再者，在同步用功率MOSFET芯片3的主面上形成了源极端子ST2和栅极端子GT2，连接该源极端子ST2与源极用板状引线部13，通过露出源极用板状引线部12、13，可提高MCM1的散热性。
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