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    Etchant treatment processes for substrate surfaces and chamber surfaces
    22.
    发明授权
    Etchant treatment processes for substrate surfaces and chamber surfaces 有权
    底物表面和室表面的蚀刻处理工艺

    公开(公告)号：US08093154B2

    公开(公告)日：2012-01-10

    申请号：US11242613

    申请日：2005-10-03

    申请人： Ali Zojaji ,  Arkadii V. Samoilov

    发明人： Ali Zojaji ,  Arkadii V. Samoilov

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/02019 ,  B08B7/0035 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

    摘要： In one embodiment of the invention, a method for finishing or treating a silicon-containing surface is provided which includes removing contaminants and/or smoothing the surface contained on the surface by a slow etch process (e.g., about 100 Å/min) is provided which includes removing silicon-containing material to form a recess in a source/drain (S/D) area on the substrate. In another embodiment, a method for cleaning a process chamber is provided which includes exposing the interior surfaces with a chamber clean gas that contains an etchant and a silicon source. The chamber clean process limits the etching of quartz and metal surfaces within the process chamber.

    摘要翻译： 在本发明的一个实施方案中，提供了一种用于整理或处理含硅表面的方法，其包括通过缓蚀刻工艺（例如，约/ 100 / min）去除污染物和/或平滑表面上所含的表面。 含硅表面暴露于含有蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。 优选地，蚀刻剂是氯气，使得在该过程中使用相对低的温度（例如<800℃）。 在另一个实施例中，提供了一种用于在快速蚀刻工艺（例如约> 100 / min）期间蚀刻含硅表面的方法，其包括去除含硅材料以在源极/漏极（S / D）中形成凹陷 ）面积。 在另一个实施例中，提供了一种用于清洁处理室的方法，其包括用包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体暴露内表面。 室清洁过程限制了处理室内的石英和金属表面的蚀刻。

    Carbon precursors for use during silicon epitaxial film formation
    25.
    发明授权
    Carbon precursors for use during silicon epitaxial film formation 有权
    在硅外延膜形成期间使用的碳前体

    公开(公告)号：US07598178B2

    公开(公告)日：2009-10-06

    申请号：US11690588

    申请日：2007-03-23

    申请人： Arkadii V. Samoilov ,  Rohini Kodali ,  Ali Zojaji ,  Yihwan Kim

    发明人： Arkadii V. Samoilov ,  Rohini Kodali ,  Ali Zojaji ,  Yihwan Kim

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/32134 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7834

    摘要： The present invention provides systems and methods of forming an epitaxial film on a substrate. After heating in a process chamber, the substrate is exposed to a silicon source and at least one of SiH2(CH3)2, SiH(CH3)3, Si(CH3)4, 1,3-disilabutane, and C2H2, at a temperature of greater than about 250 degrees Celsius and a pressure greater than about 1 Torr so as to form an epitaxial film on at least a portion of the substrate. Then, the substrate is exposed to an etchant so as to etch the epitaxial film and any other films formed during the deposition. The deposition and etching may be repeated until a film of a desired thickness is achieved. Numerous other aspects are disclosed.

    摘要翻译： 本发明提供了在衬底上形成外延膜的系统和方法。 在处理室中加热后，将衬底暴露于硅源和SiH2（CH3）2，SiH（CH3）3，Si（CH3）4,1,3-二硅烷和C2H2中的至少一种，温度 大于约250摄氏度，压力大于约1托，以便在至少一部分基底上形成外延膜。 然后，将衬底暴露于蚀刻剂，以蚀刻外延膜和沉积期间形成的任何其它膜。 可以重复沉积和蚀刻，直到达到所需厚度的膜。 公开了许多其他方面。

    Selective epitaxy process with alternating gas supply
    26.
    发明授权
    Selective epitaxy process with alternating gas supply 有权
    选择性外延过程与交替供气

    公开(公告)号：US07312128B2

    公开(公告)日：2007-12-25

    申请号：US11001774

    申请日：2004-12-01

    申请人： Yihwan Kim ,  Arkadii V. Samoilov

    发明人： Yihwan Kim ,  Arkadii V. Samoilov

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/969

    摘要： In one example, a method of epitaxially forming a silicon-containing material on a substrate surface is presented which includes positioning a substrate into a process chamber. The substrate has a monocrystalline surface and at least a second surface, such as an amorphous surface and/or a polycrystalline surface. The substrate is exposed to a deposition gas to deposit an epitaxial layer on the monocrystalline surface and a polycrystalline layer on the second surface. The deposition gas preferably contains a silicon source and at least a second elemental source, such as a germanium source, a carbon source and/or combinations thereof. Thereafter, the method further provides exposing the substrate to an etchant gas to etch the polycrystalline layer and the epitaxial layer in a manner such that the polycrystalline layer is etched at a faster rate than the epitaxial layer. The method may further include a deposition cycle that includes repeating the exposure of the substrate to the deposition and etchant gases to form a silicon-containing material with a predetermined thickness.

