公开(公告)号：US08124490B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US11958546

申请日：2007-12-18

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang ,  Robert C. Frye

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang ,  Robert C. Frye

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/0794 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： A flip chip semiconductor device has a substrate with a plurality of active devices formed thereon. A passive device is formed on the substrate by depositing a first conductive layer over the substrate, depositing an insulating layer over the first conductive layer, and depositing a second conductive layer over the insulating layer. The passive device is a metal-insulator-metal capacitor. The deposition of the insulating layer and first and second conductive layers is performed without photolithography. An under bump metallization (UBM) layer is formed on the substrate in electrical contact with the plurality of active devices. A solder bump is formed over the UBM layer. The passive device can also be a resistor by depositing a resistive layer over the first conductive layer and depositing a third conductive layer over the resistive layer. The passive device electrically contacts the solder bump.

摘要翻译： 倒装芯片半导体器件具有在其上形成有多个有源器件的衬底。 通过在衬底上沉积第一导电层，在第一导电层上沉积绝缘层，以及在绝缘层上沉积第二导电层，在衬底上形成无源器件。 无源器件是金属 - 绝缘体 - 金属电容器。 绝缘层和第一和第二导电层的沉积在没有光刻的情况下进行。 在与多个有源器件电接触的衬底上形成凸块下金属化（UBM）层。 在UBM层上形成焊料凸块。 无源器件还可以是通过在第一导电层上沉积电阻层并在电阻层上沉积第三导电层的电阻器。 无源器件与焊料凸块电接触。

公开(公告)号：US08116038B1

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12779225

申请日：2010-05-13

申请人： Qing Zhang ,  Hongqi Li ,  David K. Myers ,  Enoch Mylabathula

发明人： Qing Zhang ,  Hongqi Li ,  David K. Myers ,  Enoch Mylabathula

IPC分类号： G11B21/16

CPC分类号： G11B5/5569 ,  G11B5/4833

摘要： A novel disk drive head stack assembly (HSA) includes a first head gimbal assembly attached to a first actuator arm. A dummy mass is attached to a second actuator arm. The dummy mass includes a mounting plate portion defining a mounting plate width. The mounting plate portion includes first and second projections. The dummy mass also includes a neck portion defining a neck width and a neck length. A root portion of the neck portion is disposed between the first and second projections, and defines first and second alcoves between the root portion and the first and second projections, respectively. The dummy mass also includes a distal mass portion defining a distal mass width and a distal mass length. The neck width is less than the mounting plate width, and the neck width is less than the distal mass width.

摘要翻译： 一种新颖的磁盘驱动器磁头组合组件（HSA）包括附接到第一致动器臂的第一磁头万向架组件。 虚拟质量块附接到第二致动器臂。 虚拟物质包括限定安装板宽度的安装板部分。 安装板部分包括第一和第二突起。 虚拟块还包括限定颈部宽度和颈部长度的颈部。 颈部的根部设置在第一和第二突起之间，并且分别在根部与第一和第二突起之间限定第一和第二壁口。 虚拟质量还包括限定远端质量宽度和远端质量长度的远端质量部分。 颈部宽度小于安装板宽度，颈部宽度小于远端质量宽度。

公开(公告)号：US08015158B1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US11789083

申请日：2007-04-23

申请人： Michael Mankovsky ,  Qing Zhang

发明人： Michael Mankovsky ,  Qing Zhang

IPC分类号： G06F7/00 ,  G06F17/00

CPC分类号： G06F11/1435 ,  G06F11/1469 ,  G06F2201/80

摘要： A mechanism is provided for archiving and restoring transaction files of a database system without requiring the copying of the transaction files. A server system executes a host application that implements the database system comprising a set of database files and a set of transaction files that contains updates to the set of database files, the files being stored in a storage system. A backup engine interacts with the host application to archive a transaction file having an original filename in an original directory by creating a corresponding archive filename to the transaction file in an archive directory. The archive transaction files may be used later to perform a copy-less restore process of the database system that does not require copying of any transaction files. The copy-less restore process restores any altered original filenames by replacing, in the original directory, an altered original filename with its corresponding archive filename.

