公开(公告)号：JP2016111350A

公开(公告)日：2016-06-20

申请号：JP2015227213

申请日：2015-11-20

申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

发明人： スコット・スミス ,  クリストファー・ジェームズ・カプスタ ,  グレン・アラン・フォアマン ,  エリック・パトリック・デイビス

IPC分类号： H05K3/00 ,  H05K1/11 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/486 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/82138 ,  H01L2224/83129 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/3025

摘要： 【課題】電子パッケージおよびその作製方法を提供する。 【解決手段】電子パッケージは、誘電体層と、誘電体層の少なくとも一部に配置されたコンフォーマルマスキング層を含んでいる。電子パッケージは、コンフォーマルマスキング層の少なくとも一部に配置された配線層と、コンフォーマルマスキング層および配線層に少なくとも部分的に配置されたマイクロビアをさらに含んでいる。さらに、配線層の少なくとも一部は、マイクロビアの少なくとも一部にコンフォーマル導電層を形成している。また、コンフォーマルマスキング層は、マイクロビアのサイズを画定するように構成されている。電子パッケージは、マイクロビアに作動式に結合された半導体ダイをさらに含んでいる。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供电子封装及其制造方法。解决方案：电子封装包括介电层和设置在电介质层的至少一部分上的保形掩模层。 电子封装还包括设置在保形掩模层的至少一部分上的布线层和至少部分地设置在保形掩模层和布线层中的微通孔。 此外，路由层的至少一部分在微通孔的至少一部分中形成共形导电层。 另外，保形掩模层被配置为限定微通孔的尺寸。 电子封装还包括可操作地耦合到微通孔的半导体管芯。选择的图示：图1

公开(公告)号：JP2015088757A

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：JP2014221769

申请日：2014-10-30

申请人： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

发明人： ラクシュミナラヤン ビスワナサン

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L23/047 ,  H01L21/288 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/50 ,  H01L23/057 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0461 ,  H01L2924/0469 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16598 ,  H01L2924/171 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/3025

摘要： 【課題】銀を使用して結合されているセラミック、有機、及び金属材料の組合せを組み込む半導体デバイスパッケージを提供する。 【解決手段】銀は、圧力及び低温下で微粒子の形態で被着される。被着後、銀は、一般的な銀の融点を有する固体を形成し、それゆえ、完成したパッケージは、製造温度よりも大幅に高い温度に耐えることができる。さらに、銀は、様々な組合せ材料の間の界面材料であるため、熱膨張係数のような、セラミック、有機、及び金属構成要素の間の異なる材料特性の影響は、銀の接合の温度が低いこと及び柔軟性に起因して低減される。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种结合了使用银耦合的陶瓷，有机和金属材料的组合的半导体器件封装。溶液：银在压力和低温下以微粒的形式施加。 应用后，银形成具有典型的银熔点的固体，因此成品封装可承受明显高于制造温度的温度。 此外，由于银是各种组合材料之间的界面材料，所以陶瓷，有机和金属组分之间的不同材料性质（例如热膨胀系数）的影响由于低粘结温度和延展性而降低 银色

公开(公告)号：JP5919625B2

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：JP2011036253

申请日：2011-02-22

申请人： 富士通株式会社

发明人： 今泉 延弘 ,  岡本 圭史郎 ,  渡部 慶二

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92247 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/181

公开(公告)号：JP5300470B2

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：JP2008513466

申请日：2006-03-24

申请人： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

发明人： ロメガ トンプソン、バシル ,  フェンダー、ジェイソン ,  ケイ． デイリー、テリー ,  チャン、ジン−ウク

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor packages ( 100 ) that prevent the leaching of gold from back metal layers ( 118 ) into the solder ( 164 ) and methods for fabricating the same are provided. An exemplary method comprises providing a semiconductor wafer stack ( 110 ) including metal pads ( 112 ) and a substrate ( 116 ). An adhesion/plating layer ( 115 ) is formed on the substrate ( 116 ). A layer of gold ( 118 ) is plated on the adhesion/plating layer ( 115 ). The layer of gold is etched in a street area ( 124 ) to expose edge portions ( 128 ) of the layer of gold ( 118 ) and the adhesion/plating layer ( 115 ). A layer of barrier metal ( 130 ) is deposited to form an edge seal ( 129 ) about the exposed edge portions ( 128 ). The edge seal ( 129 ) prevents the leaching of gold from back metal layers ( 118 ) into the solder ( 162 ) when the wafer stack ( 110 ) is soldered to a leadframe ( 162 ).