    摘要翻译： 在一个实例中，提出了在衬底表面上外延形成含硅材料的方法，其包括将衬底定位到处理室中。 衬底具有单晶表面和至少第二表面，例如非晶表面和/或多晶表面。 将衬底暴露于沉积气体，以在第一表面上沉积外延层和在第二表面上沉积多晶层。 沉积气体优选地包含硅源和至少第二元素源，例如锗源，碳源和/或其组合。 此后，该方法进一步提供将衬底暴露于蚀刻剂气体以蚀刻多​​晶层和外延层，使得以比外延层更快的速率蚀刻多晶层。 该方法还可以包括沉积循环，其包括重复将衬底暴露于沉积和蚀刻剂气体以形成具有预定厚度的含硅材料。

    Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces
    27.
    发明授权
    Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces 有权
    用于处理含硅表面的低温蚀刻剂

    公开(公告)号：US07235492B2

    公开(公告)日：2007-06-26

    申请号：US11047323

    申请日：2005-01-31

    申请人： Arkadii V. Samoilov

    发明人： Arkadii V. Samoilov

    IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/02019 ,  B08B7/0035 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

    摘要： In one embodiment of the invention, a method for finishing or treating a silicon-containing surface is provided which includes removing contaminants and/or smoothing the surface contained on the surface by a slow etch process (e.g., about 100 Å/min) is provided which includes removing silicon-containing material to form a recess in a source/drain (S/D) area on the substrate. The silicon-containing surface is exposed to an etching gas that contains an etchant, preferably chlorine, a carrier gas and an optional silicon source.

    摘要翻译： 在本发明的一个实施方案中，提供了一种用于整理或处理含硅表面的方法，其包括通过缓蚀刻工艺（例如，约/ 100 / min）去除污染物和/或平滑表面上所含的表面。 含硅表面暴露于含有蚀刻剂，硅源和载气的蚀刻气体。 优选地，蚀刻剂是氯气，使得在蚀刻或平滑处理期间使用相对低的温度（例如<800℃）。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种用于在快速蚀刻工艺（例如，约> 100 / min）期间蚀刻含硅表面的方法，其包括去除含硅材料以在源极/漏极中形成凹陷 S / D）面积。 含硅表面暴露于含有蚀刻剂，优选氯，载气和任选的硅源的蚀刻气体。

    Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process
    28.
    发明授权
    Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process 有权
    使用选择性沉积工艺制造MOSFET器件的方法

    公开(公告)号：US07132338B2

    公开(公告)日：2006-11-07

    申请号：US10845984

    申请日：2004-05-14

    申请人： Arkadii V. Samoilov ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas C. Dalida

    发明人： Arkadii V. Samoilov ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas C. Dalida

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

    摘要： In one embodiment, a method for fabricating a silicon-based device on a substrate surface is provided which includes depositing a first silicon-containing layer by exposing the substrate surface to a first process gas comprising Cl2SiH2, a germanium source, a first etchant and a carrier gas and depositing a second silicon-containing layer by exposing the first silicon-containing layer to a second process gas comprising SiH4 and a second etchant. In another embodiment, a method for depositing a silicon-containing material on a substrate surface is provided which includes depositing a first silicon-containing layer on the substrate surface with a first germanium concentration of about 15 at % or more. The method further provides depositing on the first silicon-containing layer a second silicon-containing layer wherein a second germanium concentration of about 15 at % or less, exposing the substrate surface to air to form a native oxide layer, removing the native oxide layer to expose the second silicon-containing layer, and depositing a third silicon-containing layer on the second silicon-containing layer. In another embodiment, a method for depositing a silicon-containing material on a substrate surface is provided which includes depositing epitaxially a first silicon-containing layer on the substrate surface with a first lattice strain, and depositing epitaxially on the first silicon-containing layer a second silicon-containing layer with a second lattice strain greater than the first lattice strain.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底表面上制造硅基器件的方法，其包括通过将衬底表面暴露于包含Cl 2 SiH 2的第一工艺气体来沉积第一含硅层， 锗源，第一蚀刻剂和载气，并且通过将第一含硅层暴露于包含SiH 4 N 2的第二工艺气体而沉积第二含硅层， 和第二蚀刻剂。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底表面上沉积含硅材料的方法，其包括以约15at％或更多的第一锗浓度在衬底表面上沉积第一含硅层。 该方法进一步提供了在第一含硅层上沉积第二含硅层，其中第二锗浓度为约15原子％或更低，将基底表面暴露于空气中以形成天然氧化物层，将天然氧化物层去除 暴露第二含硅层，并在第二含硅层上沉积第三含硅层。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底表面上沉积含硅材料的方法，其包括以第一晶格应变在衬底表面上外延沉积第一含硅层，并且在第一含硅层上外延沉积 第二含硅层具有大于第一晶格应变的第二晶格应变。