公开(公告)号：JPWO2013132953A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：JP2014503720

申请日：2013-02-08

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 公介 中野 ,  公介 中野 ,  高岡　英清 ,  英清 高岡

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K35/0216 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/222 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/42 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/01322 ,  H01R4/02 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K13/0465 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 十分な接合強度を確保しつつ、第1金属部材と第2金属部材を接合することが可能で、かつ、温度階層接続における再リフローなどの段階での接合材料の流れ出しを抑制、防止することが可能な接合方法などを提供する。第1金属からなる第1金属部材(11a)と、第2金属からなる第2金属部材(11b)とを、第1および/または第2金属よりも融点の低い低融点金属を含む接合材料(10)を介して接合するにあたって、接合材料を構成する低融点金属を、SnまたはSnを含む合金とし、第1および第2金属の少なくとも一方を、接合材料を構成する低融点金属との間に金属間化合物12を生成する金属または合金とし、第1金属部材と第2金属部材との間に接合材料を配置した状態で、上記低融点金属が溶融する温度で熱処理する。

Abstract translation: 同时确保足够的接合强度，可结合到所述第一金属构件和第二金属构件，和在阶段流出接合材料的抑制，如在温度分级接合重新回流，能够防止 提供这样的可能的接合方法。 由第一金属（11A）的第一金属构件，和由第二金属制成的第二金属构件（11B），含有具有熔点比所述第二金属低的低熔点金属的第一和/或粘合材料（ 通过10接合时），构成接合材料的熔点低的金属，以及含有Sn或Sn时，第一和第二金属中的至少一种的合金，该低熔点金属之间构成结合材料 的金属或合金，以产生金属间化合物12，在所述第一金属构件和第二金属构件之间的接合材料，低融点金属是热处理在熔化的温度的状态。

公开(公告)号：JP5750644B2

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：JP2011547286

申请日：2010-12-17

Applicant: アダマンド株式会社

Inventor： 溝口 英孝 ,  斉藤 利男 ,  照井 広己

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K20/26 ,  B23K20/005 ,  H01L24/78 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/78631 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85399 ,  H01L24/85 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082

公开(公告)号：JP2015106615A

公开(公告)日：2015-06-08

申请号：JP2013247467

申请日：2013-11-29

Applicant: イビデン株式会社

Inventor： 台蔵 外茂也

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/183 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H05K3/4697 ,  B23K2201/35 ,  B23K2201/42 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H05K2201/09127 ,  H05K2201/10674 ,  H05K3/4602

Abstract: 【課題】 電子部品を収容するキャビティ底部のコプラナリティが良好なプリント配線板を提供する。 【解決手段】 キャビティ18の内側において、第1のビルドアップ層55Fの含まれる層間絶縁層の層数と第2のビルドアップ層55Sに含まれる層間絶縁層の層数とが等しい。凹部の内側(底)でビルドアップ層の層数が対称になり、層間絶縁層を硬化させる際に、応力が対称に加わるので、キャビティ底部のコプラナリティが良好になる。 【選択図】 図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在容纳电子部件的腔体底部上具有良好共面性的印刷线路板。解决方案：在空腔18的内部，包括在第一堆叠层中的层间绝缘层的层数 55F等于包含在第二堆积层55S中的层间绝缘层的层数。 堆积层的层数在凹部的内部（底部）是对称的，并且在固化层间绝缘层中对称地施加应力，从而可以实现空腔底部的良好共面性。

公开(公告)号：JP2015104746A

公开(公告)日：2015-06-08

申请号：JP2013248018

申请日：2013-11-29

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 小田 祐一 ,  佐川 英之 ,  黒木 一真 ,  黒田 洋光 ,  田中 康太郎 ,  沼田 浩明

IPC: B23K35/40 ,  B23K35/14

CPC classification number: B23K35/002 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  B23K35/00 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/28 ,  B23K35/282 ,  B23K35/286 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B32B15/017 ,  C25D5/50 ,  B23K2201/42 ,  B32B2307/702 ,  C25D7/0607 ,  C25D7/0614 ,  Y10T428/1266