公开(公告)号：JPWO2017013796A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2015540380

申请日：2015-07-23

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  隆 山田 ,  大造 小田 ,  大造 小田 ,  良 大石 ,  良 大石 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45847 ,  H01L2224/45944 ,  H01L2224/45964 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01083

摘要： Cu合金芯材の表面にPdを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にAuとPdを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、Pdめっきリードフレームでの2nd接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。Cu合金芯材の表面にPdを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にAuとPdを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面Cu濃度を1〜10at%とし、芯材中にPd、Ptの一方又は両方を総計で0.1〜3.0質量%の範囲で含有することにより、2nd接合性の改善と、高湿加熱条件における優れたボール接合性を実現することができる。さらに、表皮合金層のAuの最大濃度が15at%〜75at%であると好ましい。

公开(公告)号：JP2008543049A

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：JP2008513466

申请日：2006-03-24

申请人： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

发明人： チャン、ジン−ウク ,  ケイ． デイリー、テリー ,  ロメガ トンプソン、バシル ,  フェンダー、ジェイソン

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor packages ( 100 ) that prevent the leaching of gold from back metal layers ( 118 ) into the solder ( 164 ) and methods for fabricating the same are provided. An exemplary method comprises providing a semiconductor wafer stack ( 110 ) including metal pads ( 112 ) and a substrate ( 116 ). An adhesion/plating layer ( 115 ) is formed on the substrate ( 116 ). A layer of gold ( 118 ) is plated on the adhesion/plating layer ( 115 ). The layer of gold is etched in a street area ( 124 ) to expose edge portions ( 128 ) of the layer of gold ( 118 ) and the adhesion/plating layer ( 115 ). A layer of barrier metal ( 130 ) is deposited to form an edge seal ( 129 ) about the exposed edge portions ( 128 ). The edge seal ( 129 ) prevents the leaching of gold from back metal layers ( 118 ) into the solder ( 162 ) when the wafer stack ( 110 ) is soldered to a leadframe ( 162 ).

公开(公告)号：JP2005516415A

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：JP2003564914

申请日：2003-01-30

申请人： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

发明人： プレッスル アンドレアス ,  カイザー シュテファン ,  ヘルレ フォルカー ,  オッテ フランク ,  ハーン ベルトルト ,  フェーラー ミヒャエル

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/762 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/172 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： A method for producing a semiconductor component, in particular a thin-film component, a semiconductor layer being separated from a substrate by irradiation with a laser beam having a plateaulike spatial beam profile. Furthermore, the semiconductor layer, prior to separation, is applied to a carrier with an adapted thermal expansion coefficient. The method is suitable in particular for semiconductor layers containing a nitride compound semiconductor.

公开(公告)号：JP2013042142A

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：JP2012180882

申请日：2012-08-17

申请人： Abb Technology Ag ,  アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー

发明人： FRANC DUGAL

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/62 ,  H01L23/051 ,  H01L23/4924 ,  H01L24/72 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor unit, a power semiconductor module, and a module assembly which have long-life electrical and thermal connection between the power semiconductor device and a base plate.SOLUTION: A power semiconductor unit has: a metal attachment base 6; a base plate 2 having a molybdenum layer 4; and a power semiconductor device 3 electrically and thermally coupled to the upper surface side of the base plate. The metal attachment base of the base plate is disposed between the power semiconductor device and the molybdenum layer, and the molybdenum layer prevents a high resistance intermetallic phase from being formed between itself and the semiconductor device.

摘要翻译： 解决的问题：提供在功率半导体器件和基板之间具有长寿命的电和热连接的功率半导体单元，功率半导体模块和模块组件。 电源半导体单元具有：金属安装基座6; 具有钼层4的基板2; 以及与基板的上表面侧电耦合的功率半导体器件3。 基板的金属安装基底设置在功率半导体器件和钼层之间，并且钼层防止在其与半导体器件之间形成高电阻金属间相。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP5073915B2

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：JP2003564914

申请日：2003-01-30

申请人： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

发明人： プレッスル アンドレアス ,  カイザー シュテファン ,  ヘルレ フォルカー ,  オッテ フランク ,  ハーン ベルトルト ,  フェーラー ミヒャエル

IPC分类号： B23K26/00 ,  H01L21/268 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/172 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： A method for producing a semiconductor component, in particular a thin-film component, a semiconductor layer being separated from a substrate by irradiation with a laser beam having a plateaulike spatial beam profile. Furthermore, the semiconductor layer, prior to separation, is applied to a carrier with an adapted thermal expansion coefficient. The method is suitable in particular for semiconductor layers containing a nitride compound semiconductor.

公开(公告)号：JPWO2008026335A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：JP2008531967

申请日：2007-03-07

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 裕樹 北山 ,  裕樹 北山 ,  良嗣 堀 ,  良嗣 堀

IPC分类号： H01L23/36

CPC分类号： H01L25/165 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 電子部品素子に金属板が接合された電子部品装置を、基板に搭載するとき、金属板と基板の金属面とを接合するはんだが、電子部品素子と金属板とを接合するはんだを溶食すると、電子部品素子と金属板との間での接合信頼性が低下する。電子部品素子(22)と金属板(23)とを接合する第1のはんだ(37)の一部によって、電子部品素子(22)の底面(34)の外周に沿って延びる突条(38)を形成する。突条(38)は、金属板(23)とマザーボードとしての基板(32)とを接合する第2のはんだ(53)を堰き止め、電子部品素子(22)と金属板(23)との接合に寄与している第1のはんだ(37)が溶食されることを防止する。