摘要翻译： 提供了一种用于归档和恢复数据库系统的事务文件的机制，而不需要复制事务文件。 服务器系统执行实现数据库系统的主机应用程序，该数据库系统包括一组数据库文件和一组事务文件，其中包含对该组数据库文件的更新，该文件存储在存储系统中。 备份引擎与主机应用程序进行交互，通过为归档目录中的事务文件创建相应的归档文件名，将具有原始文件名的事务文件归档到原始目录中。 归档事务文件可以稍后用于执行不需要复制任何事务文件的数据库系统的无副本还原过程。 无副本还原过程通过将原始目录中更改的原始文件名替换为相应的归档文件名来恢复所有已更改的原始文件名。

公开(公告)号：US20110150875A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12993672

申请日：2009-05-21

申请人： Qing Zhang ,  Nicholas J. Murgolo ,  Joseph A. Hedrick

发明人： Qing Zhang ,  Nicholas J. Murgolo ,  Joseph A. Hedrick

IPC分类号： A61K39/395 ,  A61K38/16 ,  G01N33/50 ,  C07K14/00 ,  C07K16/00 ,  C12N9/50 ,  C12N9/16 ,  C12N9/22 ,  A61P9/10 ,  A61P3/06

CPC分类号： A61K38/1709 ,  A61K31/366 ,  A61K31/397 ,  A61K38/39 ,  A61K45/06 ,  C07K14/78 ,  G01N33/573 ,  G01N2333/96433 ,  A61K2300/00

摘要： The present invention provides, in part, methods and compositions for treating lipid disorders comprising administering a polypeptide that inhibits PCSK9. A novel method for identifying polypeptides that interact with PCSK9 is also provided.

摘要翻译： 本发明部分地提供了治疗脂质障碍的方法和组合物，包括施用抑制PCSK9的多肽。 还提供了用于鉴定与PCSK9相互作用的多肽的新方法。

公开(公告)号：US07920532B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US11650496

申请日：2007-01-08

申请人： Qing Zhang

发明人： Qing Zhang

IPC分类号： H04W4/00

CPC分类号： H04W40/00 ,  H04L45/12 ,  H04L45/122 ,  H04L67/10 ,  H04L67/16 ,  H04L67/28 ,  H04L67/2838

摘要： A method and apparatus for providing a distributed service composition model in accordance with the characteristics of an ad hoc network are provided. The method includes confirming whether an adjacent mobile node exists within a number of hops from a task initiator node so as to execute a task, establishing a flow for executing the task with regard to the adjacent mobile node if it is confirmed that the adjacent mobile node exists, and executing the task using a routing algorithm in accordance with the flow. At least one service necessary to execute the task and an execution order between services are determined based on cooperation between adjacent mobile nodes.

摘要翻译： 提供了一种根据自组织网络的特征提供分布式服务组合模型的方法和装置。 该方法包括确认相邻移动节点是否存在于来自任务发起者节点的跳数内，以便执行任务，如果确认相邻的移动节点确定了相对于相邻移动节点执行任务的流程 存在，并使用根据流程的路由算法执行任务。 基于相邻移动节点之间的协作来确定执行任务所需的至少一个服务和服务之间的执行顺序。

公开(公告)号：US07790503B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US11958603

申请日：2007-12-18

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/16 ,  H05K1/162 ,  H05K1/165 ,  H05K1/167 ,  H05K3/20 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/0352 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09736 ,  H05K2203/016 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a substrate with an insulation layer disposed on a top surface of the substrate, forming a passive device over the top surface of the substrate, removing the substrate, depositing an insulating polymer film layer over the insulation layer, and depositing a metal layer over the insulating polymer film layer. A solder mask can be formed over the metal layer. A conformal metal layer can then be formed over the solder mask. A notch can be formed in the insulation layer to enhance the connection between the insulating polymer film layer and the insulation layer. Additional semiconductor die can be electrically connected to the passive device. The substrate is removed by removing a first amount of the substrate using a back grind process, and then removing a second amount of the substrate using a wet dry, dry etch, or chemical-mechanical planarization process.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底的顶表面上设置绝缘层，在衬底的顶表面上形成无源器件，去除衬底，在绝缘层上沉积绝缘聚合物膜层 并且在绝缘聚合物膜层上沉积金属层。 可以在金属层上形成焊接掩模。 然后可以在焊接掩模上形成保形金属层。 可以在绝缘层中形成切口以增强绝缘聚合物膜层和绝缘层之间的连接。 另外的半导体管芯可以电连接到无源器件。 通过使用后研磨工艺去除第一量的基材，然后使用湿干，干蚀刻或化学机械平面化工艺除去第二量的基材来除去基材。

公开(公告)号：US07772106B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11936461

申请日：2007-11-07

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： A semiconductor device has a substrate with an inductor formed on its surface. First and second contact pads are formed on the substrate. A passivation layer is formed over the substrate and first and second contact pads. An insulating layer is formed over the passivation layer. The insulating layer is removed over the first contact pad, but not from the second contact pad. A metal layer is formed over the first contact pad. The metal layer is coiled on the surface of the substrate to produce inductive properties. The formation of the metal layer involves use of a wet etchant. The second contact pad is protected from the wet etchant by the insulating layer. The insulating layer is removed from the second contact pad after forming the metal layer over the first contact pad. An external connection is formed on the second contact pad.