Abstract: 【課題】接合時にCu酸化膜の還元雰囲気で行なう必要の無い鉛フリー高温はんだ接合材料を提供する。 【解決手段】Znを主成分として含有するZn系金属材1と、Zn系金属材1上に設けられたAlを主成分として含有するAl系金属材2と、Al系金属材2上に設けられたCuを主成分として含有するCu系金属材3と、Cu系金属材3上に設けられた、銅よりも酸素との親和性が高い金属及び酸素を含有するアモルファス層を有する表面処理層4とを備えたはんだ接合材料。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供可以消除在Cu氧化膜还原气氛中进行接头的无铅高温焊料材料。解决方案：焊接材料包括：含有Zn的Zn基金属材料1 作为主要组成部分; 设置在Zn系金属材料1上的以Al为主成分的Al系金属材料2， 设置在Al系金属材料2上并含有Cu作为主要成分的Cu系金属材料3; 以及设置在Cu基金属材料3上的表面处理层4，并且包括含有比铜亲和性高的金属的非晶层和氧。

公开(公告)号：JP2015085379A

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：JP2013228492

申请日：2013-11-01

Applicant: オリジン電気株式会社

Inventor： 小澤 直人 ,  鈴木 隆之 ,  松月 豊

IPC: H05K3/34 ,  H01L21/60 ,  B23K1/008 ,  B23K31/02 ,  B23K101/40 ,  B23K3/08

CPC classification number: B23K1/008 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  B23K2201/42 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/131 ,  H01L24/13

Abstract: 【課題】ギ酸を安全かつ迅速に処理することが可能で、真空ポンプの腐食がなく、排気速度、チャンバー内真空度も確保できる半田付け装置および分解方法を提供する。 【解決手段】真空チャンバーから排気される排ガスに含まれる還元剤を分解する分解機構を備える半田付け装置であって、前記分解機構が、真空チャンバー10と真空ポンプ11とを接続する排気流路に、触媒層15を有する流路16と、バイパス流路12と、触媒層15に酸素あるいは酸素を含むガスを導入するガス導入機構13と、を設けた装置である。前記還元剤の分解方法では、真空チャンバー10から排気される排ガスを、酸素あるいは酸素を含むガスとともに触媒層15のみを通過させて還元剤濃度を低減させた後、バイパス流路12を開放して真空チャンバー10内部を真空状態にし、第2触媒層7では還元剤の分解処理を行う。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以安全快速地处理甲酸的焊接装置，并且还可以确保室内的排出速度和真空度，而不会使真空泵发生腐蚀和分解方法。解决方案：焊接 具有分解机构的装置，其分解从真空室排出的废气中所含的还原剂，其中分解机构包括具有催化剂层15的流路16，旁通流路12和气体导入机构13， 将氧气或含氧气体引入催化剂层15，催化剂层15设置在连接真空室10和真空泵11的排气通道中。在分解还原剂的分解方法中，从真空中排出的废气 室10仅与催化剂层15一起通过氧气或含氧气体，从而降低还原剂的浓度 此后，旁路流路12打开，使真空室10的内部成为真空状态，在第二催化剂层7中进行还原剂的分解处理。

公开(公告)号：JP2015077601A

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：JP2013077289

申请日：2013-04-02

Applicant: 千住金属工業株式会社

Inventor： 吉川 俊策 ,  平井 尚子 ,  立花 賢 ,  立花 芳恵

IPC: C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  B23K35/26

CPC classification number: H01R13/58 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01R12/71 ,  H01R4/02 ,  B23K2201/36 ,  B23K2201/42

Abstract: 【課題】 車載用電子回路の高密度化により、従来の基板とはんだ付け部や部品とはんだ付け部などの接合界面でのクラックだけでなく、接合したはんだ内部のSnマトリックス中に亀裂が生じるという、新しいクラックの不具合が現れるようになった。 【解決手段】 Agが1〜4質量%、Cuが0.5〜1.0質量%、Sbが1〜5質量%、Niが0.01〜0.2質量%、残部がSnの鉛フリーはんだ合金を用いる事で、−40〜+125℃の温度サイクルを3000サイクル近く繰り返しても、微細なはんだ接合部分で発生し易い、はんだ組織中で伝達するクラックが発生しない、信頼性の高いはんだ合金を得ることができる。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：例如，为了解决问题，由于车载电子电路的密度提高，不仅在部件和焊接部件或基板的接合界面上的裂纹以及部件，而且还有新的裂纹 发生焊接焊料内的Sn基体的龟裂等问题。解决方案：一种无铅焊料合金，其包含：1-4质量％的Ag，0.5-1.0质量％的Cu，1-5质量％的Sb，0.01- 使用0.2质量％的Ni，使用余量的Sn，即使在-40〜+ 125℃的温度循环重复几乎3000次的情况下，在细焊料部容易发生裂纹， 焊锡纸，不发生。 因此，可以实现具有高可靠性的焊料合金。

