公开(公告)号：JPWO2016203659A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：JP2015552702

申请日：2015-07-22

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  隆 山田 ,  大造 小田 ,  大造 小田 ,  榛原　照男 ,  照男 榛原 ,  良 大石 ,  良 大石 ,  齋藤　和之 ,  和之 齋藤 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111

摘要： Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、175℃〜200℃のHTSでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比(=最大耐力/0.2%耐力):1.1〜1.6の両立を図る。ワイヤ中にNi、Zn、Rh、In、Ir、Ptの1種以上を総計で0.03〜2質量%含有することによってHTSでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が15度以下である結晶方位 の方位比率を50%以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を0.9〜1.3μmとすることにより、耐力比を1.6以下とする。

公开(公告)号：JPWO2016189758A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：JP2015548080

申请日：2015-09-18

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  隆 山田 ,  大造 小田 ,  大造 小田 ,  榛原　照男 ,  照男 榛原 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01051

摘要： 表面にPd被覆層を有するCuボンディングワイヤにおいて、高温高湿環境でのボール接合部の接合信頼性を改善し、車載用デバイスに好適なボンディングワイヤを提供する。Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤがAs、Te、Sn、Sb、Bi、Seの1種以上の元素を合計で0.1〜100質量ppm含有する。これにより、高温高湿環境下でのボール接合部の接合寿命を向上し、接合信頼性を改善することができる。Cu合金芯材がさらにNi、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Geの1種以上をそれぞれ0.011〜1.2質量%含有すると、170℃以上の高温環境でのボール接合部信頼性を向上できる。また、Pd被覆層の表面にさらにAuとPdを含む合金表皮層を形成するとウェッジ接合性が改善する。

公开(公告)号：JP5116101B2

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：JP2008163617

申请日：2008-06-23

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 晋一 寺嶋 ,  智裕 宇野 ,  宏平 巽 ,  隆 山田 ,  敦夫 池田 ,  大造 小田

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2224/4554

摘要： There is provided a bonding wire which does not cause a leaning failure or the like. A semiconductor mounting bonding wire has a breaking elongation of 7 to 20%, and stress at 1% elongation is greater than or equal to 90% of a tensile strength and is less than or equal to 100% thereof.

公开(公告)号：JPWO2017013817A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2016507915

申请日：2015-12-28

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  隆 山田 ,  大造 小田 ,  大造 小田 ,  良 大石 ,  良 大石 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45847 ,  H01L2224/45944 ,  H01L2224/45964 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01083

摘要： Cu合金芯材の表面にPdを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にAuとPdを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、Pdめっきリードフレームでの2nd接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。Cu合金芯材の表面にPdを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にAuとPdを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面におけるCu濃度を1〜10at%とし、芯材中に元素周期表第10族の金属元素を総計で0.1〜3.0質量%の範囲で含有することにより、2nd接合性の改善と、高湿加熱条件における優れたボール接合性を実現することができる。さらに、表皮合金層のAuの最大濃度が15at%〜75at%であると好ましい。

公开(公告)号：JP5497360B2

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：JP2009177315

申请日：2009-07-30

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 晋一 寺嶋 ,  智裕 宇野 ,  隆 山田 ,  大造 小田

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JP5360179B2

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：JP2011219314

申请日：2011-10-03

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 智裕 宇野 ,  晋一 寺嶋 ,  隆 山田 ,  大造 小田

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22C21/02 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC分类号： B23K35/302 ,  B21C1/003 ,  B21C37/047 ,  B23K35/0261 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/435 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20755 ,  Y10T428/2958 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012

摘要： The present invention is a copper-based bonding wire for use in a semiconductor element. The bonding wire of the present invention can be manufactured with an inexpensive material cost, and has a superior PCT reliability in a high-humidity/temperature environment. Further, the bonding wire of the present invention exhibits: a favorable TCT reliability through a thermal cycle test; a favorable press-bonded ball shape; a favorable wedge bondability; a favorable loop formability, and so on. Specifically, the bonding wire of the present invention is a copper alloy bonding wire for semiconductor manufactured by drawing a copper alloy containing 0.13 to 1.15% by mass of Pd and a remainder comprised of copper and unavoidable impurities.

公开(公告)号：JP5343069B2

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：JP2010504316

申请日：2009-07-10

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 智裕 宇野 ,  隆 山田 ,  敦夫 池田

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48486 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48511 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01049

摘要： The invention is aimed at providing a bonding structure of a copper-based bonding wire, realizing low material cost, high productivity in a continuous bonding in reverse bonding for wedge bonding on bumps, as well as excellent reliability in high-temperature heating, thermal cycle test, reflow test, HAST test or the like. The bonding structure is for connecting the bonding wire onto a ball bump formed on an electrode of a semiconductor device, the bonding wire and the ball bump respectively containing copper as a major component thereof. The bonding structure comprises a concentrated layer A provided at an interface of a bonding part of the ball bump and the bonding wire, wherein the concentration of a metal R other than copper in the concentrated layer A is not less than ten times the average concentration of the metal R in the ball bump; and a concentrated layer B provided at an interface of a bonding part of the ball bump and the electrode, wherein the concentration of the metal R in the concentrated layer B is not less than ten times the average concentration of the metal R in the ball bump.

公开(公告)号：JP5222339B2

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：JP2010238295

申请日：2010-10-25

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 智裕 宇野 ,  圭一 木村 ,  隆 山田

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/20658 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JP6254649B2

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：JP2016151318

申请日：2016-08-01

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  隆 山田 ,  大造 小田 ,  大造 小田 ,  榛原　照男 ,  照男 榛原 ,  良 大石 ,  良 大石 ,  齋藤　和之 ,  和之 齋藤 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JPWO2016204138A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：JP2017525235

申请日：2016-06-14

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  隆 山田 ,  大造 小田 ,  大造 小田 ,  榛原　照男 ,  照男 榛原 ,  良 大石 ,  良 大石 ,  齋藤　和之 ,  和之 齋藤 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： Cu合金芯材と、前記Cu合金芯材の表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記ボンディングワイヤが高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含み、下記(1)式で定義する耐力比が1.1〜1.6であることを特徴とする。耐力比=最大耐力/0.2%耐力 (1)