摘要翻译： 半导体器件具有在其表面上形成有电感器的基板。 第一和第二接触垫形成在基板上。 在衬底和第一和第二接触焊盘之上形成钝化层。 在钝化层上形成绝缘层。 绝缘层在第一接触焊盘上移除，但不从第二接触焊盘移除。 金属层形成在第一接触垫上。 金属层被卷绕在基板的表面上以产生感应特性。 金属层的形成涉及使用湿蚀刻剂。 第二接触垫被绝缘层从湿蚀刻剂保护。 在第一接触垫上形成金属层之后，从第二接触焊盘去除绝缘层。 在第二接触垫上形成外部连接。

公开(公告)号：US20100145910A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12653091

申请日：2009-12-08

申请人： Lin Zhao ,  Hai Wang ,  Qing Zhang ,  Yina Zhang

发明人： Lin Zhao ,  Hai Wang ,  Qing Zhang ,  Yina Zhang

IPC分类号： G06F17/00

CPC分类号： G06F17/30174 ,  G06F11/1658 ,  G06F17/30348 ,  G06F17/3038 ,  G06F17/30383 ,  G06F17/3056 ,  G06F17/30592

摘要： Data synchronization includes establishing a plurality of target data tables based on a source data table in which data to be synchronized is stored, determining a current target data table from the plurality of target data tables, synchronizing the source data table and the current target data table, and directing an application server to access the current target data table upon successful completion of synchronization.

摘要翻译： 数据同步包括基于存储有待同步数据的源数据表建立多个目标数据表，从多个目标数据表确定当前目标数据表，同步源数据表和当前目标数据表 并且在成功完成同步时指示应用服务器访问当前目标数据表。

公开(公告)号：US07727876B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11934009

申请日：2007-11-01

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： A flip chip semiconductor device has a substrate with a plurality of active devices formed thereon. A contact pad is formed on the substrate in electrical contact with the plurality of active devices. A passivation layer is formed over the substrate and intermediate conduction layer. An adhesive layer is formed over the passivation layer. A barrier layer is formed over the adhesive layer. A wetting layer is formed over the barrier layer. The barrier layer and wetting layer in a first region are removed, while the barrier layer, wetting layer, and adhesive layer in a second region are maintained. The adhesive layer over the passivation layer in the first region are maintained until the solder bumps are formed. By keeping the adhesive layer over the passivation layer until after formation of the solder bumps, less cracking occurs in the passivation layer.

摘要翻译： 倒装芯片半导体器件具有在其上形成有多个有源器件的衬底。 接触焊盘形成在与多个有源器件电接触的衬底上。 在衬底和中间导电层上形成钝化层。 在钝化层上形成粘合剂层。 在粘合剂层上形成阻挡层。 在阻挡层上形成润湿层。 去除第一区域中的阻挡层和润湿层，同时维持第二区域中的阻挡层，润湿层和粘合剂层。 保持第一区域中的钝化层上的粘合剂层直到形成焊料凸点。 通过将粘合剂层保持在钝化层上方直到形成焊料凸点，在钝化层中发生较少的破裂。

公开(公告)号：US07682959B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11689282

申请日：2007-03-21

申请人： Yaojian Lin ,  Qing Zhang ,  Haijing Cao

发明人： Yaojian Lin ,  Qing Zhang ,  Haijing Cao

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552

摘要： A solder bump is formed on a high-topography, electroplated copper pad integrating a first and second passivation layer. A sacrifice layer is deposited over the second passivation layer. The sacrifice layer is lithographically patterned. A via is etched in the sacrifice layer. A solder bump is formed in the via. A portion of the sacrifice layer is removed using the solder bump as a mask. A semiconductor device includes a substrate, an input/output (I/O) pad disposed over the substrate, a first passivation layer disposed over a portion of the I/O pad, a first conductive layer disposed over the first passivation layer, a second passivation layer disposed over the first conductive layer, a sacrifice layer disposed over the second passivation layer, the sacrifice layer having a via, and a solder bump formed in the via, the solder bump used as a mask to remove a portion of the sacrifice layer.

摘要翻译： 在集成了第一和第二钝化层的高地形电镀铜焊盘上形成焊料凸块。 牺牲层沉积在第二钝化层上。 牺牲层被光刻图案化。 在牺牲层中蚀刻通孔。 在通孔中形成焊料凸块。 使用焊料凸块作为掩模去除牺牲层的一部分。 半导体器件包括衬底，设置在衬底上的输入/输出（I / O）焊盘，布置在I / O焊盘的一部分上的第一钝化层，设置在第一钝化层上的第一导电层，第二钝化层 设置在所述第一导电层上的钝化层，设置在所述第二钝化层上的牺牲层，所述牺牲层具有通孔和形成在所述通孔中的焊料凸块，所述焊料凸块用作掩模以去除所述牺牲层的一部分 。