公开(公告)号：JP5692467B1

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：JP2014523135

申请日：2014-02-04

Applicant: 千住金属工業株式会社

Inventor： 川▲崎▼ 浩由 ,  六本木 貴弘 ,  相馬 大輔 ,  佐藤 勇

IPC: C22B15/14 ,  C22B23/06 ,  B22F1/00 ,  B22F9/00 ,  B22F9/06 ,  H05K3/34 ,  C22B9/02

CPC classification number: B22F9/08 ,  B22F1/0048 ,  B22F9/14 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H05K3/3463 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K2201/42 ,  B23K3/0623 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/16 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K2203/041 ,  H05K3/3436

Abstract: 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。 純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、純度が99.9%以上99.995%以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。

Abstract translation: 产生抑制金属球所发射的α剂量。 中所含的纯金属中的杂质，具有比对应于该杂质移除目标，或U的含量少的压力高的沸点为5ppb的，钍的含量不超过5ppb的，纯度 99.9％以上且99.995％或以下，铅或铋，或Pb和Bi的总和的纯金属的内容的内容中的一个是在1PPM或高于杂质去除目标的沸点，纯金属 在比纯金属的沸点低的温度下，包括熔化的纯金属的步骤的熔点的，而且，通过加热到高于，Zodama纯金属的步骤熔融球形。

公开(公告)号：JPWO2013051650A1

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：JP2013537548

申请日：2012-10-04

Applicant: 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

Inventor： 小林　孝之 ,  孝之 小林 ,  浩三 尾上 ,  浩三 尾上 ,  佐々木　勉 ,  勉 佐々木 ,  將元 田中 ,  將元 田中 ,  勝一 木村 ,  勝一 木村 ,  寺嶋　晋一 ,  晋一 寺嶋

IPC: G01N13/00 ,  B23K1/00 ,  G01N19/04 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/203 ,  B23K2201/42 ,  G01N2203/0296

Abstract: 本発明は、安価で簡便・迅速な評価方法により、半導体チップや基板に形成された電極の金属とはんだのぬれ性を評価することで、電極へのはんだの搭載性を評価する方法を提供する。金属板の上に複数のはんだを載置し、フラックスを用いずにはんだの融点より10〜50℃高い温度で熱処理した後、前記金属板と接合しているはんだの数を数えることを特徴とする、フラックスを用いた場合のはんだの搭載性評価方法。

Abstract translation: 本发明中，通过廉价且简单的和快速的评估方法，评估形成在半导体芯片和基板上的电极的金属和焊料的润湿性，以用于评价电极的焊接安装提供一种方法 。 在10放置多个焊料的金属板，热处理后，以50℃，而不焊剂的焊料的熔点以上，且其特征在于通过计数焊料的数量被结合到所述金属板 于，配备了在使用熔剂的情况下的焊料的评价方法。

公开(公告)号：JP5685353B2

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：JP2010548659

申请日：2008-02-29

Applicant: クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク. ,  クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク.

Inventor： クーイー、ジェレマイア ,  サーバッカー、ショーン ,  オドナー、マシュー ,  ディリー、マイケル

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/004 ,  B23K2201/42 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78703 ,  H01L2224/78901 ,  H01L2224/85121 ,  H01L2224/8513 ,  H01L2224/85132 ,  H01L2224/8518 ,  H01L2224/85191 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01049

公开(公告)号：JP5683470B2

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：JP2011531442

申请日：2009-10-07

Applicant: ヘッセ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

Inventor： ヘッセ・ハンス−ユルゲン ,  ヴァラシェク・イェルク ,  ブレーケルマン・ミヒャエル ,  ヴァシルイェフ・ピオトル

IPC: B23K20/10 ,  H01L21/607 ,  H02N2/00

CPC classification number: B23K20/002 ,  B23K20/106 ,  B23K2201/42 ,  H01L21/67138 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015